SIC
close

Траншисторб (3861)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) В конце Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
2ST501T STMicroelectronics 2st501t 1.5900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2st501 100 y ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 350 4 а 100 мк Npn - дарлино 1,5 - @ 2ma, 2a 2000 @ 2a, 2v -
BULB49DT4 STMicroelectronics Bulb49dt4 -
RFQ
 ECAD 3210 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Bulb49 80 Вт D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 450 5 а 100 мк Npn 1,2 - @ 800 мА, 4а 4 @ 7a, 10 В -
BULD742CT4 STMicroelectronics Buld742ct4 1.1100
RFQ
 ECAD 8624 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Buld742 45 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 400 4 а 250 мк Npn 1,5 - @ 1a, 3,5a 25 @ 800ma, 3v -
STP8NS25 STMicroelectronics STP8NS25 -
RFQ
 ECAD 1903 0,00000000 Stmicroelectronics Степень № Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP8N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 250 8a (TC) 10 В 450mohm @ 4a, 10v 4 В @ 250 мк 51,8 NC @ 10 V ± 20 В. 770 pf @ 25 v - 80 Вт (TC)
STW36NM60ND STMicroelectronics STW36NM60ND 5.2227
RFQ
 ECAD 4438 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, FDMESH ™ II Трубка Прохл 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STW36 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 600 29А (TC) 10 В 110mohm @ 14.5a, 10v 5 w @ 250 мк 80,4 NC @ 10 V ± 25 В 2785 pf @ 50 v - 190 Вт (ТС)
STD815CP40 STMicroelectronics STD815CP40 -
RFQ
 ECAD 1459 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо - Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) Std815 2,6 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 400 1,5а 1MA NPN, Pnp 1- @ 50 май, 350 мая 16 @ 350 май, 5в -
SD2931-10 STMicroelectronics SD2931-10 -
RFQ
 ECAD 8802 0,00000000 Stmicroelectronics - Коробка Управо 125 M174 SD2931 175 мг МОСС M174 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 20 часов 250 май 150 Вт 15 дБ - 50
STF30NM60N STMicroelectronics STF30NM60N -
RFQ
 ECAD 8746 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- STF30N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 25a (TC) 10 В 130mohm @ 12.5a, 10v 4 В @ 250 мк 91 NC @ 10 V ± 30 v 2700 pf @ 50 v - 40 yt (tc)
SD1433 STMicroelectronics SD1433 -
RFQ
 ECAD 4293 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Управо 200 ° C (TJ) ШAsci, Стало M122 SD1433 58 Вт M122 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 40 7 дБ 16 2.5A Npn 10 @ 1a, 5v - -
L6221CD STMicroelectronics L6221CD -
RFQ
 ECAD 5224 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) 16221 - 20 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 40 60 1.2a - 4 NPN Darlington (Quad) - - -
STAC1214-250 STMicroelectronics Stac1214-250 -
RFQ
 ECAD 3499 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 80 ШASCI Stac265b Stac1214 1,2 Гер LDMOS Stac265b СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0075 90 2 мка 260 Вт 14 дБ -
BU508AFI STMicroelectronics BU508afi -
RFQ
 ECAD 3102 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru Иоватт-218-3 BU508 50 st Иоватт-218fx СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 300 700 8 а 1MA Npn 1V @ 2a, 4.5a - 7 мг
STF20NF20 STMicroelectronics STF20NF20 1.9800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- STF20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-5811-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 200 18а (TC) 10 В 125mohm @ 10a, 10v 4 В @ 250 мк 39 NC @ 10 V ± 20 В. 940 pf @ 25 v - 30 yt (tc)
STP10N105K5 STMicroelectronics STP10N105K5 3.6900
RFQ
 ECAD 6227 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ K5 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 1050 6А (TC) 10 В 1,3 О МОМ @ 3А, 10 В 5 w @ 100 мк 21,5 NC @ 10 V 30 545 pf @ 100 v - 130 Вт (TC)
TR236 STMicroelectronics TR236 -
RFQ
 ECAD 4882 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TR236 70 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 400 4 а 250 мк Npn 1,3 -пр. 600 май, 2,5а 8 @ 2,5a, 5в -
STU6NF10 STMicroelectronics Stu6nf10 -
RFQ
 ECAD 5632 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Трубка Актифен -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА Stu6nf10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251 (ipak) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 100 6А (TC) 10 В 250mohm @ 3a, 10 В 4 В @ 250 мк 14 NC @ 10 V ± 20 В. 280 pf @ 25 v - 30 yt (tc)
STB50NF25 STMicroelectronics STB50NF25 -
RFQ
 ECAD 8919 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STB50N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 250 45A (TC) 10 В 69mohm @ 22a, 10v 4 В @ 250 мк 68,2 NC @ 10 V ± 20 В. 2670 pf @ 25 v - 160 Вт (TC)
STB23N80K5 STMicroelectronics STB23N80K5 5.2600
RFQ
 ECAD 564 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ K5 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STB23 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 800 В 16a (TC) 10 В 280mohm @ 8a, 10 В 5 w @ 100 мк 33 NC @ 10 V ± 30 v 1000 pf @ 100 v - 190 Вт (ТС)
STP5NK80Z STMicroelectronics STP5NK80Z 2.3000
RFQ
 ECAD 5499 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP5NK80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 800 В 4.3a (TC) 10 В 2.4OM @ 2.15A, 10 В 4,5 -пр. 100 мк 45,5 NC @ 10 V ± 30 v 910 pf @ 25 v - 110 yt (tc)
STP180N4F6 STMicroelectronics STP180N4F6 2.1300
RFQ
 ECAD 167 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ F6 Трубка Актифен - Чereз dыru 220-3 STP180 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 40 120A (TC) 4,5 В, 10. - - ± 20 В. - 190 Вт (ТС)
STP80PF55 STMicroelectronics STP80PF55 -
RFQ
 ECAD 2782 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP80P МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 П-канал 55 80a (TC) 10 В 18mohm @ 40a, 10 В 4 В @ 250 мк 258 NC @ 10 V ± 16 В. 5500 PF @ 25 V - 300 м (TC)
STB120N4LF6 STMicroelectronics STB120N4LF6 2.9100
RFQ
 ECAD 602 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, DeepGate ™, Stripfet ™ VI Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STB120 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 40 80a (TC) 5 В, 10 В. 4mohm @ 40a, 10v 3 В @ 250 мк 80 NC @ 10 V ± 20 В. 4300 pf @ 25 v - 110 yt (tc)
STF35N60DM2 STMicroelectronics STF35N60DM2 6.0300
RFQ
 ECAD 280 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- STF35 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-16358-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 28a (TC) 10 В 110mohm @ 14a, 10v 5 w @ 250 мк 54 NC @ 10 V ± 25 В 2400 pf @ 100 v - 40 yt (tc)
STD2NK100Z STMicroelectronics Std2nk100z 2.5700
RFQ
 ECAD 9923 0,00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Std2nk100 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 1000 1.85a (TC) 10 В 8,5OM @ 900MA, 10 В 4,5 -прри 50 мк 16 NC @ 10 V ± 30 v 499 PF @ 25 V - 70 Вт (TC)
PD85025-E STMicroelectronics PD85025-E -
RFQ
 ECAD 7038 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 40 Powerso-10rf obnaжennannannannannannannannannannannannannannannemyghaneploщaudca (2 cformirowannnnыхprovoDA) PD85025 870 мг LDMOS Powerso-10rf (Сфорировананн С.С. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 7A 300 май 10 st 17.3db - 13,6 В.
STW20N60M2-EP STMicroelectronics STW20N60M2-EP -
RFQ
 ECAD 7227 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STW20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 600 N-канал 600 13a (TC) 10 В 278mohm @ 6,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 21,7 NC @ 10 V ± 25 В 787 pf @ 100 v - 110 yt (tc)
STF6NK70Z STMicroelectronics STF6NK70Z -
RFQ
 ECAD 9953 0,00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- STF6N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 700 5А (TC) 10 В 1,8OM @ 2,5A, 10 В 4,5 -пр. 100 мк 47 NC @ 10 V ± 30 v 930 pf @ 25 v - 30 yt (tc)
STP80NF55L-06 STMicroelectronics STP80NF55L-06 -
RFQ
 ECAD 8249 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 55 80a (TC) 5 В, 10 В. 6,5mohm @ 40a, 10 В 1В @ 250 мк 136 NC @ 5 V ± 16 В. 4850 PF @ 25 V - 300 м (TC)
STB120N4F6 STMicroelectronics STB120N4F6 2.4700
RFQ
 ECAD 8456 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, DeepGate ™, Stripfet ™ VI Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STB120 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 40 80a (TC) 10 В 4mohm @ 40a, 10v 4 В @ 250 мк 65 NC @ 10 V ± 20 В. 3850 PF @ 25 V - 110 yt (tc)
PD57060STR-E STMicroelectronics PD57060Str-E -
RFQ
 ECAD 8310 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Управо 65 PowerSo-10 oTkrыto onhyжne PD57060 945 мг LDMOS PowerSo-10rf (praNehOй cvIneц) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 600 7A 100 май 60 14.3db - 28
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть