SIC
close

IGBT (8343)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta ТИПВ Синла - МАКС Wshod ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) NTC Thermistor Odnana emcostath (cies) @ vce
FGL35N120FTDTU Fairchild Semiconductor FGL35N120FTDTU 6.0600
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA Станода 368 Вт HPM F2 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 50 600V, 35A, 10OM, 15 337 м По -прежнему 1200 70 а 105 а 2.2V @ 15V, 35A 2,5mj (wklючeno), 1,7mj (OFF) 210 NC 34ns/172ns
IXYH50N65C3 IXYS Ixyh50n65c3 5.5177
RFQ
 ECAD 6319 0,00000000 Ixys Genx3 ™, XPT ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixyh50 Станода 600 Вт TO-247 (IXTH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -IXYH50N65C3 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 36А, 5OM, 15 В Пет 650 130 а 250 а 2.1V @ 15V, 36A 1,3MJ (ON), 370 мкд (OFF) 80 NC 22NS/80NS
RGSX5TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65HRC11 8.9300
RFQ
 ECAD 395 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGSX5TS65 Станода 404 Вт TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RGSX5TS65HRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V, 75A, 10OM, 15 В По -прежнему 650 114 А. 225 а 2.15V @ 15V, 75A 3,32MJ (ON), 1,9MJ (OFF) 79 NC 43ns/113ns
STGI25N36LZAG STMicroelectronics STGI25N36LZAG 1.1903
RFQ
 ECAD 3260 0,00000000 Stmicroelectronics Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA STGI25 Лейка 150 Вт I2pak (262) - Rohs3 DOSTISH 497-stgi25n36lzag Ear99 8541.29.0095 1000 - - 350 25 а 50 а 1,25 h @ 4v, 6a - 25,7 NC 1,1 мкс/7,4 мкс
DDB6U50N16W1RBPSA1 Infineon Technologies DDB6U50N16W1RBPSA1 62 9600
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул DDB6U50 Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta Ag-Iasy1b СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 24 Одинофан По -прежнему 1200 50 а 1,5 В @ 15 В, 50a 6,2 мка Не 11,1 nf @ 25 v
IKQ100N60TAXKSA1 Infineon Technologies IKQ100N60TAXKSA1 10.2954
RFQ
 ECAD 2171 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, TrenchStop ™ Трубка В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IKQ100 Станода 714 Вт PG-TO247-3-46 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001144016 Ear99 8541.29.0095 240 400 В, 100A, 3,6 ОМ, 15 225 м По -прежнему 600 160 а 400 а 2V @ 15V, 100a 3,1mj (ON), 2,5MJ (OFF) 610 NC 30NS/290NS
RGCL80TS60DGC11 Rohm Semiconductor RGCL80TS60DGC11 5.2400
RFQ
 ECAD 9242 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGCL80 Станода 148 Вт TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 450 400 В, 40:00, 10OM, 15 58 м По -прежнему 600 65 а 160 а 1,8 В @ 15 В, 40a 1,11mj (ON), 1,68MJ (OFF) 98 NC 53NS/227NS
F3L8MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies F3L8MR12W2M1HB11BPSA1 216.9100
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен F3L8MR12 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 15
STGE50NC60VD STMicroelectronics STGE50NC60VD -
RFQ
 ECAD 8007 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc STGE50 260 Вт Станода Иотоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Одинокий - 600 90 а 2,5 -прри 15 -в, 40A 150 мк Не 4,55 NF @ 25 V
BSM100GP60BOSA1 Infineon Technologies BSM100GP60BOSA1 -
RFQ
 ECAD 6040 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI Модул BSM100 420 Вт Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta Модул - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 Треоф - 600 135 а 2,45 Е @ 15 В, 100a 500 мк В дар 4,3 NF @ 25 V
IRG4PH20KDPBF Infineon Technologies IRG4PH20KDPBF -
RFQ
 ECAD 6829 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IRG4PH20 Станода 60 ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 800V, 5A, 50OM, 15 51 м - 1200 11 а 22 а 4,3- 15-, 5A 620 мкд (на), 300 мк (В. 28 NC 50NS/100NS
IRGP4063D1PBF International Rectifier IRGP4063D1PBF -
RFQ
 ECAD 9658 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 330 Вт ДО-247AC СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 400V, 48A, 10OM, 15 В 80 млн - 600 100 а 200 А. 2.14V @ 15V, 48A 1,4 мкж (wklючen), 1,1 мкдо (В.Клхейни) 150 NC 60NS/160NS
AOT10B60M1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT10B60M1 0,8005
RFQ
 ECAD 9339 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphaigbt ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 AOT10 Станода 83 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 785-AOT10B60M1TR Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 10А, 30 ОМ, 15 В - 600 20 а 25 а 2,9 В @ 15 В, 10а 190 мкд (на), 140 мк (выключен) 14 NC 5,5NS/61NS
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies AIKW20N60CTXKSA1 6.5600
RFQ
 ECAD 4944 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, TrenchStop ™ Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 AIKW20 Станода 166 Вт PG-TO247-3-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001346790 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 20А, 12OM, 15 По -прежнему 600 40 А. 60 а 2.05V @ 15V, 20a 310 мкм (wklючen), 460 мкд (vыklючen) 120 NC 18ns/199ns
LGD8201ATI Littelfuse Inc. LGD8201ati -
RFQ
 ECAD 9890 0,00000000 Littelfuse Inc. * Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 18-lgd8201atitr 0000.00.0000 2500
FF1400R12IP4BOSA1 Infineon Technologies FF1400R12IP4BOSA1 930.8700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Primepack ™ 3 Поднос Актифен -40 ° С ~ 150 ° С. ШASCI Модул FF1400 765000 Станода Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2 2 neзaviymый По -прежнему 1200 1400 А. 2.05V @ 15V, 1400A 5 май В дар 82 NF @ 25 V
AIMZA75R008M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R008M1HXKSA1 23.4800
RFQ
 ECAD 6381 0,00000000 Infineon Technologies * Трубка Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 448-aimza75r008m1hxksa1 240
FF300R06KE3B2HOSA1 Infineon Technologies FF300R06KE3B2HOSA1 164.8320
RFQ
 ECAD 8119 0,00000000 Infineon Technologies В Поднос Актифен -40 ° С ~ 150 ° С. ШASCI Модул FF300R06 940 Вт Станода Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 2 neзaviymый По -прежнему 600 400 а 1,9 В @ 15 В, 300A 5 май Не 19 nf @ 25 V
CM75DY-28H Powerex Inc. CM75DY-28H -
RFQ
 ECAD 3476 0,00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ МАССА Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 600 Вт Станода Модул СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2 Поломвинамос - 1400 75 а 4,2- 15 -й, 75A 1 май Не 15 NF @ 10 V
APTGF30A60T1G Microsemi Corporation APTGF30A60T1G -
RFQ
 ECAD 2272 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - ШASCI SP1 140 Вт Станода SP1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос Npt 600 42 а 2,45 -прри 15-, 30А 250 мк В дар 1,35 NF при 25 В
APTGT75DSK60T3G Microsemi Corporation APTGT75DSK60T3G -
RFQ
 ECAD 3703 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI SP3 250 Вт Станода SP3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 ДОНГАНА -БАК -ВЕРТОЛЕТ По -прежнему 600 100 а 1,9 В @ 15V, 75A 250 мк В дар 4,62 NF @ 25 V
APT15GP60BDQ1G Microchip Technology APT15GP60BDQ1G 5,4000
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 7® Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 APT15GP60 Станода 250 Вт ДО-247 [B] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 400 В, 15А, 5OM, 15 В Пет 600 56 а 65 а 2,7 В @ 15 В, 15a 130 мкд (на), 120 мкд (выключен) 55 NC 8ns/29ns
IRG5K100HF12B Infineon Technologies IRG5K100HF12B -
RFQ
 ECAD 8946 0,00000000 Infineon Technologies - Коробка Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI POWIR® 62 МОДУЛ 780 Вт Станода Powir® 62 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 15 Поломвинамос - 1200 200 А. 2,6 -прри 15 - 2 мая Не 11,7 NF@ 25 V
IRGBC20FD2 Infineon Technologies IRGBC20FD2 -
RFQ
 ECAD 3298 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо - Чereз dыru 220-3 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 - 600 16 а -
IRG4BC15UD-SPBF International Rectifier IRG4BC15UD-SPBF 1.2500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода 49 Вт D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 480V, 7,8A, 75OM, 15V 28 млн - 600 14 а 42 а 2,4 В прри 15 В, 7,8а 240 мкд (на), 260 мкд (выключен) 23 NC 17ns/160ns
STGW40V60DLF STMicroelectronics STGW40V60DLF 4.8700
RFQ
 ECAD 417 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGW40 Станода 283 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-13767-5 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 40:00, 10OM, 15 По -прежнему 600 80 а 160 а 2,3 В @ 15 В, 40a 411 мк (В. 226 NC -/208ns
IXGK60N60C2D1 IXYS Ixgk60n60c2d1 -
RFQ
 ECAD 5162 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA Ixgk60 Станода 480 Вт TO-264 (IXGK) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 400 В, 50А, 2 ОМ, 15 В 35 м Пет 600 75 а 300 а 2,5 -прри 15 В, 50a 400 мкд (wklючeno), 480 мкд (В.Клэн) 146 NC 18NS/95NS
IRG4RC20FTR Infineon Technologies IRG4RC20FTR -
RFQ
 ECAD 5657 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRG4RC20F Станода 66 Вт D-PAK СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 480V, 12A, 50OM, 15V - 600 22 а 44 а 2.1V @ 15V, 12A 190 мкд (на), 920 мк (выключен) 27 NC 26ns/194ns
SGD8290NT4G Littelfuse Inc. SGD8290NT4G -
RFQ
 ECAD 7849 0,00000000 Littelfuse Inc. * Lenta и катахка (tr) Управо SGD8290 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 18-SGD8290NT4GTR Управо 800
APTGT150A1202G Microsemi Corporation APTGT150A1202G -
RFQ
 ECAD 7537 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SP2 690 Вт Станода SP2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 Поломвинамос По -прежнему 1200 220 А. 2.1V @ 15V, 150A 50 мк Не 10,7 nf@ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть