SIC
close

Траншистор (324)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
G080P06M Goford Semiconductor G080P06M 1.8900
RFQ
 ECAD 301 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 П-канал 60 195a (TC) 10 В 7,5mohm @ 20a, 10 В 4 В @ 250 мк 186 NC @ 10 V ± 20 В. 15870 pf @ 30 v - 294W (TC)
G160N04K Goford Semiconductor G160N04K 0,4900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Goford Semiconductor Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH Ear99 8541.29.0000 2500 N-канал 40 25a (TC) 4,5 В, 10. 15mohm @ 8a, 10v 2 В @ 250 мк 20 NC @ 10 V ± 20 В. 1010 pf @ 20 v Станода 43 Вт (TC)
GT013N04TI Goford Semiconductor GT013N04TI 1.4800
RFQ
 ECAD 76 0,00000000 Goford Semiconductor Сержант Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА ROHS COMPRINT 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0000 50 N-канал 40 220A (TC) 10 В 2,5mohm @ 30a, 10 В 5 w @ 250 мк 50 NC @ 10 V ± 20 В. 3986 PF @ 20 V Станода 90 Вт (TC)
G7K2N20HE Goford Semiconductor G7K2N20HE 0,4900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Goford Semiconductor Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH Ear99 8541.29.0000 2500 N-канал 200 2а (TC) 4,5 В, 10. 700mohm @ 1a, 10v 2,5 -50 мк 10,8 NC @ 10 V ± 20 В. 568 pf @ 100 v Станода 1,8 м (TC)
G120P03S2 Goford Semiconductor G120P03S2 0,8000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Goford Semiconductor Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) G120 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,4 yt (tc) 8-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH Ear99 8541.29.0000 4000 30 16a (TC) 14mohm @ 10a, 10 В 2,5 -50 мк 35NC @ 10V 2835pf @ 15v Станода
G200P04S2 Goford Semiconductor G200P04S2 0,9100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Goford Semiconductor Грлин Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) G200 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2,1 м (TC) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 40 9А (TC) 20mohm @ 7a, 10v 2,5 -50 мк 42NC @ 10V 2365pf @ 20 a. -
G040P04T Goford Semiconductor G040P04T 1.9400
RFQ
 ECAD 4493 0,00000000 Goford Semiconductor - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH 3141-G040P04T Ear99 8541.29.0000 50 П-канал 40 222a (TC) 4,5 В, 10. 3,7mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 206 NC @ 10 V ± 20 В. 15087 PF @ 20 V - 312W (TC)
GT180P08T Goford Semiconductor GT180P08T 1.7100
RFQ
 ECAD 5202 0,00000000 Goford Semiconductor - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH 3141-GT180P08T Ear99 8541.29.0000 50 П-канал 40 89a (TC) 4,5 В, 10. 17mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 62 NC @ 10 V ± 20 В. 6040 pf @ 40 v - 245W (TC)
G080N10M Goford Semiconductor G080N10M 2.0300
RFQ
 ECAD 9611 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH Ear99 8541.29.0000 1000 N-канал 100 180a (TC) 4,5 В, 10. 7,5mohm @ 30a, 10 В 2,5 -50 мк 107 NC @ 4,5 ± 20 В. 13950 pf @ 50 v - 370 м (TC)
18N20F Goford Semiconductor 18n20f 0,4150
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Goford Semiconductor - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 50 N-канал 200 18а (TC) 10 В 190mohm @ 9a, 10v 3 В @ 250 мк 17,7 NC @ 10 V ± 20 В. 836 PF @ 25 V - 110 yt (tc)
G26P04K Goford Semiconductor G26P04K 0,1710
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 40 26a (TC) 4,5 В, 10. 18mohm @ 10a, 10 В 2,5 -50 мк 42 NC @ 10 V ± 20 В. - 80 Вт (TC)
G400P06T Goford Semiconductor G400P06T -
RFQ
 ECAD 2550 0,00000000 Goford Semiconductor Грлин Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 П-канал 60 32A (TC) 10 В 40mohm @ 12a, 10v 3 В @ 250 мк 46 NC @ 10 V ± 20 В. 2598 PF @ 30 V - 110 yt (tc)
G12P10KE Goford Semiconductor G12P10KE 0,1620
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Goford Semiconductor Грлин Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 2500 П-канал 100 12a (TC) 4,5 В, 10. 200 месяцев @ 6a, 10v 3 В @ 250 мк 33 NC @ 10 V ± 20 В. 1720 pf @ 50 v - 57W (TC)
G220P02D2 Goford Semiconductor G220p02d2 0,0790
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-dfn (2x2) СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH Ear99 8541.29.0000 3000 П-канал 20 8a (TC) 4,5 В, 10. 20mohm @ 6a, 10 В 1,2- 250 мк 14 NC @ 10 V ± 12 В. 1873 PF @ 10 V - 3,5 yt (tc)
G1K3N10G Goford Semiconductor G1K3N10G 0,0990
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-89 СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH Ear99 8541.29.0000 1000 N-канал 100 5А (TC) 4,5 В, 10. 130mohm @ 5a, 10v 2 В @ 250 мк 20 NC @ 10 V ± 20 В. 644 PF @ 50 V - 1,5 yt (tc)
5P40 Goford Semiconductor 5p40 0,0440
RFQ
 ECAD 90 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 40 5.3a (TA) 4,5 В, 10. 85mohm @ 5a, 10 В 3 В @ 250 мк 14 NC @ 10 V ± 20 В. 650 pf @ 20 v - 2W (TA)
GT025N06D5 Goford Semiconductor GT025N06D5 0,6630
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (5,2x5,86) СКАХАТА 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 95A (TC) 4,5 В, 10. 2,7mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 93 NC @ 10 V ± 20 В. 5950 PF @ 25 V - 120 Вт (TC)
G28N03D3 Goford Semiconductor G28N03D3 0,0920
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (315x3,05) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 30 28a (TC) 4,5 В, 10. 12mohm @ 16a, 10v 2,5 -50 мк 15 NC @ 10 V ± 20 В. 891 PF @ 15 V - 20,5 yt (tc)
G65P06K Goford Semiconductor G65P06K 0,4030
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 60 65A (TC) 10 В 18mohm @ 20a, 10 В 3,5 В @ 250 мк 75 NC @ 10 V ± 20 В. 5814 PF @ 25 V - 130 Вт (TC)
G800N06S2 Goford Semiconductor G800N06S2 0,0970
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,7 м (TC) 8-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH Ear99 8541.29.0000 4000 2 n-канал 60 3a (TC) 80mohm @ 3a, 10v 1,2- 250 мк 6NC @ 10V 458PF @ 30V Станода
G4953S Goford Semiconductor G4953S 0,0970
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) G4953 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2,5 yt (TC) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 30 5А (TC) 60mohm @ 5a, 10v 3 В @ 250 мк 11NC @ 10V 520pf @ 15v -
G080P06T Goford Semiconductor G080p06t -
RFQ
 ECAD 4714 0,00000000 Goford Semiconductor - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 П-канал 60 195a (TC) 10 В 7,5mohm @ 20a, 10 В 4 В @ 250 мк 186 NC @ 10 V ± 20 В. 15195 PF @ 30 V - 294W (TC)
GT023N10M Goford Semiconductor GT023N10M 2.2195
RFQ
 ECAD 2797 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 - ROHS COMPRINT DOSTISH 3141-GT023N10MTR Ear99 8541.29.0000 800 N-канал 100 140a (TC) 10 В 2,7mohm @ 20a, 10 В 4,3 -пса 250 мк 90 NC @ 10 V ± 20 В. 8050 pf @ 50 v - 500 м (TC)
GT040N04D5I Goford Semiconductor GT040N04D5I 0,3119
RFQ
 ECAD 6687 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (4,9x5,75) СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH 3141-GT040N04D5ITR Ear99 8541.29.0000 5000 N-канал 40 110A (TC) 4,5 В, 10. 3,5mohm @ 10a, 10 В 2,5 -50 мк 50 NC @ 10 V ± 20 В. 2298 pf @ 20 v - 160 Вт (TC)
G06N02H Goford Semiconductor G06N02H 0,0975
RFQ
 ECAD 9583 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 - ROHS COMPRINT DOSTISH 3141-G06N02HTR Ear99 8541.29.0000 2500 N-канал 20 6А (TC) 2,5 В, 4,5 В. 14.3mohm @ 3a, 4,5 900 мВ @ 250 мк 12,5 NC @ 10 V ± 12 В. 1140 pf @ 10 v - 1,8 м (TC)
G28N02T Goford Semiconductor G28N02T 0,4942
RFQ
 ECAD 9545 0,00000000 Goford Semiconductor - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 - ROHS COMPRINT DOSTISH 3141-G28N02T Ear99 8541.29.0000 50 N-канал 20 28a (TC) 2,5 В, 4,5 В. 7,3mohm @ 12a, 4,5 900 мВ @ 250 мк 42 NC @ 10 V ± 12 В. 2000 PF @ 10 V - 2,5 yt (TC)
GT100N12K Goford Semiconductor GT100N12K 1.6700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА ROHS COMPRINT 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0000 2500 N-канал 120 65A (TC) 10 В 12mohm @ 35a, 10v 3,5 В @ 250 мк 50 NC @ 10 V ± 20 В. 2911 pf @ 60 - 75W (TC)
GT700P08K Goford Semiconductor GT700P08K 0,8200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА ROHS COMPRINT 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0000 2500 П-канал 60 20А (TC) 10 В 72mohm @ 2a, 10 В 3,5 В @ 250 мк 75 NC @ 10 V ± 20 В. 1615 PF @ 40 V - 125W (TC)
GT025N06AM6 Goford Semiconductor GT025N06AM6 1.3230
RFQ
 ECAD 9062 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-7, D²PAK (6 SVINOW + nwaudka) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263-6 - ROHS COMPRINT DOSTISH 3141-GT025N06AM6TR Ear99 8541.29.0000 800 N-канал 60 170a (TC) 4,5 В, 10. 2mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 70 NC @ 10 V ± 20 В. 5058 PF @ 30 V - 215W (TC)
G58N06K Goford Semiconductor G58N06K 0,6400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА ROHS COMPRINT 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0000 2500 N-канал 60 58a (TC) 4,5 В, 10. 13mohm @ 30a, 10 В 2,5 -50 мк 36 NC @ 10 V ± 20 В. 2841 PF @ 30 V - 71 Вт (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть