SIC
close

Траншисторб (3592)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ ИСЛОВЕЕ ИСПАН Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. Феф Фуанкхия Rascenaonie -vlaasti (mmaks) ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
DTC124TMT2L Rohm Semiconductor DTC124TMT2L 0,3700
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor DTC124T Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 DTC124 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 5 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 22 Kohms
DTC143TU3T106 Rohm Semiconductor DTC143TU3T106 0,2000
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTC143 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 250 мка, 5 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 4.7 Kohms
DTB123ECHZGT116 Rohm Semiconductor DTB123ECHZGT116 0,2700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB123 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 500 май - Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 2,5 май, 50 39 @ 50ma, 5в 200 мг 2.2 Ком 2.2 Ком
DTB114GCT116 Rohm Semiconductor DTB114GCT116 0,3700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB114 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 500NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 2,5 май, 50 56 @ 50ma, 5 В 200 мг 10 Kohms
2SA1774EBTLR Rohm Semiconductor 2SA1774EBTLR 0,3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-89, SOT-490 2SA1774 150 м EMT3F (SOT-416FL) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 5ma, 50 ма 120 @ 1MA, 6V 140 мг
2SAR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2SAR582D3TL1 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 10 st 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 30 10 а 1 мка (ICBO) Pnp 400 мВ @ 200 май, 4а 200 @ 1a, 3v 230 мг
EMH15T2R Rohm Semiconductor EMH15T2R 0,0801
RFQ
 ECAD 2339 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOT-563, SOT-666 EMH15 150 м Emt6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 5 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 47komm -
QS6J3TR Rohm Semiconductor QS6J3TR 0,2436
RFQ
 ECAD 2116 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 QS6J3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,25 Вт TSMT6 (SC-95) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 20 1,5а 215mohm @ 1,5a, 4,5 2V @ 1MA 3NC @ 4,5 270pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
DTC143XUBTL Rohm Semiconductor DTC143XUBTL 0,2000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-85 DTC143 200 м Umt3f СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4.7 Kohms 10 Kohms
2SC4713KT146R Rohm Semiconductor 2SC4713KT146R 0,1007
RFQ
 ECAD 5704 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC4713 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 - 6в 50 май Npn 180 @ 5ma, 5 В 800 мг -
DTC123JUBHZGTL Rohm Semiconductor DTC123Jubhzgtl 0,2200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-85 DTC123 200 м Umt3f СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 100 май - Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2.2 Ком 47 Kohms
QS6J11TR Rohm Semiconductor QS6J11TR 0,6300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 QS6J11 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 600 м TSMT6 (SC-95) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 12 2A 105mohm @ 2a, 4,5 1V @ 1MA 6,5NC @ 4,5 770pf @ 6v Logiчeskichй yrowenhe
DTA043EEBTL Rohm Semiconductor DTA043EEBTL 0,1900
RFQ
 ECAD 8018 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-89, SOT-490 DTA043 150 м EMT3F (SOT-416FL) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май - Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 500 мк, 5 20 @ 5ma, 10 В 250 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RUM003N02T2L Rohm Semiconductor Rum003N02T2L 0,4000
RFQ
 ECAD 162 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SOT-723 Rum003 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 N-канал 20 300 май (таблица) 1,8 В, 4 В 1om @ 300 мА, 4 В 1V @ 1MA ± 8 v 25 pf @ 10 v - 150 м. (ТАК)
RDD050N20TL Rohm Semiconductor RDD050N20TL 1.6700
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте - Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RDD050 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) CPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 200 5а (таблица) 10 В 720mom @ 2,5a, 10 В 4 В @ 1MA 9,3 NC @ 10 V ± 30 v 292 pf @ 10 v - 20 yt (tc)
2SAR562F3TR Rohm Semiconductor 2SAR562F3TR 0,8400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o 2SAR562 1 Вт Huml2020L3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 30 6 а 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 150 май, 3а 200 @ 500 май, 2 В 180 мг
RP1E100XNTR Rohm Semiconductor RP1E100XNTR -
RFQ
 ECAD 7673 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 6-SMD, Плоскильлид RP1E0100 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) MPT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 30 10А (таблица) 4 В, 10 В. 13mohm @ 10a, 10v 2,5 h @ 1ma 11 NC @ 5 V ± 20 В. 800 pf @ 10 v - 2W (TA)
DTD114ESTP Rohm Semiconductor DTD114ESTP -
RFQ
 ECAD 2121 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru SC-72 SFORMIROWOLLYL DTD114 300 м Спт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 50 500 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 2,5 май, 50 56 @ 50ma, 5 В 200 мг 10 Kohms 10 Kohms
2SCR574D3FRATL Rohm Semiconductor 2scr574d3fratl 1,7000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2SCR574 10 st 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 2 а 1 мка (ICBO) Npn 300 мВ @ 50ma, 1a 120 @ 100ma, 3v 280 мг
2SCR552PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SCR552PFRAT100 0,5500
RFQ
 ECAD 703 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SCR552 500 м MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 30 3 а 1 мка (ICBO) Npn 400 мВ @ 50ma, 1a 200 @ 500 май, 2 В 280 мг
EMD9FHAT2R Rohm Semiconductor EMD9FHAT2R 0,0630
RFQ
 ECAD 8631 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOT-563, SOT-666 EMD9FHAT2 150 м Emt6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 - 100 май - 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 10 Комов 47komm
RGT40TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGT40TS65DGC13 9.3200
RFQ
 ECAD 7249 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGT40 Станода 144 Вт DO-247G СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RGT40TS65DGC13 Ear99 8541.29.0095 600 400 В, 20., 10 ч, 15 58 м По -прежнему 650 40 А. 60 а 2.1V @ 15V, 20a - 40 NC 22NS/75NS
DTA123JCAT116 Rohm Semiconductor DTA123JCAT116 0,3800
RFQ
 ECAD 285 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 20 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 2.2 Ком 47 Kohms
RGCL80TS60DGC13 Rohm Semiconductor RGCL80TS60DGC13 6.7500
RFQ
 ECAD 3828 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGCL80 Станода 148 Вт DO-247G СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RGCL80TS60DGC13 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 40:00, 10OM, 15 58 м По -прежнему 600 65 а 160 а 1,8 В @ 15 В, 40a 1,11mj (ON), 1,68MJ (OFF) 98 NC 53NS/227NS
RGT50NS65DGTL Rohm Semiconductor RGT50NS65DGTL 3.4100
RFQ
 ECAD 8949 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB RGT50 Станода 194 Вт LPDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 25а, 10 м, 15 58 м По -прежнему 650 48 а 75 а 2.1V @ 15V, 25a - 49 NC 27ns/88ns
RGWSX2TS65GC13 Rohm Semiconductor RGWSX2TS65GC13 6 8400
RFQ
 ECAD 5230 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGWSX2 Станода 288 Вт DO-247G СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RGWSX2TS65GC13 Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 60 A, 10OM, 15 По -прежнему 650 104 а 180 А. 2V @ 15V, 60a 1,43MJ (ON), 1,2MJ (OFF) 140 NC 55NS/180NS
2SD1758TLR Rohm Semiconductor 2SD1758TLR -
RFQ
 ECAD 6287 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2SD1758 10 st CPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 32 2 а 1 мка (ICBO) Npn 800 мВ @ 200 май, 2а 180 @ 500ma, 3v 100 мг
SH8K22TB1 Rohm Semiconductor SH8K22TB1 0,5410
RFQ
 ECAD 5752 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SH8K22 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,4 yt (tat) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2500 2 n-канал (Дзонано) 45 4.5a (TA) 46mohm @ 4,5a, 10 В 2,5 h @ 1ma 9.6NC @ 5V 550pf @ 10 a. -
RSS100N03FRATB Rohm Semiconductor RSS100N03FRATB 0,9400
RFQ
 ECAD 166 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) RSS100 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 10А (таблица) 4 В, 10 В. 13.3mohm @ 10a, 10v 2,5 h @ 1ma 20 NC @ 5 V ± 20 В. 1070 pf @ 10 v - 2W (TA)
RGT8NL65DGTL Rohm Semiconductor Rgt8nl65dgtl 2.0700
RFQ
 ECAD 972 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB RGT8NL65 Станода 65 Вт LPDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400V, 4A, 50OM, 15 40 млн По -прежнему 650 8 а 12 а 2.1V @ 15V, 4a - 13,5 NC 17ns/69ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть