SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.)
P3M12080K4 PN Junction Semiconductor П3М12080К4 11.9000
запросить цену
ECAD 9034 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12080К4 1 N-канал 1200 В 47А 15 В 96 мОм при 20 А, 15 В 2,4 В @ 5 мА (тип.) +21В, -8В - 221 Вт
P3M12017K4 PN Junction Semiconductor П3М12017К4 39.7500
запросить цену
ECAD 7138 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12017К4 1 N-канал 1200 В 151А 15 В 24 мОм при 75 А, 15 В 2,5 В при 75 мА (тип.) +25В, -10В - 789 Вт
P3M07013K4 PN Junction Semiconductor P3M07013K4 33,9000
запросить цену
ECAD 4850 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М07013К4 1 N-канал 750 В 140А 15 В 16 мОм при 75 А, 15 В 2,2 В при 75 мА (тип.) +19В, -8В - 428 Вт
P3M12040K4 PN Junction Semiconductor П3М12040К4 20.9800
запросить цену
ECAD 2699 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12040К4 1 N-канал 1200 В 63А 15 В 48 мОм при 40 А, 15 В 2,2 В при 40 мА (тип.) +21В, -8В - 349 Вт
P3M12080G7 PN Junction Semiconductor P3M12080G7 11.9000
запросить цену
ECAD 1610 г. 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА SiCFET (карбид кремния) Д2ПАК-7 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12080Г7ТР 1 N-канал 1200 В 32А 15 В 96 мОм при 20 А, 15 В 2,2 В при 30 мА (тип.) +19В, -8В - 136 Вт
P3M06120K4 PN Junction Semiconductor P3M06120K4 9.0500
запросить цену
ECAD 2705 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06120К4 1 N-канал 650 В 27А 15 В 158 мОм при 10 А, 15 В 2,2 В @ 5 мА +20В, -8В - 131 Вт
PAA12400BM3 PN Junction Semiconductor ПАА12400БМ3 882.3600
запросить цену
ECAD 3564 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход - Поднос Активный -40°С ~ 175°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль ПАА12400 Карбид кремния (SiC) - Модуль скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-ПАА12400БМ3 1 2 Н-канала (полумост) 1200 В (1,2 кВ) 350А 7,3 мОм при 300 А, 20 В 5 В при 100 мА - 29,5 пФ при 1000 В -
P3M171K2K3 PN Junction Semiconductor П3М171К2К3 5.5900
запросить цену
ECAD 2230 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М171К2К3 1 N-канал 1700 В 15 В 1,4 Ом при 2 А, 15 В 2,2 В @ 2 мА (тип.) +19В, -8В - 68 Вт
P1H06300D8 PN Junction Semiconductor P1H06300D8 4.9800
запросить цену
ECAD 7689 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж GaNFET (нитрид галлия) ДФН8*8 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P1H06300D8TR 1 N-канал 650 В 10А - +10 В, -20 В - 55,5 Вт
P3M06120K3 PN Junction Semiconductor P3M06120K3 9.0500
запросить цену
ECAD 6996 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06120К3 1 N-канал 650 В 27А 15 В 158 мОм при 10 А, 15 В 2,2 В @ 5 мА +20В, -8В - 131 Вт
P3M12040K3 PN Junction Semiconductor П3М12040К3 20.9800
запросить цену
ECAD 8887 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12040К3 EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 1200 В 63А 15 В 48 мОм при 40 А, 15 В 2,2 В при 40 мА (тип.) +21В, -8В - 349 Вт
P3M06040K3 PN Junction Semiconductor P3M06040K3 12.1700
запросить цену
ECAD 2030 год 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06040К3 EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 650 В 68А 15 В 50 мОм при 40 А, 15 В 2,4 В @ 7,5 мА (тип.) +20В, -8В - 254 Вт
P3M06060K3 PN Junction Semiconductor P3M06060K3 10.3800
запросить цену
ECAD 9755 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06060К3 1 N-канал 650 В 48А 15 В 79 мОм при 20 А, 15 В 2,2 В при 20 мА (тип.) +20В, -8В - 188 Вт
P3M171K0F3 PN Junction Semiconductor П3М171К0Ф3 6.1000
запросить цену
ECAD 2987 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220Ф-2 SiCFET (карбид кремния) ТО-220Ф-2Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М171К0Ф3 1 N-канал 1700 В 5,5 А 15 В 1,4 Ом при 2 А, 15 В 2,2 В @ 2 мА (тип.) +19В, -8В - 51 Вт
P3M173K0T3 PN Junction Semiconductor П3М173К0Т3 5.0800
запросить цену
ECAD 8943 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-2 SiCFET (карбид кремния) ТО-220-2Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М173К0Т3 EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 1700 В 15 В 2,6 Ом при 600 мА, 15 В 2,2 В при 600 мкА (тип.) +19В, -8В - 75 Вт
P3M17040K4 PN Junction Semiconductor P3M17040K4 35.8600
запросить цену
ECAD 4762 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М17040К4 1 N-канал 1700 В 73А 15 В 60 мОм при 50 А, 15 В 2,2 В при 50 мА (тип.) +19В, -8В - 536 Вт
P3M06060K4 PN Junction Semiconductor P3M06060K4 10.3800
запросить цену
ECAD 7995 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06060К4 1 N-канал 650 В 48А 15 В 79 мОм при 20 А, 15 В 2,4 В @ 5 мА (тип.) +20В, -8В - 188 Вт
P3M06300D8 PN Junction Semiconductor P3M06300D8 4.9800
запросить цену
ECAD 7160 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДФН8*8 SiCFET (карбид кремния) ДФН8*8 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06300Д8ТР 1 N-канал 650 В 15 В 500 мОм при 4,5 А, 15 В 2,2 В @ 5 мА +20В, -8В - 32 Вт
P3M173K0K3 PN Junction Semiconductor П3М173К0К3 5.0800
запросить цену
ECAD 6554 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М173К0К3 1 N-канал 1700 В 15 В 3,6 Ом при 600 мА, 15 В 2,2 В при 600 мкА (тип.) +19В, -8В - 63 Вт
P3M171K0G7 PN Junction Semiconductor П3М171К0Г7 6.1000
запросить цену
ECAD 7429 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА SiCFET (карбид кремния) Д2ПАК-7 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М171К0Г7 EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 1700 В 15 В 1,4 Ом при 2 А, 15 В 2,2 В @ 2 мА (тип.) +19В, -8В - 100 Вт
P3M06300T3 PN Junction Semiconductor P3M06300T3 4.9800
запросить цену
ECAD 7695 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-2 SiCFET (карбид кремния) ТО-220-2Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06300Т3 1 N-канал 650 В 15 В 500 мОм при 4,5 А, 15 В 2,2 В @ 5 мА +20В, -8В - 35 Вт
P3M12025K3 PN Junction Semiconductor П3М12025К3 28.7400
запросить цену
ECAD 2069 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12025К3 1 N-канал 1200 В 113А 15 В 35 мОм при 50 А, 15 В 2,4 В @ 17,7 мА (тип.) +21В, -10В - 524 Вт
P3M12025K4 PN Junction Semiconductor P3M12025K4 28.7400
запросить цену
ECAD 30 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12025К4 1 N-канал 1200 В 112А 15 В 35 мОм при 50 А, 15 В 2,2 В при 50 мА (тип.) +19В, -8В - 577 Вт
P3M12160K3 PN Junction Semiconductor П3М12160К3 8.8300
запросить цену
ECAD 8824 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12160К3 EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 1200 В 19А 15 В 192 мОм при 10 А, 15 В 2,4 В @ 2,5 мА (тип.) +21В, -8В - 110 Вт
P3M12160K4 PN Junction Semiconductor П3М12160К4 8.8300
запросить цену
ECAD 9289 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12160К4 1 N-канал 1200 В 19А 15 В 192 мОм при 10 А, 15 В 2,4 В @ 2,5 мА (тип.) +21В, -8В - 110 Вт
P3M06060T3 PN Junction Semiconductor P3M06060T3 10.3800
запросить цену
ECAD 8146 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-2 SiCFET (карбид кремния) ТО-220-2Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06060Т3 1 N-канал 650 В 46А 15 В 79 мОм при 20 А, 15 В 2,2 В при 20 мА (тип.) +20В, -8В - 170 Вт
P3M173K0F3 PN Junction Semiconductor П3М173К0Ф3 5.0800
запросить цену
ECAD 8624 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220Ф-2 SiCFET (карбид кремния) ТО-220Ф-2Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М173К0Ф3 1 N-канал 1700 В 1,97А 15 В 3,6 Ом при 0,25 А, 15 В 2,2 В @ 1,5 мА (тип.) +19В, -8В - 19 Вт
P3M12040G7 PN Junction Semiconductor P3M12040G7 20.9800
запросить цену
ECAD 8324 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА SiCFET (карбид кремния) Д2ПАК-7 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12040Г7ТР 1 N-канал 1200 В 69А 15 В 53 мОм при 40 А, 15 В 2,2 В при 40 мА (тип.) +19В, -8В - 357 Вт
P3M06300D5 PN Junction Semiconductor P3M06300D5 4.9800
запросить цену
ECAD 4032 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ДФН5*6 SiCFET (карбид кремния) ДФН5*6 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06300Д5ТР 1 N-канал 650 В 15 В 500 мОм при 4,5 А, 15 В 2,2 В @ 5 мА +20В, -8В - 26 Вт
P3M06060G7 PN Junction Semiconductor P3M06060G7 10.3800
запросить цену
ECAD 7390 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА SiCFET (карбид кремния) Д2ПАК-7 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06060Г7ТР EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 650 В 44А 15 В 79 мОм при 20 А, 15 В 2,2 В при 20 мА (тип.) +20В, -8В - 159 Вт
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе