SIC
close

Траншисторб (3821)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Власта - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
TIP121TU Fairchild Semiconductor TIP121TU 0,4400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт 220-3 СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH 2156-TIP121TU-600039 Ear99 8541.29.0095 1 80 5 а 500 мк Npn - дарлино 4 В @ 20 май, 5А 1000 @ 3a, 3v -
FDH210N08 Fairchild Semiconductor FDH210N08 -
RFQ
 ECAD 5855 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 75 - 10 В - - ± 20 В. - 462W (TC)
HUF76121S3ST Fairchild Semiconductor HUF76121S3ST 0,4600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 30 47a (TC) 4,5 В, 10. 21mohm @ 47a, 10v 3 В @ 250 мк 30 NC @ 10 V ± 20 В. 850 pf @ 25 v - 75W (TC)
FQPF8P10 Fairchild Semiconductor FQPF8P10 0,3700
RFQ
 ECAD 860 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 860 П-канал 100 5.3a (TC) 10 В 530MOM @ 2,65A, 10 В 4 В @ 250 мк 15 NC @ 10 V ± 30 v 470 pf @ 25 v - 28W (TC)
KSC5302DTU Fairchild Semiconductor KSC5302DTU 0,1700
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 50 st 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 50 400 2 а 10 мк (ICBO) Npn 500 м. 10 @ 1a, 1v -
BC33716 Fairchild Semiconductor BC33716 0,0700
RFQ
 ECAD 56 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2000 45 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
FDP032N08 Fairchild Semiconductor FDP032N08 -
RFQ
 ECAD 9849 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-FDP032N08-600039 1 N-канал 75 120A (TC) 10 В 3,2MOM @ 75A, 10 В 4,5 -50 мк 220 NC @ 10 V ± 20 В. 15160 PF @ 25 V - 375W (TC)
NJVMJB41CT4G Fairchild Semiconductor NJVMJB41CT4G 0,5600
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 2 Вт D²Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-NJVMJB41CT4G-600039 Ear99 8541.29.0095 577 700 мк Npn 1,5 h @ 600ma, 6a 15 @ 3A, 4V 3 мг
FJV1845EMTF Fairchild Semiconductor FJV1845EMTF 0,0300
RFQ
 ECAD 151 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV184 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 3000 120 50 май 50na (ICBO) Npn 300 мВ @ 1MA, 10MA 400 @ 1MA, 6V 110 мг
FDMW2512NZ Fairchild Semiconductor FDMW2512NZ 0,2400
RFQ
 ECAD 65 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-wfdfn otkrыtaiNav-oploщadca FDMW2512 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 800 мт (таблица) 6-mlp (2x5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 3000 2 n-kanalnый (dvoйnoй) obhщiй kanolyзaцip 20 7.2A (TA) 26 МОМ @ 7,2A, 4,5 1,5 В @ 250 мк 13NC @ 10V 740pf @ 15v -
BC848A Fairchild Semiconductor BC848A 0,0800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor SOT-23 МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 100 мг
FDPF9N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF9N50NZ -
RFQ
 ECAD 2422 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 FullPack/TO-220F-3SG - Rohs Продан 2156-FDPF9N50NZ-600039 1 N-канал 500 9А (TC) 10 В 800mohm @ 4,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 35 NC @ 10 V ± 30 v 1030 pf @ 25 v - 44W (TC)
IRFW610BTM Fairchild Semiconductor IRFW610BTM 1.0000
RFQ
 ECAD 5820 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 200 3.3a (TC) 10 В 1,5 ОМА @ 1,65A, 10 В 4 В @ 250 мк 9,3 NC @ 10 V ± 30 v 225 PF @ 25 V - 3,13 yt (ta), 38 yt (tc)
MMBT4126 Fairchild Semiconductor MMBT4126 -
RFQ
 ECAD 9358 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4126 350 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 3000 25 В 200 май 50na (ICBO) Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 120 @ 2ma, 1V 250 мг
FDPF55N06 Fairchild Semiconductor FDPF55N06 0,8700
RFQ
 ECAD 97 0,00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 344 N-канал 60 55A (TC) 10 В 22mohm @ 27,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 37 NC @ 10 V ± 25 В 1510 PF @ 25 V - 48 Вт (TC)
HUFA76609D3ST Fairchild Semiconductor HUFA76609D3ST 0,4300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 100 10a (TC) 4,5 В, 10. 160mohm @ 10a, 10 В 3 В @ 250 мк 16 NC @ 10 V ± 16 В. 425 PF @ 25 V - 49 Вт (TC)
HUF76407D3ST Fairchild Semiconductor HUF76407D3ST -
RFQ
 ECAD 2034 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 60 12a (TC) 4,5 В, 10. 92mohm @ 13a, 10 В 3 В @ 250 мк 11,3 NC @ 10 V ± 16 В. 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
FQP85N06 Fairchild Semiconductor FQP85N06 -
RFQ
 ECAD 8435 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 60 85A (TC) 10 В 10mohm @ 42,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 112 NC @ 10 V ± 25 В 4120 PF @ 25 V - 160 Вт (TC)
BC33740BU Fairchild Semiconductor BC33740BU -
RFQ
 ECAD 7351 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 - 0000.00.0000 1 45 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 100 мг
HUF76107P3 Fairchild Semiconductor HUF76107P3 0,4300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 30 20А (TC) 4,5 В, 10. 52mohm @ 20a, 10 В 3 В @ 250 мк 10,3 NC @ 10 V ± 16 В. 315 PF @ 25 V - 45 Вт (TC)
KSC5042MSTU Fairchild Semiconductor KSC5042MSTU 1.0000
RFQ
 ECAD 4655 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо - Чereз dыru 225AA, 126-3 6 Вт 126-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1 900 100 май 10 мк (ICBO) Npn 5 w @ 4ma, 20 мая 30 @ 10ma, 5 В -
MPSA65 Fairchild Semiconductor MPSA65 0,0400
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 7 942 30 500 май 100NA (ICBO) PNP - ДАРЛИНГТОН 1,5 -прри 100 мк, 100 май 20000 @ 100ma, 5 В 100 мг
2SC4027T-N-TL-E Fairchild Semiconductor 2SC4027T-N-TL-E 0,2900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-2SC4027T-N-TL-E-600039 1
FQI11P06TU Fairchild Semiconductor FQI11P06TU 0,3700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 П-канал 60 11.4a (TC) 10 В 175mohm @ 5,7a, 10 4 В @ 250 мк 17 NC @ 10 V ± 25 В 550 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 53W (TC)
BC337A Fairchild Semiconductor BC337A 0,0600
RFQ
 ECAD 4993 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 373 45 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
KSA1242OTU Fairchild Semiconductor KSA1242OTU 0,1800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА 10 st I-pak СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0075 5040 20 5 а 100 мк (ICBO) Pnp 1V @ 100ma, 4a 100 @ 500 май, 2 В 180 мг
PZTA56 Fairchild Semiconductor Pzta56 -
RFQ
 ECAD 7268 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA 1 Вт SOT-223-4 - 2156-PZTA56 1 80 500 май 100NA Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 50 мг
FQD6N60CTF Fairchild Semiconductor FQD6N60CTF -
RFQ
 ECAD 5291 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 600 4a (TC) 10 В 2OM @ 2A, 10 В 4 В @ 250 мк 20 NC @ 10 V ± 30 v 810 pf @ 25 v - 80 Вт (TC)
BC858AMTF Fairchild Semiconductor BC858AMTF 0,0600
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 310 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 150 мг
KSD261CYBU Fairchild Semiconductor KSD261CYBU 0,0300
RFQ
 ECAD 3939 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 9000 20 500 май 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 120 @ 100ma, 1v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть