SIC
close

Траншисторб (3592)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. Феф Фуанкхия Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
QST3TR Rohm Semiconductor QST3TR 0,2767
RFQ
 ECAD 8890 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 QST3 1,25 Вт TSMT6 (SC-95) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 30 5 а 100NA (ICBO) Pnp 250 мВ @ 40ma, 2a 270 @ 500 май, 2 В 200 мг
DTC115EMT2L Rohm Semiconductor DTC115EMT2L 0,3800
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 DTC115 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 20 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 82 @ 5ma, 5V 250 мг 100 км 100 км
UMD22NTR Rohm Semiconductor UMD22NTR 0,3800
RFQ
 ECAD 9105 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMD22 150 м UMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 4,7 КОМ 47komm
DTA143XCAT116 Rohm Semiconductor DTA143XCAT116 0,2700
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA143 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4.7 Kohms 10 Kohms
DTA123JEFRATL Rohm Semiconductor DTA123JEFRATL 0,2400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 DTA123 150 м Emt3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 100 май - Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2.2 Ком 47 Kohms
RJU002N06T106 Rohm Semiconductor RJU002N06T106 0,4800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 RJU002 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 200 мая (таблица) 2,5 В, 4,5 В. 2.3om @ 200 май, 4,5 1,5 h @ 1ma ± 12 В. 18 pf @ 10 v - 200 мт (таблица)
RTF016N05TL Rohm Semiconductor RTF016N05TL 0,5200
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, Ploskie provodky RTF016 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Tumt3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 45 1.6A (TA) 2,5 В, 4,5 В. 190mohm @ 1,6a, 4,5 1,5 h @ 1ma 2.3 NC @ 4,5 ± 12 В. 150 pf @ 10 v - 320 м
FMC3AT148 Rohm Semiconductor FMC3AT148 0,1479
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-74A, SOT-753 FMC3 300 м SMT5 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Комов 10 Комов
DTB123YKT146 Rohm Semiconductor DTB123YKT146 0,4500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB123 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 2,5 май, 50 56 @ 50ma, 5 В 200 мг 2.2 Ком 10 Kohms
2SD1766T100R Rohm Semiconductor 2SD1766T100R 0,2559
RFQ
 ECAD 6697 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SD1766 2 Вт MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 32 2 а 1 мка (ICBO) Npn 800 мВ @ 200 май, 2а 180 @ 500ma, 3v 100 мг
EMH11T2R Rohm Semiconductor EMH11T2R 0,3900
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 EMH11 150 м Emt6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Комов 10 Комов
QST9TR Rohm Semiconductor QST9TR 0,6300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 QST9 1,25 Вт TSMT6 (SC-95) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 30 1A 100NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 350 м. 270 @ 100ma, 2v 320 мг
IMH10AT110 Rohm Semiconductor IMH10AT110 0,4900
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-74, SOT-457 IMH10 300 м SMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2,2KOM 47komm
EMD53T2R Rohm Semiconductor EMD53T2R 0,4700
RFQ
 ECAD 5678 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 EMD53 150 м Emt6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 150 мв 500 мк, 5 35 @ 5ma, 10 В 250 мг 10 Комов 10 Комов
2SC4132T100R Rohm Semiconductor 2SC4132T100R 0,2985
RFQ
 ECAD 1303 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SC4132 2 Вт MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 120 2 а 1 мка (ICBO) Npn 2 w @ 100ma, 1a 180 @ 100ma, 5 В 80 мг
UMX4NTR Rohm Semiconductor Umx4ntr 0,3800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMX4 150 м UMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 20 50 май 500NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 500 мВ @ 4ma, 20 мая 56 @ 10ma, 10 В 1,5 -е
IMX8T108 Rohm Semiconductor IMX8T108 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 Imx8 300 м SMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 120 50 май 500NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 500 мВ @ 1MA, 10MA 180 @ 2ma, 6V 140 мг
RRF015P03GTL Rohm Semiconductor RRF015P03GTL 0,4400
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, Ploskie provodky RRF015 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Tumt3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 30 1.5a (TA) 4 В, 10 В. 160mohm @ 1,5a, 10 2,5 h @ 1ma 6,4 NC @ 10 V ± 20 В. 230 pf @ 10 v - 320 м
US6T5TR Rohm Semiconductor US6T5TR 0,2120
RFQ
 ECAD 2223 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 6-SMD, Плоскильлид US6T5 400 м Tumt6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 2 а 100NA (ICBO) Pnp 370 мВ @ 75 мА, 1,5A 270 @ 200ma, 2v 280 мг
IMH5AT108 Rohm Semiconductor IMH5AT108 0,1434
RFQ
 ECAD 7347 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-74, SOT-457 IMH5 300 м SMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 56 @ 5ma, 5V 250 мг 22khh 22khh
DTA114WUAT106 Rohm Semiconductor DTA114WUAT106 0,3000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTA114 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 24 @ 10ma, 5 В 250 мг 10 Kohms 4.7 Kohms
2SB1238TV2Q Rohm Semiconductor 2SB1238TV2Q -
RFQ
 ECAD 3748 0,00000000 ROHM Semiconductor - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 2SB1238 1 Вт Квадран СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 700 млн 500NA (ICBO) Pnp 400 мВ @ 50 май, 500 матов 120 @ 100ma, 3v 100 мг
2SC5001TLQ Rohm Semiconductor 2SC5001TLQ 0,5175
RFQ
 ECAD 7553 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 2SC5001 1 Вт CPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 20 10 а 1 мка (ICBO) Npn 250 мВ @ 50ma, 4a 120 @ 500 май, 2 В 150 мг
2SC5729T106Q Rohm Semiconductor 2SC5729T106Q 0,1207
RFQ
 ECAD 4535 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте - Пефер SC-70, SOT-323 2SC5729 200 м UMT3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 500 май 1 мка (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 120 @ 50ma, 2v 300 мг
UMF7NTR Rohm Semiconductor UMF7ntr -
RFQ
 ECAD 2215 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMF7 150 м UMT6 - Rohs3 DOSTISH 846-UMF7NTR 3000 50 В, 12 В. 100 май, 500 мат 500NA, 100NA (ICBO) 1 npn, prervariotelnonos -smehen, 1 npn 300 мв 500 мк, 10 мам / 250 м. 20 @ 20 май, 5 В / 270 @ 10ma, 2V 250 мг, 320 мгр 2,2KOM 2,2KOM
IMH24T110 Rohm Semiconductor IMH24T110 0,1840
RFQ
 ECAD 6946 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-74, SOT-457 IMH24 300 м SMT6 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 20 600 май 500NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 150 мв 50 мам, 2,5 мая 820 @ 50ma, 5 В 150 мг 2,2KOM -
DTC013ZMT2L Rohm Semiconductor DTC013ZMT2L 0,3000
RFQ
 ECAD 92 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 DTC013 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 5 30 @ 5ma, 10 В 250 мг 1 kohms 10 Kohms
SP8M3FU6TB1 Rohm Semiconductor Sp8m3fu6tb1 -
RFQ
 ECAD 3980 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° С Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SP8M3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W (TA) 8-Sop - Rohs3 1 (neograniчennnый) 846-SP8M3FU6TB1TR Ear99 8541.29.0095 2500 N и п-канал 30 5a (ta), 4,5a (TA) 51mohm @ 5a, 10v, 56mohm @ 4,5a, 10V 2,5 h @ 1ma 3.9NC @ 5V, 8,5NC @ 5V 230pf @ 10v, 850pf @ 10v -
SP8M8FD5TB1 Rohm Semiconductor Sp8m8fd5tb1 -
RFQ
 ECAD 3307 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° С Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SP8M8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W (TA) 8-Sop - Rohs3 1 (neograniчennnый) 846-SP8M8FD5TB1TR Ear99 8541.29.0095 2500 N и п-канал 30 6a (ta), 4,5a (TA) 30mohm @ 6a, 10v, 56mohm @ 4.5a, 10v 2,5 h @ 1ma 7.2NC @ 5V, 8,5NC @ 5V 520pf @ 10v, 850pf @ 10v ЛОГИСКИЯ ВАРОВОВА
DTC043EUBTL Rohm Semiconductor DTC043EUBTL 0,3000
RFQ
 ECAD 9912 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-85 DTC043 200 м Umt3f СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май - Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 5 20 @ 5ma, 10 В 250 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть