SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) В конце Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
BC53-16PA,115 NXP Semiconductors BC53-16PA, 115 -
RFQ
ECAD 6134 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-Powerfn 420 м 3-Huson (2x2) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BC53-16PA, 115-954 1 80 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 145 мг
PHP45NQ10T,127 NXP Semiconductors PHP45NQ10T, 127 0,9500
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Трентмос ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH 2156-PHP45NQ10T, 127-954 341 N-канал 100 47a (TC) 10 В 25mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 1MA 61 NC @ 10 V ± 20 В. 2600 pf @ 25 v - 150 Вт (TC)
PSMN6R0-30YLB,115 NXP Semiconductors PSMN6R0-30YLB, 115 -
RFQ
ECAD 9157 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PSMN6R0-30YLB, 115-954 Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 30 71a (TC) 4,5 В, 10. 6,5mohm @ 20a, 10 В 1,95 Е @ 1MA 19 NC @ 10 V ± 20 В. 1088 PF @ 15 V - 58 Вт (TC)
PMV40UN2R NXP Semiconductors PMV40UN2R -
RFQ
ECAD 2975 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 1
PDTA113ET,215 NXP Semiconductors PDTA113ET, 215 -
RFQ
ECAD 8996 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен - Rohs Продан 2156-PDTA113ET, 215-954 1
PEMB18,115 NXP Semiconductors PEMB18,115 0,0400
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PEMB18,115-954 1
PBSS5112PAP,115 NXP Semiconductors PBSS5112PAP, 115 0,1400
RFQ
ECAD 34 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PBSS5112PAP, 115-954 2166
BCW32,215 NXP Semiconductors BCW32,215 0,0200
RFQ
ECAD 204 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м TO-236AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BCW32,215-954 1 32 100 май 100NA (ICBO) Npn 210 мв 2,5 май, 50 200 @ 2MA, 5V 100 мг
BC860B,235 NXP Semiconductors BC860B, 235 0,0200
RFQ
ECAD 100 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м TO-236AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BC860B, 235-954 1 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
PSMN6R0-25YLD115 NXP Semiconductors PSMN6R0-25YLD115 0,2200
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-PSMN6R0-25YLD115-954 1340
BCW72,235 NXP Semiconductors BCW72,235 0,0300
RFQ
ECAD 130 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м TO-236AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BCW72,235-954 1 45 100 май 100NA (ICBO) Npn 210 мв 2,5 май, 50 200 @ 2MA, 5V 100 мг
PBSS8110Y,115 NXP Semiconductors PBSS8110Y, 115 -
RFQ
ECAD 8170 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 625 м 6-tssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PBSS8110Y, 115-954 1 100 1 а 100NA Npn 200 мВ @ 100ma, 1a 150 @ 250 май, 10 В 100 мг
BC54-16PA,115 NXP Semiconductors BC54-16PA, 115 0,0600
RFQ
ECAD 29 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-Powerfn 420 м 3-Huson (2x2) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BC54-16PA, 115-954 Ear99 8541.21.0075 1 45 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 180 мг
PBSS304PD,115 NXP Semiconductors PBSS304PD, 115 0,1100
RFQ
ECAD 21 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 1,1 6-й стоп СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-pbss304pd, 115-954 1 80 1 а 100NA Pnp 540 мВ @ 500 мА, 5а 155 @ 500 май, 2 В 110 мг
PBSS5230QAZ NXP Semiconductors PBSS5230QAZ 0,0600
RFQ
ECAD 554 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o 325 м DFN1010D-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PBSS5230QAZ-954 Ear99 8541.29.0075 1 30 2 а 100NA (ICBO) Pnp 210 мВ @ 50ma, 1a 60 @ 2a, 2v 170 мг
A7101CLTK2/T0BC27J NXP Semiconductors A7101CLTK2/T0BC27J 1.3400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-A7101CLTK2/T0BC27J-954 243
PSMN9R5-30YLC,115 NXP Semiconductors PSMN9R5-30YLC, 115 -
RFQ
ECAD 6015 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PSMN9R5-30YLC, 115-954 Ear99 8541.29.0075 1
AFT27S010NT1 NXP Semiconductors AFT27S010NT1 10.3900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Управо 65 Пефер PLD-1.5W 728 мг ~ 3,6 -е. LDMOS PLD-1.5W - Rohs Продан 2156-AFT27S010NT1 Ear99 8541.29.0075 1 10 мк 90 май 1,26 Вт 21,7db - 28
PMV33UPE,215 NXP Semiconductors PMV33UPE, 215 -
RFQ
ECAD 7551 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Ear99 8541.21.0095 1 П-канал 20 4.4a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 36mohm @ 3a, 4,5 950 мВ @ 250 мк 22,1 NC @ 4,5 ± 8 v 1820 PF @ 10 V - 490 м.
PBLS1503Y,115 NXP Semiconductors PBLS1503Y, 115 0,0700
RFQ
ECAD 222 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен PBLS1503 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PBLS1503Y, 115-954 4873
2PC4617RMB,315 NXP Semiconductors 2pc4617rmb, 315 -
RFQ
ECAD 7989 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-xfdfn 2pc4617 250 м DFN1006B-3 СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 1 50 100 май 100NA (ICBO) Npn 200 мВ @ 5ma, 50 мая 180 @ 1MA, 6V 100 мг
PMBT3904,215 NXP Semiconductors PMBT3904,215 -
RFQ
ECAD 9255 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м TO-236AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PMBT3904,215-954 1 40 200 май 50na (ICBO) Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
BUK762R6-40E,118 NXP Semiconductors BUK762R6-40E, 118 -
RFQ
ECAD 8816 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-Buk762R6-40E, 118-954 1 N-канал 40 100a (TC) 10 В 2,6mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20 В. 7130 pf @ 25 v - 263W (TC)
BC807-25,215 NXP Semiconductors BC807-25,215 0,0200
RFQ
ECAD 774 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м TO-236AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BC807-25,215-954 1 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 80 мг
PDTC143EQAZ NXP Semiconductors PDTC143EQAZ 0,0300
RFQ
ECAD 39 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен PDTC143 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PDTC143EQAZ-954 Ear99 8541.21.0075 1
PBSS5350T,215 NXP Semiconductors PBSS5350T, 215 1.0000
RFQ
ECAD 4318 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м SOT-23 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 50 2 а 100NA (ICBO) Pnp 390MV @ 300MA, 3A 200 @ 1a, 2v 100 мг
BUK7E2R3-40E,127 NXP Semiconductors BUK7E2R3-40E, 127 0,8500
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-Buk7e2r3-40e, 127-954 1 N-канал 40 120A (TC) 10 В 2,3mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 1MA 109,2 NC @ 10 V ± 20 В. 8500 PF @ 25 V - 293W (TC)
PDTC124EM,315 NXP Semiconductors PDTC124EM, 315 0,0300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PDTC124EM, 315-954 15 000
BUK7506-55A,127 NXP Semiconductors BUK7506-55A, 127 -
RFQ
ECAD 1400 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 55 75A (TC) 10 В 6,3 мома @ 25a, 10 4 В @ 1MA ± 20 В. 6000 pf @ 25 v - 300 м (TC)
BCX54,115 NXP Semiconductors BCX54,115 0,0700
RFQ
ECAD 132 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 1,25 Вт SOT-89 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BCX54,115-954 1 45 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 180 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе