SIC
close

Траншисторб (3821)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ ИСЛОВЕЕ ИСПАН Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллексионера (МАКС) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
PZTA64 Fairchild Semiconductor PZTA64 0,1500
RFQ
 ECAD 76 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA 1 Вт SOT-223-4 СКАХАТА Ear99 8541.29.0075 1994 30 1,2 а 100NA (ICBO) PNP - ДАРЛИНГТОН 1,5 -прри 100 мк, 100 май 20000 @ 100ma, 5 В 125 мг
BUT12A Fairchild Semiconductor But12a 0,9400
RFQ
 ECAD 820 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 100 y 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 200 450 8 а 1MA Npn 1,5- 1,2A, 6A - -
FJNS3206RTA Fairchild Semiconductor FJNS3206RTA 0,0200
RFQ
 ECAD 6358 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru DO 226-3, DO-92-3 COROTCOE FJNS32 300 м До 92-х Годо СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2900 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 10 Kohms 47 Kohms
HUF76143S3 Fairchild Semiconductor HUF76143S3 0,7500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
FDB039N06 Fairchild Semiconductor FDB039N06 -
RFQ
 ECAD 4318 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 60 120A (TC) 10 В 3,9MOM @ 75A, 10 В 4,5 -50 мк 133 NC @ 10 V ± 20 В. 8235 PF @ 25 V - 231W (TC)
BC239BBU Fairchild Semiconductor BC239BBU -
RFQ
 ECAD 9151 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 1000 25 В 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 180 @ 2ma, 5 250 мг
FDU8896_NL Fairchild Semiconductor Fdu8896_nl 1.0000
RFQ
 ECAD 1286 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 30 17A (TA), 94A (TC) 4,5 В, 10. 5,7 мома @ 35a, 10 2,5 -50 мк 60 NC @ 10 V ± 20 В. 2525 PF @ 15 V - 80 Вт (TC)
KSC5321TU Fairchild Semiconductor KSC5321TU 0,2400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА Продан Продан 2156-KSC5321TU-600039 1
2SA1319S-AA Fairchild Semiconductor 2SA1319S-AA 0,1000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-2SA1319S-AA-600039 1
FDS9933BZ Fairchild Semiconductor FDS9933BZ 0,5100
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) FDS99 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 900 м 8 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 2500 2 P-KANOL (DVOйNOй) 20 4.9a 46mohm @ 4,9a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 15NC @ 4,5 985pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
KSC1393OBU Fairchild Semiconductor KSC1393OBU 0,0200
RFQ
 ECAD 3503 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 3035 20 дБ ~ 24 дБ 30 20 май Npn 60 @ 2ma, 10 В 700 мг 2 дБ ~ 3 дБ перо 200 мг
FJY4012R Fairchild Semiconductor Fjy4012r 1.0000
RFQ
 ECAD 7665 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Пефер SC-89, SOT-490 Fjy401 200 м SOT-523F СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 3000 40 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 200 мг 47 Kohms
FJN4302RTA Fairchild Semiconductor Fjn4302rta 0,0300
RFQ
 ECAD 7488 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА FJN430 300 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 472 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 200 мг 10 Kohms 10 Kohms
FDB86102LZ Fairchild Semiconductor FDB86102LZ 0,8700
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 345 N-канал 100 8.3a (ta), 30a (TC) 4,5 В, 10. 24mohm @ 8.3a, 10 В 3 В @ 250 мк 21 NC @ 10 V ± 20 В. 1275 PF @ 50 V - 3,1 yt (tat)
FDS9400A Fairchild Semiconductor FDS9400A 0,5200
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 622 П-канал 30 3.4a (TA) 4,5 В, 10. 130mohm @ 1a, 10v 3 В @ 250 мк 3,5 NC @ 5 V ± 25 В 205 pf @ 15 v - 2,5 yt (tat)
BC33725 Fairchild Semiconductor BC33725 0,0600
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2000 45 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
FDS4435A Fairchild Semiconductor FDS4435A 1.2100
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 30 9А (тат) 4,5 В, 10. 17mohm @ 9a, 10v 2 В @ 250 мк 30 NC @ 5 V ± 20 В. 2010 PF @ 15 V - 2,5 yt (tat)
KSC1623LMTF Fairchild Semiconductor KSC1623LMTF -
RFQ
 ECAD 9122 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 200 м SOT-23-3 - Rohs Продан 2156-KSC1623LMTF-600039 1 50 100 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 300 @ 1MA, 6V 250 мг
FDS8670 Fairchild Semiconductor FDS8670 0,7800
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 21a (TA) 4,5 В, 10. 3,7mohm @ 21a, 10v 3 В @ 250 мк 82 NC @ 10 V ± 20 В. 4040 pf @ 15 v - 2,5 yt (tat)
IRFI614BTUFP001 Fairchild Semiconductor IRFI614BTUFP001 0,1200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 250 2.8a (TC) 10 В 2OM @ 1,4a, 10 В 4 В @ 250 мк 10,5 NC @ 10 V ± 30 v 275 PF @ 25 V - 3,13 yt (ta), 40 yt (tc)
FDU6644 Fairchild Semiconductor FDU6644 1.4800
RFQ
 ECAD 41 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru До 251-3 лиды, Ипак МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251 (ipak) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 204 N-канал 30 67a (TA) 4,5 В, 10. 8,5mohm @ 16a, 10 В 3 В @ 250 мк 35 NC @ 5 V ± 16 В. 3087 PF @ 15 V - 1,6 yt (tat)
FQAF16N25C Fairchild Semiconductor FQAF16N25C 0,9200
RFQ
 ECAD 360 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) To-3pf СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 360 N-канал 250 11.4a (TC) 10 В 270mohm @ 5,7a, 10 4 В @ 250 мк 53,5 NC @ 10 V ± 30 v 1080 pf @ 25 v - 73W (TC)
KSP42ATA Fairchild Semiconductor KSP42ATA 0,0200
RFQ
 ECAD 8243 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSP42 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 1 300 500 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 30ma, 10 В 50 мг
FQPF3N80 Fairchild Semiconductor FQPF3N80 0,7800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 800 В 1.8a (TC) 10 В 5OM @ 900MA, 10 В 5 w @ 250 мк 19 NC @ 10 V ± 30 v 690 pf @ 25 v - 39 Вт (ТС)
FDB0170N607L Fairchild Semiconductor FDB0170N607L -
RFQ
 ECAD 3824 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-7, D²PAK (6 SVINOW + nwaudka) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263-7 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 60 300A (TC) 10 В 1,4MOM @ 39A, 10V 4 В @ 250 мк 243 NC @ 10 V ± 20 В. 19250 PF @ 30 V - 3,8 Вт (TA), 250 st (TC)
NDS9956A Fairchild Semiconductor NDS9956A -
RFQ
 ECAD 4055 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 900 м 8 лейт - 2156-NDS9956A 1 2 n-канал 30 3.7a (TA) 80mohm @ 2.2a, 10 В 2,8 В @ 250 мк 27NC @ 10V 320pf @ 10 a. Станода
BC81716MTF Fairchild Semiconductor BC81716MTF 0,0300
RFQ
 ECAD 63 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 230 45 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 110 @ 100ma, 1v 100 мг
BD240BTU Fairchild Semiconductor BD240BTU 1.0000
RFQ
 ECAD 9892 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 30 st 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 50 80 2 а 300 мк Pnp 700 м. 15 @ 1a, 4v -
ISL9V2540S3ST Fairchild Semiconductor ISL9V2540S3ST 1.4100
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ecospark® МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Лейка 166,7 D2Pak (263) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 300 В, 1 кум, 5 - 430 15,5 а 1,8 w @ 4v, 6a - 15.1 NC -/3,64 мкс
BC32725 Fairchild Semiconductor BC32725 0,0600
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2000 45 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть