SIC
close

IGBT (8343)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС Wshod ПАКЕТИВАЕТСЯ ТЕГИНЕСКАЯ Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) NTC Thermistor Odnana emcostath (cies) @ vce
RJP4055DPP-91#T2 Renesas Electronics America Inc RJP4055DPP-91#T2 1.0000
RFQ
 ECAD 9297 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
FF1500R17IP5RBPSA1 Infineon Technologies FF1500R17IP5RBPSA1 2.0000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Primepack ™ 3 Поджос Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул FF1500R 20 м Станода Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2 2 neзaviymый По -прежнему 1700 В. 1500 А. 2,2- 15 -й, 1,5ka 10 май В дар 88 NF @ 25 V
FZ900R12KP4HOSA1 Infineon Technologies FZ900R12KP4HOSA1 213.3600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Infineon Technologies В Поджос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI Модул FZ900R12 Станода Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Одинокий - 1200 900 а 2.05V @ 15V, 900A 5 май Не 56 NF @ 25 V
AOB30B65LN2V Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB30B65LN2V 1.2167
RFQ
 ECAD 5884 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphaigbt ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB AOB30 Станода 227 Вт 263 (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 785-AOB30B65LN2VTR Ear99 8541.29.0095 800 400 В, 30. 312 м - 650 60 а 90 а 2,35 -прри 15-, 30А 880 мкд (на), 350 мк (выключен) 52 NC 23ns/109ns
FP10R12W1T4B29BOMA1 Infineon Technologies FP10R12W1T4B29BOMA1 43 5896
RFQ
 ECAD 4452 0,00000000 Infineon Technologies EasyPim ™ Поджос Актифен FP10R12 - Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 0000.00.0000 24
IRG4BC30W-STRL Infineon Technologies IRG4BC30W-STRL -
RFQ
 ECAD 7629 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRG4BC30W-S Станода 100 y D2Pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 480V, 12A, 23ohm, 15V - 600 23 а 92 а 2,7 В @ 15 В, 12а 130 мкд (на), 130 мк (выключен) 51 NC 25NS/99NS
IXGR55N120A3H1 IXYS IXGR55N120A3H1 15.9793
RFQ
 ECAD 1639 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixgr55 Станода 200 th Isoplus247 ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 960V, 55A, 3OM, 15V 200 млн Пет 1200 70 а 330 А. 2.35V @ 15V, 55A 5,1MJ (ON), 13,3MJ (OFF) 185 NC 23ns/365ns
STGW8M120DF3 STMicroelectronics STGW8M120DF3 4.4900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics М Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGW8 Станода 167 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-17619 Ear99 8541.29.0095 30 600V, 8A, 33OM, 15 103 м По -прежнему 1200 16 а 32 а 2,3 В @ 15 В, 8а 390 мкд (на), 370 мкд (выключен) 32 NC 20NS/126NS
VS-GB100NH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100NH120N -
RFQ
 ECAD 6945 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо 150 ° C (TJ) ШASCI Double Int-A-Pak (3 + 4) GB100 833 Вт Станода Дзоно int-a-pak - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSGB100NH120N Ear99 8541.29.0095 12 Одинокий - 1200 200 А. 2,35 -прри 15 - 5 май Не 8,58 NF @ 25 V
FP75R12N3T7B81BPSA1 Infineon Technologies FP75R12N3T7B81BPSA1 227.5900
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Infineon Technologies * Поджос Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10
FGPF120N30TU Fairchild Semiconductor FGPF120N30TU 4.2700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- Станода 60 TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 - - 300 120 А. 180 А. 1,4 В @ 15 В, 25а - 112 NC -
IXBH42N300HV IXYS IXBH42N300HV 117.9213
RFQ
 ECAD 8987 0,00000000 Ixys Bimosfet ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ IXBH42 Станода 500 Вт ДО-247HV - Rohs3 DOSTISH 238-IXBH42N300HV Ear99 8541.29.0095 30 - 1,7 мкс - 3000 104 а 400 а 3V @ 15V, 42A - 200 NC -
APT20GF120BRDG Microchip Technology APT20GF120BRDG 7.1600
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 APT20GF120 Станода 200 th 247-3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-APT20GF120BRDG Ear99 8541.29.0095 1 792V, 20A, 10OM, 15 В 85 м Npt 1200 32 а 64 а 3,2- 15-, 15А - 140 NC 17ns/93ns
IXGR40N60C2G1 IXYS Ixgr40n60c2g1 -
RFQ
 ECAD 7107 0,00000000 Ixys - Трубка Управо - Чereз dыru 247-3 Ixgr40 Станода Isoplus247 ™ - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 - - 600 - - -
STGWT20V60F STMicroelectronics STGWT20V60F 3.1300
RFQ
 ECAD 587 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 STGWT20 Станода 167 Вт 12 с СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 20А, 15 В По -прежнему 600 40 А. 80 а 2,2 В прри 15 В, 20А 200 мкд (ON), 130 мкд (OFF) 116 NC 38NS/149NS
APTGF300A120G Microchip Technology APTGF300A120G -
RFQ
 ECAD 4216 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Управо - ШASCI SP6 1780 г. Станода SP6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос Npt 1200 400 а 3,9 В @ 15 В, 300A 500 мк Не 21 NF @ 25 V
APT50GLQ65JU2 Microchip Technology APT50GLQ65JU2 -
RFQ
 ECAD 9144 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc 220 Вт Станода Isotop® СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 100 Пеотртолет По -прежнему 650 80 а 2,3 В @ 15 В, 50a 50 мк Не 3.1 NF @ 25 V
CM600DU-5F Powerex Inc. CM600DU-5F -
RFQ
 ECAD 5171 0,00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ МАССА Пркрэно -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 1100 Вт Станода Модул СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос - 250 600 а 1,7 В @ 10 n, 600A 1 май Не 170 NF @ 10 V
IKY75N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Iky75n120ch3xksa1 18.8900
RFQ
 ECAD 425 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-4 Iky75n120 Станода 938 Вт PG-TO247-4 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 600V, 75A, 6OM, 15 В 292 м - 1200 150 А. 300 а 2.35V @ 15V, 75A 3,4MJ (ON), 2,9MJ (OFF) 370 NC 38NS/303NS
RJP4009ANS-01#Q5 Renesas Electronics America Inc RJP4009ANS-01#Q5 -
RFQ
 ECAD 1388 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Vdfn RJP4009 Станода 1,8 8-VSON (3x4,4) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 - - 400 150 А. 9 w @ 2,5 v, 150a - -
RGPR30BM40HRTL Rohm Semiconductor RGPR30BM40HRTL 0,8260
RFQ
 ECAD 2776 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RGPR30 Станода 125 Вт 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 300 В, 8а, 100om, 5 В - 430 30 а 2.0V @ 5V, 10a - 22 NC 500NS/4 мкс
AIHD03N60RFATMA1 Infineon Technologies AIHD03N60RFATMA1 -
RFQ
 ECAD 6976 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 AIHD03 Станода 53,6 Вт PG-TO252-3-313 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001346868 Ear99 8541.29.0095 2500 400 В, 2,5а, 68 Ом, 15 По -прежнему 600 5 а 7,5 а 2,5 -пр. 15 В, 2,5а 50 мкд (на), 40 мкд (выключен) 17.1 NC 10NS/128NS
MGW30N60 Motorola MGW30N60 4.6300
RFQ
 ECAD 8385 0,00000000 Motorola - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 202 Вт 247 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 50 360 В, 30, 20 м, 15 - 600 50 а 100 а 3,45 В @ 15 В, 30А 980 мкж (В.К. 76NS/348NS
IRGS6B60KTRLPBF International Rectifier IRGS6B60KTRLPBF 1.5500
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-IRGS6B60KTRLPBF-600047 1
RGT00TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT00TS65DGC11 5,8000
RFQ
 ECAD 385 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGT00 Станода 277 Вт TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 50 атмосфера, 10, 15 54 м По -прежнему 650 85 а 150 А. 2.1V @ 15V, 50a - 94 NC 42NS/137NS
STGD8NC60KT4 STMicroelectronics STGD8NC60KT4 -
RFQ
 ECAD 2938 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 STGD8 Станода 62 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 390V, 3A, 10OM, 15V - 600 15 а 30 а 2.75V @ 15V, 3A 55 мкд (wklючen), 85 мкб (В.Клнун) 19 NC 17ns/72ns
STGB30H60DLFB STMicroelectronics STGB30H60DLFB -
RFQ
 ECAD 8223 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STGB30 Станода 260 Вт D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 30. По -прежнему 600 60 а 120 А. 2V @ 15V, 30a 393 мкж (vыklючen) 149 NC -/146ns
CM100TL-24NF Powerex Inc. CM100TL-24NF -
RFQ
 ECAD 9661 0,00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ МАССА Пркрэно -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 620 Вт Станода Модул СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 Треоф - 1200 100 а 3V @ 15V, 100a 1 май Не 17,5 NF @ 10 V
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies BSM35GD120DLCE3224BOSA1 147.3320
RFQ
 ECAD 8226 0,00000000 Infineon Technologies - Поджос Прохл -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI Модул BSM35G 280 Вт Станода Модул - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Polnыйmost - 1200 70 а 2.6V @ 15V, 35A 80 мка Не 2 nf @ 25 v
APTGT75DU120TG Microchip Technology APTGT75DU120TG 110.7300
RFQ
 ECAD 5531 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SP4 Aptgt75 350 Вт Станода SP4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК По -прежнему 1200 100 а 2.1V @ 15V, 75A 250 мк В дар 5,34 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть