SIC
close

Траншисторб (3592)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ ИСЛОВЕЕ ИСПАН Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. Феф Фуанкхия Rascenaonie -vlaasti (mmaks) ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
UMH7NTR Rohm Semiconductor Umh7ntr 0,0878
RFQ
 ECAD 6577 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMH7 150 м UMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май - 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 100 @ 1MA, 5 В - 4,7 КОМ -
QST6TR Rohm Semiconductor QST6TR 0,2415
RFQ
 ECAD 8941 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 QST6 500 м TSMT6 (SC-95) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 12 2 а 100NA (ICBO) Pnp 180mv @ 50ma, 1a 270 @ 200ma, 2v 360 мг
RSQ030P03TR Rohm Semiconductor RSQ030P03TR 0,2862
RFQ
 ECAD 6408 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 RSQ030 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TSMT6 (SC-95) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 30 3a (TA) 4 В, 10 В. 80mohm @ 3a, 10v 2,5 h @ 1ma 6 NC @ 5 V ± 20 В. 440 pf @ 10 v - 1,25 мкт (таблица)
RSJ301N10FRATL Rohm Semiconductor RSJ301N10FRATL 2.6500
RFQ
 ECAD 935 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB RSJ301 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LPTS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 100 30А (ТА) 4 В, 10 В. 46mohm @ 15a, 10 В 2,5 h @ 1ma 60 NC @ 10 V ± 20 В. 2100 pf @ 25 v - 50 yt (tta)
2SD2679T100 Rohm Semiconductor 2SD2679T100 0,2883
RFQ
 ECAD 1534 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SD2679 500 м MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 30 2 а 100NA (ICBO) Npn 370 мВ @ 75 мА, 1,5A 270 @ 200ma, 2v 280 мг
RSS140N03TB Rohm Semiconductor RSS140N03TB -
RFQ
 ECAD 3514 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) RSS140 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 14a (TA) 4 В, 10 В. 6,7mohm @ 14a, 10 В 2,5 h @ 1ma 37 NC @ 5 V 20 3150 pf @ 10 v - 2W (TA)
RGS80TSX2HRC11 Rohm Semiconductor RGS80TSX2HRC11 11.6100
RFQ
 ECAD 2889 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGS80 Станода 555 Вт TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RGS80TSX2HRC11 Ear99 8541.29.0095 30 600V, 40a, 10OM, 15 В По -прежнему 1200 80 а 120 А. 2.1V @ 15V, 40a 3MJ (ON), 3,1MJ (OFF) 104 NC 49ns/199ns
UMF24NTR Rohm Semiconductor UMF24ntr -
RFQ
 ECAD 3051 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMF24 150 м UMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май, 150 мат 500NA 1 npn, prervariotelnonos -smehen, 1 npn 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Комов 10 Комов
DTC123JMT2L Rohm Semiconductor DTC123JMT2L 0,3300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 DTC123 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2.2 Ком 47 Kohms
2SC3838KT146P Rohm Semiconductor 2SC3838KT146P 0,3600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3838 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 11 50 май 500NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 5MA, 10 мА 56 @ 5ma, 10 3,2 -е
2SB1710TL Rohm Semiconductor 2SB1710TL 0,5200
RFQ
 ECAD 710 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-96 2SB1710 500 м TSMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 1 а 100NA (ICBO) Pnp 350 м. 270 @ 100ma, 2v 320 мг
DTA143EUAT106 Rohm Semiconductor DTA143EUAT106 0,2600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-70, SOT-323 DTA143 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SD2672TL Rohm Semiconductor 2SD2672TL 0,2415
RFQ
 ECAD 3633 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-96 2SD2672 500 м TSMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 12 4 а 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 40ma, 2a 270 @ 200ma, 2v 250 мг
2SCR502E3TL Rohm Semiconductor 2SCR502E3TL 0,4000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-75, SOT-416 2SCR502 150 м Emt3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 30 500 май 200NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 200 мая 200 @ 100ma, 2v 360 мг
EMH60T2R Rohm Semiconductor EMH60T2R 0,4700
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 EMH60 150 м Emt6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 150 мв 500 мк, 5 80 @ 5ma, 10 В 250 мг 2,2KOM 47komm
DTC144EU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTC144EU3HZGT106 0,3800
RFQ
 ECAD 130 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTC144 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 47 Kohms 47 Kohms
2SCR554PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SCR554PFRAT100 0,4400
RFQ
 ECAD 269 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SCR554 500 м MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 80 1,5 а 1 мка (ICBO) Npn 350 м. 120 @ 100ma, 3v 300 мг
DTA114YKAT146 Rohm Semiconductor DTA114YKAT146 0,2700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA114 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 10 Kohms 47 Kohms
RD3H200SNFRATL Rohm Semiconductor RD3H200SNFRATL 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RD3H200 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 45 20А (тат) 4 В, 10 В. 28mohm @ 20a, 10v 2,5 h @ 1ma 12 NC @ 5 V ± 20 В. 950 pf @ 10 v - 20 yt (tc)
2SB1241TV2R Rohm Semiconductor 2SB1241TV2R -
RFQ
 ECAD 6763 0,00000000 ROHM Semiconductor - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 2SB1241 1 Вт Квадран СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 1 а 1 мка (ICBO) Pnp 400 мВ @ 50 май, 500 матов 180 @ 100ma, 3v 100 мг
RD3L050SNTL1 Rohm Semiconductor Rd3l050sntl1 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RD3L050 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 5а (таблица) 4 В, 10 В. 109mohm @ 5a, 10v 3V @ 1MA 8 NC @ 10 V ± 20 В. 290 pf @ 10 v - 15W (TC)
2SC4115STPR Rohm Semiconductor 2sc4115stpr -
RFQ
 ECAD 1917 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-72 SFORMIROWOLLYL 2SC4115 400 м Спт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 20 2 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 2a 180 @ 100ma, 2v 290 мг
2SB1198KT146Q Rohm Semiconductor 2SB1198KT146Q 0,3900
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SB1198 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 80 500 май 500NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 120 @ 100ma, 3v 180 мг
DTD114GCHZGT116 Rohm Semiconductor DTD114GCHZGT116 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD114 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 2,5 май, 50 56 @ 50ma, 5 В 200 мг 10 Kohms
DTA143TU3T106 Rohm Semiconductor DTA143TU3T106 0,2000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTA143 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 4.7 Kohms
2SA2029T2LR Rohm Semiconductor 2SA2029T2LR 0,3800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-723 2SA2029 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 5ma, 50 ма 180 @ 1MA, 6V 140 мг
UMB4NFHATN Rohm Semiconductor Umb4nfhatn 0,3300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMB4 150 м UMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) 2 pnp preredvaritelnos -smeheneneeneneenen (Dvoйnoй) 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 250 мг
QST5TR Rohm Semiconductor QST5TR 0,2120
RFQ
 ECAD 1336 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 QST5 1,25 Вт TSMT6 (SC-95) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 30 2 а 100NA (ICBO) Pnp 370 мВ @ 75 мА, 1,5A 270 @ 200ma, 2v 280 мг
BCW71T116 Rohm Semiconductor BCW71T116 0,0935
RFQ
 ECAD 5777 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW71 SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 45 100 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 110 @ 2ma, 5 В -
VT6T1T2R Rohm Semiconductor VT6T1T2R 0,1045
RFQ
 ECAD 8869 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Прохл 150 ° C (TJ) Пефер 6-SMD, Плоскильлид VT6T1 150 м VMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 20 200 май 100NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 300 мВ @ 10ma, 100 мА 120 @ 1MA, 6V 350 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть