SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.)
G20N06D52 Goford Semiconductor Г20Н06Д52 0,1920
запросить цену
ECAD 20 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN G20N МОП-транзистор (оксид металла) 45 Вт (Та) 8-ДФН (4,9х5,75) скачать 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 5000 2 N-канала (двойной) 60В 20А (Та) 30 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 25 НК при 10 В 1220пФ при 30В -
GC11N65D5 Goford Semiconductor GC11N65D5 0,6760
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Гофорд Полупроводник Г Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (4,9х5,75) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 5000 N-канал 650 В 11А (Тс) 10 В 360 мОм при 5,5 А, 10 В 4 В @ 250 мкА ±30 В 901 пФ при 50 В - 78 Вт (Тс)
G60N10T Goford Semiconductor Г60Н10Т 1,5700
запросить цену
ECAD 186 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 100 В 60А (Тс) 4,5 В, 10 В 25 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 146 НК при 10 В ±20 В 3970 пФ при 50 В - 160 Вт (Тс)
G2305 Goford Semiconductor G2305 0,0350
запросить цену
ECAD 30 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 P-канал 20 В 4,8 А (Та) 2,5 В, 4,5 В 50 мОм при 4,1 А, 4,5 В 1 В @ 250 мкА 7,8 нк при 4,5 В ±12 В - 1,7 Вт (Та)
GT035N06T Goford Semiconductor GT035N06T 1,9400
запросить цену
ECAD 148 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 60 В 170А (Тс) 4,5 В, 10 В 3,5 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 70 НК при 10 В ±20 В 5064 пФ при 30 В - 215 Вт (Тс)
G7P03S Goford Semiconductor G7P03S 0,4000
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 4000 P-канал 30 В 9А (Тц) 4,5 В, 10 В 22 мОм при 3 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 24,5 НК при 10 В ±20 В 1253 пФ при 15 В - 2,7 Вт (Тс)
GT105N10K Goford Semiconductor ГТ105Н10К 1.0200
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 100 В 60А (Тс) 10 В 10,5 мОм при 35 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 16 НК @ 10 В ±20 В 1574 пФ при 50 В - 83 Вт (Тс)
GT080N10KI Goford Semiconductor GT080N10KI 0,7012
запросить цену
ECAD 8022 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 - Соответствует RoHS REACH не касается 3141-ГТ080Н10КИТР EAR99 8541.29.0000 2500 N-канал 100 В 65А (Тс) 4,5 В, 10 В 8 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 35 НК при 10 В ±20 В 2394 пФ при 50 В - 79 Вт (Тс)
GT52N10D5 Goford Semiconductor ГТ52Н10Д5 1.5000
запросить цену
ECAD 14 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (5,2х5,86) скачать 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 100 В 71А (Тс) 4,5 В, 10 В 7,5 мОм при 50 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 44,5 НК при 10 В ±20 В 2626 пФ при 50 В - 79 Вт (Тс)
G08N02L Goford Semiconductor G08N02L 0,0962
запросить цену
ECAD 4070 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 - Соответствует RoHS REACH не касается 3141-G08N02LTR EAR99 3000 N-канал 20 В 8А (Тс) 2,5 В, 4,5 В 12,3 мОм при 12 А, 4,5 В 900 мВ при 250 мкА 22 НК при 10 В ±12 В 929 пФ при 10 В - 1,5 Вт (Тс)
3415A Goford Semiconductor 3415А 0,0370
запросить цену
ECAD 150 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 P-канал 20 В 4А (Та) 2,5 В, 4,5 В 45 мОм при 4 А, 4,5 В 900 мВ при 250 мкА 12 нк @ 4,5 В ±10 В 950 пФ при 10 В - 1,4 Вт (Та)
18N20J Goford Semiconductor 18N20J 0,9300
запросить цену
ECAD 141 0,00000000 Гофорд Полупроводник ТренчFET® Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА МОП-транзистор (оксид металла) ТО-251 скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0000 75 N-канал 200 В 18А (Тс) 10 В 160 мОм при 9 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 17,7 НК при 10 В ±30 В 836 пФ при 25 В Стандартный 65,8 Вт (Тс)
G08P06D3 Goford Semiconductor G08P06D3 0,6400
запросить цену
ECAD 604 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (3,15х3,05) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 5000 P-канал 60 В 8А (Тс) 10 В 52 мОм при 6 А, 10 В 3,5 В при 250 мкА 25 НК при 10 В ±20 В 2972 пФ при 30 В - 40 Вт (Тс)
GT045N10D5 Goford Semiconductor GT045N10D5 1,6800
запросить цену
ECAD 6436 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (4,9х5,75) скачать Соответствует RoHS Непригодный REACH не касается EAR99 8541.29.0000 5000 N-канал 100 В 120А (Тс) 10 В 5 мОм при 30 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 60 НК при 10 В ±20 В 4217 пФ при 50 В - 180 Вт (Тс)
G030N06M Goford Semiconductor Г030Н06М 1,8900
запросить цену
ECAD 800 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263 скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0000 800 N-канал 60 В 223А (Тс) 4,5 В, 10 В 3 мОм при 30 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 101 НК при 4,5 В ±20 В 12432 пФ при 30 В - 240 Вт (Тс)
G60N04D52 Goford Semiconductor Г60Н04Д52 0,8700
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Гофорд Полупроводник ТренчFET® Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN G60 МОП-транзистор (оксид металла) 20 Вт (Тс) 8-ДФН (4,9х5,75) скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0000 5000 40В 35А (Тс) 9 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 27 НК при 10 В 1998 пФ при 20 В Стандартный
630A Goford Semiconductor 630А 0,8000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 200 В 11А 10 В 280 мОм при 4,5 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 11,8 НК при 10 В ±20 В 509 пФ при 25 В - 83 Вт
9926 Goford Semiconductor 9926 0,4900
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 4000 N-канал 20 В 25 мОм при 4,5 А, 4,5 В 1,2 В @ 250 мкА 10 НК при 4,5 В ±10 В 640 пФ при 10 В 1,25 Вт
GC11N65T Goford Semiconductor GC11N65T 1,6400
запросить цену
ECAD 98 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 650 В 11А (Тс) 10 В 360 мОм при 5,5 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 21 НК при 10 В ±30 В 901 пФ при 50 В - 78 Вт (Тс)
G7P03L Goford Semiconductor G7P03L 0,0670
запросить цену
ECAD 150 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 P-канал 30 В 7А (Тс) 4,5 В, 10 В 23 мОм при 3 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 29 НК при 10 В ±20 В 1500 пФ при 15 В - 1,9 Вт (Тс)
2301H Goford Semiconductor 2301H 0,0290
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 P-канал 30 В 2А (Та) 4,5 В, 10 В 125 мОм при 3 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 12 НК при 2,5 В ±12 В 405 пФ при 10 В - 1 Вт (Та)
G05NP06S2 Goford Semiconductor Г05НП06С2 0,6400
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 Гофорд Полупроводник ТренчFET® Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) G05N МОП-транзистор (оксид металла) 2,5 Вт (Тс), 1,9 Вт (Тс) 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 4000 N и P-канал 60В 5А (Тс), 3,1А (Тс) 36 мОм при 4,3 А, 10 В, 80 мОм при 3,1 А, 10 В 2 В при 250 мкА, 2,2 В при 250 мкА 22 нк при 10 В, 37 нк при 10 В 1336пФ при 30В, 1454пФ при 30В Стандартный
03N06 Goford Semiconductor 03N06 0,4300
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 В 100 мОм при 2 А, 10 В 1,2 В @ 250 мкА 14,6 НК при 30 В ±20 В 510 пФ при 30 В 1,7 Вт
G050P03K Goford Semiconductor G050P03K 1.0400
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 P-канал 30 В 85А (Тс) 4,5 В, 10 В 4,5 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 111 НК @ 10 В ±20 В 7051 пФ при 15 В - 100 Вт (Тс)
GC080N65QF Goford Semiconductor GC080N65QF 8.7200
запросить цену
ECAD 2618 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247 скачать Соответствует RoHS Непригодный REACH не касается 3141-GC080N65QF EAR99 8541.29.0000 30 N-канал 650 В 50А (Тс) 10 В 80 мОм при 16 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 100 НК при 10 В ±30 В 4900 пФ при 380 В - 298 Вт (Тс)
GT250P10T Goford Semiconductor ГТ250П10Т 1,7500
запросить цену
ECAD 2111 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует RoHS REACH не касается 3141-ГТ250П10Т EAR99 8541.29.0000 50 P-канал 100 В 56А (Тс) 10 В 30 мОм при 10 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 73 НК при 10 В ±20 В 4059 пФ при 50 В - 173,6 Вт (Тс)
G300P06S Goford Semiconductor Г300П06С 0,5900
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0000 4000 P-канал 60 В 12А (Тс) 10 В 30 мОм при 8 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 49 НК при 10 В ±20 В 2719 пФ при 30 В - 3 Вт (Тс)
GT090N06K Goford Semiconductor GT090N06K 0,8800
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3141-ГТ090Н06КТР EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 В 45А (Тс) 4,5 В, 10 В 9 мОм при 14 А, 10 В 2,4 В при 250 мкА 22 НК при 10 В ±20 В 1088 пФ при 30 В - 52 Вт (Тс)
G75P04FI Goford Semiconductor G75P04FI 1,2700
запросить цену
ECAD 7687 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220Ф - Соответствует RoHS EAR99 8541.29.0000 50 P-канал 40 В 60А (Тс) 4,5 В, 10 В 7 МОм при 10 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 106 НК при 10 В ±20 В 6275 пФ при 20 В - 89 Вт (Тс)
G05NP10S Goford Semiconductor Г05НП10С 0,2116
запросить цену
ECAD 4363 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 3 Вт (Тс), 2,5 Вт (Тс) 8-СОП - Соответствует RoHS REACH не касается 3141-Г05НП10СТР EAR99 8541.29.0000 4000 - 100В 5А (Тс), 6А (Тс) 170 мОм при 1 А, 10 В, 200 мОм при 6 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 18 нк при 10 В, 25 нк при 10 В 797пФ при 25В, 760пФ при 25В Стандартный
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе