SIC
close

Траншисторб (3821)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) На TOOK - dreneж (idss) @ vds (vgs = 0) На Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) СОПРОТИВЛЕВЕР - RDS (ON) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
SFP9640L Fairchild Semiconductor SFP9640L 0,7200
RFQ
 ECAD 760 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 50 П-канал 200 11a (TC) 5в 500mohm @ 5.5a, 5V 2 В @ 250 мк 59 NC @ 5 V ± 20 В. 1585 PF @ 25 V - 98W (TC)
TIP31C Fairchild Semiconductor TIP31C 0,3700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен - Чereз dыru 220-3 40 ДО-220 - Продан DOSTISH 2156-TIP31C-600039 873 100 3 а 200 мк Npn 1,2 - @ 375MA, 3A 10 @ 3A, 4V 3 мг
KSA1201YTF Fairchild Semiconductor KSA1201YTF -
RFQ
 ECAD 8558 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а 1 Вт SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 4000 120 800 млн 100NA (ICBO) Pnp 1- @ 50 май, 500 маточков 120 @ 100ma, 5 В 120 мг
SI9424DY Fairchild Semiconductor SI9424DY 0,4400
RFQ
 ECAD 2179 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 140 П-канал 20 8a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 24mohm @ 8a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 33 NC @ 5 V ± 10 В. 2260 pf @ 10 v - 2,5 yt (tat)
MJD45H11TF Fairchild Semiconductor MJD45H11TF -
RFQ
 ECAD 2319 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD45 1,75 Вт 252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 266 80 8 а 10 мк Pnp 1v @ 400 май, 8a 40 @ 4a, 1v 40 мг
FQP14N15 Fairchild Semiconductor FQP14N15 1.0000
RFQ
 ECAD 8339 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 150 14.4a (TC) 10 В 210mohm @ 7.2a, 10v 4 В @ 250 мк 23 NC @ 10 V ± 25 В 715 PF @ 25 V - 104W (TC)
FDB8443 Fairchild Semiconductor FDB8443 -
RFQ
 ECAD 8573 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 40 25a (ta), 120a (TC) 10 В 3mohm @ 80a, 10v 4 В @ 250 мк 185 NC @ 10 V ± 20 В. 9310 PF @ 25 V - 188W (TC)
FDZ451PZ Fairchild Semiconductor FDZ451PZ 0,0500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-xfbga, WLCSP МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 4-WLCSP (0,8x0,8) СКАХАТА Ear99 8542.29.0095 1 П-канал 20 2.6A (TA) 1,5 В, 4,5 В. 140mohm @ 2a, 4,5 1,2- 250 мк 8,8 NC @ 4,5 ± 8 v 555 PF @ 10 V - 400 мг (таблица)
FDI047AN08A0 Fairchild Semiconductor FDI047AN08A0 2.4900
RFQ
 ECAD 787 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 400 N-канал 75 80a (TC) 6 В, 10 В. 4,7mohm @ 80a, 10 В 4 В @ 250 мк 138 NC @ 10 V ± 20 В. 6600 pf @ 25 v - 310W (TC)
FDMA7628 Fairchild Semiconductor FDMA7628 0,3100
RFQ
 ECAD 90 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-микрофон (2x2) СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-FDMA7628-600039 1 N-канал 20 9.4a (TA) 1,5 В, 4,5 В. 14,5mohm @ 9.4a, 4,5 1В @ 250 мк 17,5 NC @ 4,5 ± 8 v 1680 PF @ 10 V - 1,9 yt (tat)
RFD16N05SM Fairchild Semiconductor RFD16N05SM 0,6600
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 50 16a (TC) 10 В 47mohm @ 16a, 10v 4 В @ 250 мк 80 NC @ 20 V ± 20 В. 900 pf @ 25 v - 72W (TC)
FQPF32N12V2 Fairchild Semiconductor FQPF32N12V2 1.4400
RFQ
 ECAD 83 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 120 32A (TC) 10 В 50mohm @ 16a, 10 В 4 В @ 250 мк 53 NC @ 10 V ± 30 v 1860 PF @ 25 V - 50 yt (tc)
FDMA530PZ Fairchild Semiconductor FDMA530PZ -
RFQ
 ECAD 5634 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-микрофон (2x2) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 418 П-канал 30 6.8a (TA) 4,5 В, 10 В. 35mohm @ 6,8a, 10 В 3 В @ 250 мк 24 NC @ 10 V ± 25 В 1070 pf @ 15 v - 2,4 yt (tat)
NDP5060 Fairchild Semiconductor NDP5060 0,5200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА Продан Продан 2156P5060-600039 1
FQU2N90TU Fairchild Semiconductor Fqu2n90tu 0,4800
RFQ
 ECAD 332 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 5040 N-канал 900 1.7a (TC) 10 В 7,2 ОМа @ 850 мА, 10 В 5 w @ 250 мк 15 NC @ 10 V ± 30 v 500 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 50 st (tc)
FDFM2P110 Fairchild Semiconductor FDFM2P110 0,3900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Microfet 3x3mm СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 825 П-канал 20 3.5a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 140mohm @ 3,5a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 4 NC @ 4,5 ± 12 В. 280 pf @ 10 v Диджотки (Иолировананн) 2W (TA)
KSA992FTA Fairchild Semiconductor KSA992FTA 0,0500
RFQ
 ECAD 6133 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 2000 120 50 май 1 мка Pnp 300 мВ @ 1MA, 10MA 300 @ 1MA, 6V 100 мг
FQU2N60CTU Fairchild Semiconductor Fqu2n60ctu -
RFQ
 ECAD 5779 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 600 1.9A (TC) 10 В 4,7 От @ 950 мА, 10 В 4 В @ 250 мк 12 NC @ 10 V ± 30 v 235 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 44W (TC)
FDB0300N1007L Fairchild Semiconductor FDB0300N1007L -
RFQ
 ECAD 2786 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-7, D²PAK (6 SVINOW + nwaudka) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263-7 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 100 200a (TC) 6 В, 10 В. 3mohm @ 26a, 10v 4 В @ 250 мк 113 NC @ 10 V ± 20 В. 8295 PF @ 50 V - 3,8 Вт (TA), 250 st (TC)
PN4250 Fairchild Semiconductor PN4250 0,0500
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 2000 40 500 май 10NA (ICBO) Pnp 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 250 @ 100 мк, 5в -
FQD5N50TF Fairchild Semiconductor FQD5N50TF 0,5100
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 500 3.5a (TC) 10 В 1,8OM @ 1,75A, 10 В 5 w @ 250 мк 17 NC @ 10 V ± 30 v 610 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 50 st (tc)
HUFA76629D3S Fairchild Semiconductor HUFA76629D3S 0,3900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1800 N-канал 100 20А (TC) 4,5 В, 10 В. 52mohm @ 20a, 10 В 3 В @ 250 мк 46 NC @ 10 V ± 16 В. 1285 PF @ 25 V - 110 yt (tc)
FDD24AN06LA0 Fairchild Semiconductor FDD24AN06LA0 1.1300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 7.1A (TA), 40A (TC) 5 В, 10 В. 19mohm @ 40a, 10 В 2 В @ 250 мк 21 NC @ 5 V ± 20 В. 1850 PF @ 25 V - 75W (TC)
TIS74 Fairchild Semiconductor TIS74 -
RFQ
 ECAD 6012 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 м ДО 92-3 - Rohs3 Ear99 8541.21.0095 2000 N-канал 18pf @ 10v (VGS) 30 20 май @ 15 2 v @ 4 na 40 ОМ
FQPF9N30 Fairchild Semiconductor FQPF9N30 0,7500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 300 6А (TC) 10 В 450MOHM @ 3A, 10V 5 w @ 250 мк 22 NC @ 10 V ± 30 v 740 PF @ 25 V - 42W (TC)
SFS9Z34 Fairchild Semiconductor SFS9Z34 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 П-канал 60 12a (TC) 10 В 140mohm @ 6a, 10v 4 В @ 250 мк 38 NC @ 10 V ± 30 v 1155 PF @ 25 V - 36W (TC)
KSA940 Fairchild Semiconductor KSA940 1.0000
RFQ
 ECAD 4371 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 1,5 220-3 - Rohs3 Ear99 8541.29.0095 200 150 1,5 а 10 мк (ICBO) Pnp 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA 40 @ 500 май, 10 В 4 мг
FDP16AN08A0 Fairchild Semiconductor FDP16AN08A0 0,9100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 357 N-канал 75 9a (ta), 58a (TC) 6 В, 10 В. 16mohm @ 58a, 10v 4 В @ 250 мк 42 NC @ 10 V ± 20 В. 1857 PF @ 25 V - 135W (TC)
FDD6796A Fairchild Semiconductor FDD6796A 0,5200
RFQ
 ECAD 749 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 750 N-канал 25 В 20a (ta), 40a (TC) 5,7mohm @ 20a, 10 В 3 В @ 250 мк 34 NC @ 10 V ± 20 В. 1780 pf @ 13 v - 3,7 yt (ta), 42w (TC)
BUT11TU Fairchild Semiconductor But11tu 0,4000
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 100 y 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 400 5 а 1MA Npn 1,5 - @ 600 мА, 3а - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть