RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Траншисторб (3821)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	Baзowый nomer prodikta	ТИПВ	Тела	Синла - МАКС	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодадж	Коунфигура	ТИП ФЕТ	ИСЛОВЕЕ ИСПАН	Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	Vgs (mmaks)	Взёр.	FET FUONKSHINA	Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	ВОЗНАЯ ВОЗНА	ТИП ИГБТ	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Ток - Коллексионер ипюльх (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Переклхейн	ЗArAd -vvoROT	TD (ON/OFF) @ 25 ° C	На	TOOK - dreneж (idss) @ vds (vgs = 0)	На	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	СОПРОТИВЛЕВЕР - RDS (ON)	Это	Vce saturation (max) @ ib, ic	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD
2N3904BU	0,0400	RFQ	1854	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625 м	ДО 92-3	СКАХАТА					Ear99	8541.21.0075	1																40	200 май									-		Npn	300 мВ @ 5ma, 50 мая	100 @ 10ma, 1в	300 мг
BSR18A	-	RFQ	7229	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3				350 м	SOT-23-3	СКАХАТА					Ear99	8541.21.0075	1																40	200 май									50na (ICBO)		Pnp	400 мВ @ 5ma, 50 ма	100 @ 10ma, 1в	250 мг
FGA5065ADF	2.5200	RFQ	325	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-3P-3, SC-65-3		Станода		268 Вт	12 вечера	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			400 В, 50А, 6OM, 15 В											31,8 млн	По -прежнему	650	100 а	150 А.	2,2- 15-, 50А	1,35MJ (ON), 309 мкд (OFF)	72,2 NC	20,8NS/62,4NS
SFR2955TF	0,2500	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252-3 (DPAK)	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	2000		П-канал		60	7.6A (TC)	10 В	300mohm @ 3,8a, 10 В	4 В @ 250 мк	19 NC @ 10 V	± 20 В.	600 pf @ 25 v	-	2,5 yt (ta), 32 yt (tc)
KSA928AYTA	0,1400	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА				1 Вт	ДО 92-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	2153																30	2 а									100NA (ICBO)		Pnp	2 w @ 30 май, 1,5а	160 @ 500 май, 2 В	120 мг
NDS335N	0,1800	RFQ	95	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		SOT-23-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0095	3000		N-канал		20	1.7a (TA)	2,7 В, 4,5 В.	110mohm @ 1,7a, 4,5	1В @ 250 мк	9 NC @ 4,5	8в	240 pf @ 10 v	-	500 мг (таблица)
KSD1616YTA	-	RFQ	9482	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА				750 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	3831																50	1 а									100NA (ICBO)		Npn	300 мВ @ 50ma, 1a	135 @ 100ma, 2v	160 мг
MJE171STU	-	RFQ	3594	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	225AA, 126-3				1,5	126-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0075	60																60	3 а									100NA (ICBO)		Pnp	1,7 - @ 600 мА, 3а	50 @ 100ma, 1в	50 мг
FDS3612	0,6600	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8 лейт	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	2500		N-канал		100	3.4a (TA)	6 В, 10 В.	120mohm @ 3,4a, 10 В	4 В @ 250 мк	20 NC @ 10 V	± 20 В.	632 pf @ 50 v	-	2,5 yt (tat)
FDU8874	0,7600	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		I-pak	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	1800		N-канал		30	18A (TA), 116A (TC)	4,5 В, 10.	5,1mohm @ 35a, 10v	2,5 -50 мк	72 NC @ 10 V	± 20 В.	2990 PF @ 15 V	-	110 yt (tc)
FDG328P	1.0000	RFQ	6951	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		SC-88 (SC-70-6)	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1		П-канал		20	1.5a (TA)	2,5 В, 4,5 В.	145mohm @ 1,5a, 4,5	1,5 В @ 250 мк	6 NC @ 4,5	± 12 В.	337 PF @ 10 V	-	750 мг (таблица)
NDS8961	-	RFQ	4953	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)	NDS896		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	900 м	8 лейт	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0095	551	2 n-канал (Дзонано)			30	3.1a		100mohm @ 3,1a, 10 В	3 В @ 250 мк	10NC @ 10V		190pf @ 15v	Logiчeskichй yrowenhe
FDB6021P	0,7800	RFQ	21	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		D2Pak (263)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	800		П-канал		20	28a (TA)	1,8 В, 4,5 В.	30mohm @ 14a, 4,5	1,5 В @ 250 мк	28 NC @ 4,5	± 8 v	1890 PF @ 10 V	-	37W (TC)
BC557ATA	0,0400	RFQ	145	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА					ДО 92-3	СКАХАТА					Ear99	8541.21.0075	7,322																										15NA (ICBO)		Pnp	650 мВ @ 5ma, 100 мая	110 @ 2ma, 5 В	150 мг
BD17510STU	-	RFQ	3315	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	225AA, 126-3				30 st	126-3	СКАХАТА					Ear99	8541.29.0095	553																45	3 а									100 мк (ICBO)		Npn	800 мВ @ 100ma, 1a	63 @ 150ma, 2v	3 мг
FDS6993	1.0100	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)	FDS69		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	900 м	8 лейт	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0095	2500	2 P-KANOL (DVOйNOй)			30 В, 12 В.	4.3a, 6.8a		55mohm @ 4.3a, 10	3 В @ 250 мк	7,7NC @ 5V		530pf @ 15v	Logiчeskichй yrowenhe
FDZ299P	0,3200	RFQ	14	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	9-WFBGA			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		9-BGA (2x2,1)	СКАХАТА	Rohs				Ear99	8541.29.0095	3000		П-канал		20	4.6a (TA)	2,5 В, 4,5 В.	55mohm @ 4,6a, 4,5	1,5 В @ 250 мк	9 NC @ 4,5	± 12 В.	742 PF @ 10 V	-	1,7 yt (tat)
2SK4085LS-1E	1,3000	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо	150 ° С	Чereз dыru	220-3-			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		TO-220F-3FS	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	50		N-канал		500	11a (TC)		430MOM @ 8A, 10 В	5V @ 1MA	46,6 NC @ 10 V	± 30 v	1200 pf @ 30 v	-	2w (ta), 40 yt (tc)
PN4093	0,3200	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				625 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0095	2000		N-канал									16pf @ 20v												40	8 май @ 20	1 V @ 1 na		80 ОМ
FQD2N50TF	0,3400	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	2000		N-канал		500	1.6A (TC)	10 В	5,3 omm @ 800ma, 10 В	5 w @ 250 мк	8 NC @ 10 V	± 30 v	230 pf @ 25 v	-	2,5 yt (ta), 30 yt (tc)
BC640TF	0,0200	RFQ	7591	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА				1 Вт	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0075	2000																80	1 а									100NA (ICBO)		Pnp	500 мВ @ 50 май, 500 матов	40 @ 150 май, 2 В	100 мг
KST06MTF-FS	-	RFQ	4273	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	-	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3				350 м	SOT-23-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	0000.00.0000	3000																80	500 май									100NA		Npn	250 мВ @ 10ma, 100 мая	50 @ 100ma, 1в	100 мг
FDT86106LZ	-	RFQ	2362	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	261-4, 261AA			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		SOT-223-4	-	Rohs		Продан	2156-FDT86106LZ	Ear99	8541.29.0095	1		N-канал		100	3.2a (TA)	4,5 В, 10.	108mohm @ 3,2a, 10 В	2,2 pri 250 мк	7 NC @ 10 V	± 20 В.	315 PF @ 50 V	-	1 yt (tta)
FCH47N60	-	RFQ	4826	Fairchild Semiconductor	Superfet ™	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	247-3			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		247	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	30		N-канал		600	47a (TC)	10 В	70mohm @ 23.5a, 10v	5 w @ 250 мк	270 NC @ 10 V	± 30 v	8000 pf @ 25 v	-	417W (TC)
FQP9N90C	2.1200	RFQ	364	Fairchild Semiconductor	QFET®	МАССА	Актифен	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	142		N-канал		900	8a (TC)	10 В	1,4om @ 4a, 10v	5 w @ 250 мк	58 NC @ 10 V	± 30 v	2730 pf @ 25 v	-	205W (TC)
MMBT200	-	RFQ	9440	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3				350 м	SOT-23-3	-	Rohs		Продан	2156-MMBT200-600039			1																45	500 май									50NA		Pnp	400 мВ @ 20 май, 200 мая	100 @ 150 май, 5в	250 мг
FDP8442-F085	1.2700	RFQ	750	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	МАССА	Актифен	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА		Продан	DOSTISH	2156-FDP8442-F085-600039			1		N-канал		40	23a (ta), 80a (TC)	10 В	3,1mohm @ 80a, 10v	4 В @ 250 мк	235 NC @ 10 V	± 20 В.	12200 PF @ 25 V	-	254W (TC)
KSC815YTA	0,0300	RFQ	41	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА				400 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	0000.00.0000	1																45	200 май									100NA (ICBO)		Npn	400 мВ @ 15 май, 150 мат	120 @ 50ma, 1v	200 мг
KSB1116AYTA	0,0400	RFQ	233	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА				750 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	2000																60	1 а									100NA (ICBO)		Pnp	300 мВ @ 50ma, 1a	135 @ 100ma, 2v	120 мг
FDS3670	1.6700	RFQ	28	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8 лейт	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	2500		N-канал		100	6.3a (TA)	6 В, 10 В.	32mohm @ 6,3a, 10	4 В @ 250 мк	80 NC @ 10 V	± 20 В.	2490 pf @ 50 v	-	2,5 yt (tat)