- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Транзисторы(23)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Конфигурация | Тип полярного транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | ВГС (Макс) | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Особенность левого транзистора | Рассеиваемая мощность (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ФБГ20Н04АШ | 408.3100 |  | 1476 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | e-GaN® | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | - | 1 (без блокировки) | 4107-ФБГ20Н04АШ | 0000.00.0000 | 1 | N-канал | 200 В | 4А (Тс) | 5В | 130 мОм при 4 А, 5 В | 2,8 В при 1 мА | 3 НК при 5 В | +6В, -4В | 150 пФ при 100 В | - | - | ||||||
 | ФБГ10Н30ВС | 299.1500 | | 149 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | - | Непригодный | 4107-ФБГ10Н30ВС | 0000.00.0000 | 154 | N-канал | 100 В | 30А (Тс) | 5В | 9 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В при 5 мА | 11 нк @ 5 В | +6В, -4В | 1000 пФ при 50 В | - | - | |||||
 | FBG30N04CC | 330,6400 | | 99 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | - | Непригодный | 4107-ФБГ30Н04КК | 0000.00.0000 | 169 | N-канал | 300 В | 4А (Тс) | 5В | 404 мОм при 4 А, 5 В | 2,8 В при 600 мкА | 2,6 НК при 5 В | +6В, -4В | 450 пФ при 150 В | - | - | |||||
| FBG30N04CSH | 421.3000 | | 50 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | ЭГАН® | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | - | 4-СМД | - | 1 (без блокировки) | 4107-ФБГ30Н04СШ | 9А515Е1 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N-канала | 300В | 4А (Тс) | 404 мОм при 4 А, 5 В | 2,8 В при 600 мкА | 2,6 НК при 5 В | 450пФ при 150В | - | ||||||
 | EPC7014UBC | 199,9600 | | 2 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | e-GaN® | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | ЕПК7014 | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | - | 1 (без блокировки) | 4107-EPC7014UBC | 0000.00.0000 | 169 | N-канал | 60 В | 1А (Тс) | 5В | 580 мОм при 1 А, 5 В | 2,5 В @ 140 мкА | +7В, -4В | 22 пФ при 30 В | - | - | |||||
| ФБГ04Н08АШ | 408.3100 | | 4502 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | e-GaN® | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | - | 1 (без блокировки) | 4107-ФБГ04Н08АШ | 0000.00.0000 | 1 | N-канал | 40 В | 8А (Тс) | 5В | 24 мОм при 8 А, 5 В | 2,5 В при 2 мА | 2,8 НК при 5 В | +6В, -4В | 312 пФ при 20 В | - | - | |||||
| ФБГ20Н18БШ | 408.3100 | | 25 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | e-GaN® | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | - | 1 (без блокировки) | 4107-ФБГ20Н18БШ | 0000.00.0000 | 1 | N-канал | 200 В | 18А (Тс) | 5В | 28 мОм при 18 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 7 нк @ 5 В | +6В, -4В | 900 пФ при 100 В | - | - | |||||
| EPC7004BC | 329,3500 | | 137 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | - | Поднос | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | ЕПК7004 | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | - | 1 (без блокировки) | 4107-EPC7004BC | 0000.00.0000 | 1 | N-канал | 100 В | 30А (Тс) | 5В | 13 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В @ 7 мА | 7 нк @ 5 В | +6В, -4В | 797 пФ при 50 В | - | - | ||||
| EPC7003AC | 329,3500 | | 150 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | - | 1 (без блокировки) | 0000.00.0000 | 1 | N-канал | 100 В | 10А (Тс) | 10 В | 1,5 НК при 5 В | +6В, -4В | 168 пФ при 50 В | - | - | ||||||||
| EPC7014УБШ | 265,8900 | | 5001 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | e-GaN® | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | - | 1 (без блокировки) | 4107-EPC7014УБШ | 0000.00.0000 | 1 | N-канал | 60 В | 1А (Тс) | 5В | 580 мОм при 1 А, 5 В | 2,5 В @ 140 мкА | - | 22 пФ при 30 В | - | - | ||||||
 | EPC7018GC | 329,3500 | | 146 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | ЭГАН® | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 5-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 5-СМД | скачать | 1 (без блокировки) | 0000.00.0000 | 1 | N-канал | 100 В | 80А (Тс) | 5В | 6 мОм при 40 А, 5 В | 2,5 В при 12 мА | 11,7 НК при 5 В | +6В, -4В | 1240 пФ при 50 В | - | - | ||||||
 | ФБГ20Н18ВС | 299.1500 | | 157 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | - | Непригодный | 4107-ФБГ20Н18ВС | 0000.00.0000 | 154 | N-канал | 200 В | 18А (Тс) | 5В | 26 мОм при 18 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 6 нк @ 5 В | +6В, -4В | 900 пФ при 100 В | - | - | |||||
 | ФБГ04Н08АС | 299.1500 | | 80 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | - | Непригодный | 4107-FBG04N08AC | 0000.00.0000 | 169 | N-канал | 40 В | 8А (Тс) | 5В | 24 мОм при 8 А, 5 В | 2,5 В при 2 мА | 2,8 НК при 5 В | +6В, -4В | 312 пФ при 20 В | - | - | |||||
| ФБГ20Н04АС | 299.1500 | | 5695 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | ЭГАН® | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | ВБГ20 | МОП-транзистор (оксид металла) | - | 4-СМД | скачать | Непригодный | 4107-ФБГ20Н04АК | 0000.00.0000 | 169 | - | 200В | 4А (Тс) | 130 мОм при 4 А, 5 В | 2,8 В при 1 мА | 3нК при 5 В | 150пФ при 100В | Ворота логического уровня | ||||||
| ФБГ10Н05АШ | 408.3100 | | 25 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | ЭГАН® | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | - | 1 (без блокировки) | 4107-ФБГ10Н05АШ | 0000.00.0000 | 1 | N-канал | 100 В | 5А (Тс) | 5В | 45 мОм при 5 А, 5 В | 2,5 В при 1,2 мА | 2,2 НК при 5 В | +6В, -4В | 233 пФ при 50 В | - | - | |||||
| ФБГ04Н30БШ | 408.3100 | | 25 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | e-GaN® | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | - | 1 (без блокировки) | 4107-ФБГ04Н30БШ | 0000.00.0000 | 1 | N-канал | 40 В | 30А (Тс) | 5В | 9 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В при 9 мА | 11,4 НК при 5 В | +6В, -4В | 1300 пФ при 20 В | - | - | |||||
 | ФБГ10Н05АС | 299.1500 | | 169 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | скачать | Непригодный | 4107-ФБГ10Н05АК | 0000.00.0000 | 169 | N-канал | 100 В | 5А (Тс) | 5В | 44 мОм при 5 А, 5 В | 2,5 В при 1,2 мА | 2,2 НК при 5 В | +6В, -4В | 233 пФ при 50 В | - | - | |||||
| EPC7019GC | 329,3500 | | 138 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | ЭГАН® | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 5-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 5-СМД | скачать | 1 (без блокировки) | 0000.00.0000 | 1 | N-канал | 40 В | 80А (Тс) | 5В | 4 мОм при 50 А, 5 В | 2,5 В при 18 мА | +6В, -4В | 2830 пФ при 20 В | - | - | |||||||
| EPC7020GC | 329,3500 | | 50 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | ЭГАН® | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 5-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 5-СМД | скачать | 1 (без блокировки) | 0000.00.0000 | 1 | N-канал | 200 В | 80А (Тс) | 5В | 14,5 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В @ 7 мА | +6В, -4В | 1313 пФ при 100 В | - | - | |||||||
| EPC7007BC | 329,3500 | | 150 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | e-GaN® | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | ЕПК7007 | МОП-транзистор (оксид металла) | 4-СМД | - | 1 (без блокировки) | 4107-EPC7007BC | 0000.00.0000 | 1 | N-канал | 200 В | 18А (Тс) | 5В | 28 мОм при 18 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 5,4 нк при 5 В | +6В, -4В | 525 пФ при 100 В | - | - | ||||
| EPC7020GSH | 470.2100 | | 4166 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | ЭГАН® | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 5-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 5-СМД | - | 1 (без блокировки) | 4107-EPC7020ГШ | 0000.00.0000 | 1 | N-канал | 200 В | 80А (Тс) | 5В | 14,5 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В @ 7 мА | 13,5 НК при 100 В | +6В, -4В | 1313 пФ при 100 В | - | - | |||||
 | FBG04N30BC | 299.1500 | | 54 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | ФСМД-Б | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | скачать | Непригодный | 4107-FBG04N30BC | 0000.00.0000 | 154 | N-канал | 40 В | 30А (Тс) | 5В | 9 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В при 9 мА | 11,4 НК при 5 В | +6В, -4В | 1300 пФ при 20 В | - | - | |||||
| ФБГ10Н30БШ | 408.3100 | | 7903 | 0,00000000 | ЭПК Спейс, ООО | ЭГАН® | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, без свинца | GaNFET (нитрид галлия) | 4-СМД | - | 1 (без блокировки) | 4107-ФБГ10Н30БШ | 0000.00.0000 | 1 | N-канал | 100 В | 30А (Тс) | 5В | 12 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В при 5 мА | 11 нк @ 5 В | +6В, -4В | 1000 пФ при 50 В | - | - |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)