SIC
close

Траншисторб (3592)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. Феф Фуанкхия Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
DTA013ZUBTL Rohm Semiconductor DTA013Zubtl 0,0488
RFQ
 ECAD 2525 0,00000000 ROHM Semiconductor DTA013Z Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-85 DTA013 200 м Umt3f СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 500 мк, 5 30 @ 5ma, 10 В 250 мг 1 kohms 10 Kohms
DTD543ZMT2L Rohm Semiconductor DTD543ZMT2L 0,1035
RFQ
 ECAD 4048 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 DTD543 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 12 500 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ @ 5ma, 100 мая 140 @ 100ma, 2v 260 мг 4.7 Kohms 47 Kohms
DTA124XETL Rohm Semiconductor DTA124XETL 0,3800
RFQ
 ECAD 757 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 DTA124 150 м Emt3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 50 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 22 Kohms 47 Kohms
UMB2NFHATN Rohm Semiconductor Umb2nfhatn 0,3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMB2 150 м UMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 - 100 май - 2 pnp preredvaritelnos -smeheneneeneneenen (Dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг
RS3E095BNGZETB Rohm Semiconductor RS3E095BNGZETB 0,8800
RFQ
 ECAD 8492 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Rs3e МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 9.5a (TA) 10 В 14.6mohm @ 9.5a, 10v 2,5 h @ 1ma 8,3 NC @ 4,5 ± 20 В. 680 pf @ 15 v - 2W (TC)
DTC014TUBTL Rohm Semiconductor DTC014Tubtl 0,3000
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-85 DTC014 200 м Umt3f СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 5 100 @ 5ma, 10 В 250 мг 10 Kohms
2SC3415STPN Rohm Semiconductor 2SC3415STPN -
RFQ
 ECAD 6931 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-72 SFORMIROWOLLYL 300 м Спт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 300 100 май 500NA (ICBO) Npn 2V @ 5ma, 50 мая 56 @ 10ma, 10 В 100 мг
EMD38T2R Rohm Semiconductor EMD38T2R 0,4200
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 EMD38 150 м Emt6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 мВ. 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 1 кум 47KOHMS, 10KOMM
RTR020P02TL Rohm Semiconductor RTR020P02TL 0,6900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SC-96 RTR020 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TSMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 2а (тат) 2,5 В, 4,5 В. 135mohm @ 2a, 4,5 2V @ 1MA 4,9 NC @ 4,5 ± 12 В. 430 pf @ 10 v - 1 yt (tta)
2SD1763AE Rohm Semiconductor 2SD1763AE -
RFQ
 ECAD 5198 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2 Вт 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 500 160 1,5 а 1 мка (ICBO) Npn 2 w @ 100ma, 1a 60 @ 100ma, 5 В 80 мг
MMST2907AT146 Rohm Semiconductor MMST2907AT146 0,4700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMST2907 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 60 600 май 100NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
QSX4TR Rohm Semiconductor QSX4TR 0,2120
RFQ
 ECAD 3562 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 QSX4 1,25 Вт TSMT6 (SC-95) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 30 2 а 100NA (ICBO) Npn 370 мВ @ 75 мА, 1,5A 270 @ 200ma, 2v 280 мг
2SCR554P5T100 Rohm Semiconductor 2SCR554P5T100 0,5100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SCR554 500 м MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 80 1,5 а 1 мка (ICBO) Npn 300 мВ @ 25 май, 500 мат 120 @ 100ma, 3v 300 мг
BCW61CT116 Rohm Semiconductor BCW61CT116 0,1049
RFQ
 ECAD 9832 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW61 SST3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 32 200 май - Pnp - 250 @ 2ma, 5 180 мг
DTC114YCAHZGT116 Rohm Semiconductor DTC114ycahzgt116 0,2000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC114 350 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 100 май - Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 10 Kohms 47 Kohms
UMG8NTR Rohm Semiconductor Umg8ntr 0,4300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Umg8 150 м UMT5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 4,7 КОМ 47komm
2SD2227STPW Rohm Semiconductor 2SD2227STPW -
RFQ
 ECAD 8425 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-72 SFORMIROWOLLYL 300 м Спт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 50 150 май 300NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 1200 @ 1MA, 5V 250 мг
DTC123JU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTC123JU3HZGT106 0,3800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTC123 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2.2 Ком 47 Kohms
R5011ANX Rohm Semiconductor R5011ANX -
RFQ
 ECAD 5279 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- R5011 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220FM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 500 11a (TA) 10 В 500mohm @ 5,5a, 10 4,5 Е @ 1MA 30 NC @ 10 V ± 30 v 1000 pf @ 25 v - 50 yt (tc)
QS6U22TR Rohm Semiconductor QS6U22TR 0,2390
RFQ
 ECAD 7730 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 QS6U22 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TSMT6 (SC-95) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 1.5a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 215mohm @ 1,5a, 4,5 2V @ 1MA 3 NC @ 4,5 ± 12 В. 270 pf @ 10 v Диджотки (Иолировананн) 1,25 мкт (таблица)
RHK005N03T146 Rohm Semiconductor RHK005N03T146 0,1282
RFQ
 ECAD 2284 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RHK005 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 500 май (таблица) 4 В, 10 В. 550mom @ 500ma, 10 В 2,5 h @ 1ma ± 20 В. 45 pf @ 10 v - 200 мт (таблица)
UMB11NFHATN Rohm Semiconductor Umb11nfhatn 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMB11 150 м UMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Комов 10 Комов
RDX060N60FU6 Rohm Semiconductor RDX060N60FU6 -
RFQ
 ECAD 1754 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- RDX060 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220FM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 600 6a (TA) 10 В 1,2 ОМ @ 3a, 10 В 4 В @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 30 v 950 pf @ 25 v - 40 yt (tc)
RUE002N02TL Rohm Semiconductor RUE002N02TL 0,4600
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SC-75, SOT-416 RUE002 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Emt3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 200 мая (таблица) 1,2 В, 2,5 В. 1,2 в 200 май, 2,5 1V @ 1MA ± 8 v 25 pf @ 10 v - 150 м. (ТАК)
RS3L110ATTB1 Rohm Semiconductor RS3L110ATTB1 2.4800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) RS3L МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-RS3L110ATTB1TR Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 60 11a (TA) 4,5 В, 10. 12,8mohm @ 11a, 10v 2,5 h @ 1ma 115 NC @ 10 V ± 20 В. 6300 pf @ 30 v - 1,4 yt (tat)
2SB1188T100Q Rohm Semiconductor 2SB1188T100Q 0,6400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SB1188 2 Вт MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 32 2 а 1 мка (ICBO) Pnp 800 мВ @ 200 май, 2а 120 @ 500ma, 3V 100 мг
2SCR542PT100 Rohm Semiconductor 2scr542pt100 0,7500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SCR542 2 Вт MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 30 5 а 1 мка (ICBO) Npn 400 мВ @ 100ma, 2a 200 @ 500 май, 2 В 250 мг
2SC5053T100Q Rohm Semiconductor 2SC5053T100Q 0,1856
RFQ
 ECAD 1605 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SC5053 2 Вт MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 50 1 а 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 120 @ 500ma, 3V 150 мг
R6046FNZC8 Rohm Semiconductor R6046FNZC8 -
RFQ
 ECAD 8207 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack R6046 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) To-3pf СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 360 N-канал 600 46A (TA) 10 В 93mohm @ 23a, 10 В 5V @ 1MA 150 NC @ 10 V ± 30 v 6100 pf @ 25 v - 120 Вт (TC)
SP8M3TB Rohm Semiconductor SP8M3TB 0,5072
RFQ
 ECAD 2540 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SP8M3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N и п-канал 30 5А, 4,5а 51mohm @ 5a, 10 В 2,5 h @ 1ma 3.9NC @ 5V 230pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть