RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Траншисторб (3821)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Napraheneee - oцenca	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	Baзowый nomer prodikta	ТИПВ	ЧastoTA	Тела	Синла - МАКС	Wshod	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Eccn	Htsus	Станодар	Коунфигура	ТИП ФЕТ	Tykuщiй rerйting (amp)	ИСЛОВЕЕ ИСПАН	Питани - В.О.	Прирост	Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	Vgs (mmaks)	Взёр.	FET FUONKSHINA	Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	Ш	ТИП ИГБТ	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Переклхейн	ЗArAd -vvoROT	TD (ON/OFF) @ 25 ° C	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	NTC Thermistor	Odnana emcostath (cies) @ vce	Это	Vce saturation (max) @ ib, ic	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD	Rerзystor - baзa (r1)	Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
MCH6437-P-TL-E	-	RFQ	6630	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-	Пефер	6-SMD, Плоскильлид	MCH64			-			6-MCPH	-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан			998		-						7а (TJ)		-	-				-	-
HUFA75321D3STQ	0,2500	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен					HUFA75321			-				-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан			1															-
HUFA76409D3ST	0,3800	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, Ultrafet ™	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63	HUFA76			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			252AA	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH	Ear99	0000.00.0000	2500		N-канал					60	18а (TC)	4,5 В, 10.	63mohm @ 18a, 10v	3 В @ 250 мк	15 NC @ 10 V	± 16 В.	485 PF @ 25 V	-	49 Вт (TC)
MJD112TF	-	RFQ	5690	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63	MJD11				1,75 Вт		D-PAK	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH	Ear99	0000.00.0000	2000																			100	2 а					20 мк			Npn - дарлино	3v @ 40ma, 4a	1000 @ 2a, 3v	25 мг
NTMFS4936NCT1G	0,3300	RFQ	15	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8-powertdfn, 5лидо	NTMFS4936			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			5-DFN (5x6) (8-sofl)	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH	Ear99	8541.29.0095	1500		N-канал					30	11.6a (ta), 79a (TC)	4,5 В, 10.	3,8mohm @ 30a, 10 В	2,2 pri 250 мк	43 NC @ 10 V	± 20 В.	3044 PF @ 15 V	-	920 мт (TA), 43 st (TC)
MMBTA63	0,0300	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA63				350 м		SOT-23-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH	Ear99	8541.21.0075	3000																			30	1,2 а					100NA (ICBO)			PNP - ДАРЛИНГТОН	1,5 -прри 100 мк, 100 май	10000 @ 100ma, 5 В	125 мг
FDBL86210	-	RFQ	8016	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен					FDBL862			-				-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан	Ear99	8542.39.0001	2000															-
FJPF19430TU	0,7200	RFQ	952	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен												-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан			1
MMBT4401	-	RFQ	1454	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3					350 м		SOT-23-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH	Ear99	8541.21.0095	15 000																			40	600 май					100NA			Npn	750 мВ 50 мам, 500 маточков	100 @ 150 май, 1в	250 мг
FMS7G15US60	20,4000	RFQ	26	Fairchild Semiconductor	-	Коробка	Управо		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	ШASCI	25 Веселеаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа из					73 Вт	Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta	25 Веселеаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа из	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	30	Treхpaзnый -nertor -stormohom																	-	600	15 а	2,7 В @ 15 В, 15a				250 мк	В дар	935 PF @ 30 V
FDC6304P	0,2200	RFQ	7373	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	FDC6304			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	700 м		Supersot ™ -6	СКАХАТА				Ear99	8542.39.0001	2	2 P-KANOL (DVOйNOй)						25 В	460 май		1,1 в 500 май, 4,5	1,5 В @ 250 мк	1,5 нк @ 4,5		62pf @ 10 a.	Logiчeskichй yrowenhe
KSA733YTA	0,0300	RFQ	217	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА	KSA733				250 м		ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH	Ear99	0000.00.0000	1																			50	150 май					100NA (ICBO)			Pnp	300 мВ @ 10ma, 100 мА	120 @ 1MA, 6V	180 мг
FQA90N10V2	4.0500	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-3P-3, SC-65-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			12 с	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	30		N-канал					100	105A (TC)	10 В	10mohm @ 52,5a, 10 В	4 В @ 250 мк	191 NC @ 10 V	± 30 v	6150 pf @ 25 v	-	330W (TC)
FGP3040G2	1.0100	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен												-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан	Ear99	8542.39.0001	1
ISL9V5045S3ST	-	RFQ	6049	Fairchild Semiconductor	Ecospark®	МАССА	Актифен		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB		Лейка			300 Вт		D2Pak (263)	СКАХАТА				Ear99	8542.39.0001	30				300 В, 1 кум, 5														-	480 В.	51 а	1,6 - @ 4V, 10a	-	32 NC	-/10,8 мкс
ISL9V3040S3ST	1.2100	RFQ	1475	Fairchild Semiconductor	Ecospark®	МАССА	Актифен		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB		Лейка			150 Вт		D2Pak (263)	СКАХАТА				Ear99	8542.39.0001	1				300 В, 1 кум, 5														-	430	21 а	1,6 - @ 4V, 6a	-	17 NC	-/4,8 мкс
FD6M033N06	3.8100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Power-Spm ™	Трубка	Управо		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	EPM15	FD6M033			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	-		EPM15	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	19	2 n-канал (Дзонано)						60	73а		3,3 мома @ 40а, 10	4 В @ 250 мк	129NC @ 10V		6010pf @ 25V	-
KSB798YTF	-	RFQ	8252	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Пефер	243а					2 Вт		SOT-89-3	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0075	1455																			25 В	1 а					100NA (ICBO)			Pnp	400 мВ @ 100ma, 1a	135 @ 100ma, 1v	110 мг
FQPF5N90	1.4700	RFQ	450	Fairchild Semiconductor	QFET®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			TO-220F-3	СКАХАТА				Ear99	8542.39.0001	205		N-канал					900	3a (TC)	10 В	2,3 ОМа @ 1,5A, 10 В	5 w @ 250 мк	40 NC @ 10 V	± 30 v	1550 pf @ 25 v	-	51 Вт (TC)
SSR4N60BTF	0,2100	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			252-3 (DPAK)	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH	Ear99	8541.29.0095	2000		N-канал					600	2.8a (TC)	10 В	2,5OM @ 1,4a, 10 В	4 В @ 250 мк	29 NC @ 10 V	± 30 v	920 PF @ 25 V	-	2,5 yt (ta), 49 yt (tc)
BF244C	0,3400	RFQ	33	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо			Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			450 мг	-			ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.21.0095	2000	-		25 май		-	-											1,5 дБ
FQA9N50	-	RFQ	4882	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-3P-3, SC-65-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			12 с	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	220		N-канал					500	9.6A (TC)	10 В	730Mom @ 4,8a, 10 В	5 w @ 250 мк	36 NC @ 10 V	± 30 v	1450 PF @ 25 V	-	160 Вт (TC)
FJNS3202RTA	-	RFQ	5508	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо			Чereз dыru	DO 226-3, DO-92-3 COROTCOE	FJNS32				300 м		До 92-х Годо	-	Rohs3			Ear99	8541.21.0075	3000																			50	100 май					100NA (ICBO)			Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen	300 мВ 500 мк, 10	30 @ 5ma, 5в	250 мг	10 Kohms	10 Kohms
FJMA790	1.0000	RFQ	2286	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		150 ° C (TJ)	Пефер	6-vdfn otkrыtaiNAN	FJMA79				156 Вт		6-микрофон (2x2)	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH	Ear99	0000.00.0000	3000																			35	2 а					100NA (ICBO)			Pnp	450 мВ @ 50ma, 2a	100 @ 1,5A, 1,5 В	-
2N5950	-	RFQ	8947	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	30		Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			-	JFET			ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.21.0095	1	N-канал		15 май		-	-											-
FDB12N50ftm	0,9500	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен					FDB12N			-				-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан	Ear99	8542.39.0001	1															-
KSA1015GRBU	-	RFQ	8313	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					400 м		ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.21.0095	7820																			50	150 май					100NA (ICBO)			Pnp	300 мВ @ 10ma, 100 мА	200 @ 2MA, 6V	80 мг
FQAF16N25C	0,9200	RFQ	360	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-3P-3 Full Pack				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			To-3pf	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	360		N-канал					250	11.4a (TC)	10 В	270mohm @ 5,7a, 10	4 В @ 250 мк	53,5 NC @ 10 V	± 30 v	1080 pf @ 25 v	-	73W (TC)
FQL50N40	7.1600	RFQ	338	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	264-3, 264AA				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			HPM F2	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	375		N-канал					400	50a (TC)	10 В	75mohm @ 25a, 10 В	5 w @ 250 мк	210 NC @ 10 V	± 30 v	7500 pf @ 25 v	-	460 yt (tc)
FCP400N80Z	-	RFQ	1882	Fairchild Semiconductor	Superfet® II	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			220-3	СКАХАТА				Ear99	8542.39.0001	126		N-канал					800 В	14a (TC)	10 В	400mhom @ 5,5a, 10	4,5- прри 1,1 маны	56 NC @ 10 V	± 20 В.	2350 pf @ 1 v	-	195W (TC)