RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Траншисторб (3821)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колиство	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	Baзowый nomer prodikta	ТИПВ	ЧastoTA	Тела	Синла - МАКС	Wshod	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодар	Коунфигура	ТИП ФЕТ	Tykuщiй rerйting (amp)	ИСЛОВЕЕ ИСПАН	Питани - В.О.	Прирост	Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	Vgs (mmaks)	Взёр.	FET FUONKSHINA	Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	Ш	ВОЗНАЯ ВОЗНА	ТИП ИГБТ	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Ток - Коллексионер ипюльх (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Переклхейн	ЗArAd -vvoROT	TD (ON/OFF) @ 25 ° C	На	TOOK - dreneж (idss) @ vds (vgs = 0)	На	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	NTC Thermistor	Odnana emcostath (cies) @ vce	СОПРОТИВЛЕВЕР - RDS (ON)	Это	Vce saturation (max) @ ib, ic	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD	Rerзystor - baзa (r1)
FQA6N80	1.0900	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-3P-3, SC-65-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			12 с	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	30		N-канал					800 В	6.3a (TC)	10 В	1,95OM @ 3,15а, 10 В	5 w @ 250 мк	31 NC @ 10 V	± 30 v	1500 pf @ 25 v	-	185W (TC)
J107	-	RFQ	7283	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					625 м		ДО 92-3	СКАХАТА					Ear99	8541.21.0095	108		N-канал												-													25 В	100 май @ 15	500 м.				8 О
FMM7G50US60I	28.1700	RFQ	31	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	Модул					139 Вт	Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta	-	СКАХАТА	Rohs		DOSTISH	2156-fmm7g50us60i	Ear99	8541.29.0095	1	Treхpaзnый -nertor -stormohom																		-	600	50 а		2.7V @ 15V, 50a							250 мк	В дар	3,565 нф.
TIP32C	-	RFQ	4328	Fairchild Semiconductor	TIP32C	МАССА	Актифен	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3					2 Вт		220-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8541.29.0095	476																				100	3 а									300 мк				Pnp	1,2 - @ 375MA, 3A	25 @ 1a, 4v	3 мг
TIP32BTU	0,5900	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3					2 Вт		220-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	1000																				80	3 а									200 мк				Pnp	1,2 - @ 375MA, 3A	10 @ 3A, 4V	3 мг
Bd680astu	0,3000	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	225AA, 126-3					14 Вт		126-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	0000.00.0000	1																				80	4 а									500 мк				PNP - ДАРЛИНГТОН	2,8 В @ 40 май, 2а	750 @ 2a, 3v	-
FQP32N12V2	0,5900	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			220-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	1000		N-канал					120	32A (TC)	10 В	50mohm @ 16a, 10 В	4 В @ 250 мк	53 NC @ 10 V	± 30 v	1860 PF @ 25 V	-	150 Вт (TC)
FQAF19N60	2.6500	RFQ	681	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-3P-3 Full Pack				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			To-3pf	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	360		N-канал					600	11.2a (TC)	10 В	380mom @ 5.6a, 10	5 w @ 250 мк	90 NC @ 10 V	± 30 v	3600 pf @ 25 v	-	120 Вт (TC)
FDT461N	0,5000	RFQ	47	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	261-4, 261AA				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			SOT-223-4	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	2500		N-канал					100	540 май (таблица)	4,5 В, 10.	2OM @ 540MA, 10 В	2 В @ 250 мк	4 NC @ 10 V	± 20 В.	74 PF @ 25 V	-	1,13 -
KSD1616ALBU	0,0700	RFQ	490	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					750 м		ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	10000																				60	1 а									100NA (ICBO)				Npn	300 мВ @ 50ma, 1a	300 @ 100ma, 2v	160 мг
BF244C	0,3400	RFQ	33	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			450 мг	-			ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0095	2000	-		25 май		-	-											1,5 дБ
HUF76121P3	0,4000	RFQ	26	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			ДО-220AB	СКАХАТА	Rohs	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	1		N-канал					30	47a (TC)	4,5 В, 10.	21mohm @ 47a, 10v	3 В @ 250 мк	30 NC @ 10 V	± 20 В.	850 pf @ 25 v	-	75W (TC)
KSB798YTF	-	RFQ	8252	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	150 ° C (TJ)	Пефер	243а					2 Вт		SOT-89-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0075	1455																				25 В	1 а									100NA (ICBO)				Pnp	400 мВ @ 100ma, 1a	135 @ 100ma, 1v	110 мг
KSD158888YTU	0,6100	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-					2 Вт		TO-220F-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	496																				60	7 а									10 мк (ICBO)				Npn	500 мВ @ 500 мА, 5а	100 @ 3A, 1V	-
2n4126tfr	0,0200	RFQ	20	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА					625 м		ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	15 000																				25 В	200 май									50na (ICBO)				Pnp	400 мВ @ 5ma, 50 ма	120 @ 2ma, 1V	250 мг
HUFA76445S3S	1.0600	RFQ	500	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			D2Pak (263)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	50		N-канал					60	75A (TC)	4,5 В, 10.	6,5mohm @ 75a, 10v	3 В @ 250 мк	150 NC @ 10 V	± 16 В.	4965 PF @ 25 V	-	310W (TC)
HUF76409D3	0,4700	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			I-pak	СКАХАТА	Rohs	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8541.29.0095	1		N-канал					60	18а (TC)	4,5 В, 10.	63mohm @ 18a, 10v	3 В @ 250 мк	15 NC @ 10 V	± 16 В.	485 PF @ 25 V	-	49 Вт (TC)
MMBT2907A-D87Z	-	RFQ	8654	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3					350 м		SOT-23-3	СКАХАТА	Neprigodnnый				Ear99	8541.21.0075	10000																				60	800 млн									20NA (ICBO)				Pnp	1,6 В @ 50 май, 500 маточков	100 @ 150 май, 10 В	200 мг
FDB6030L	0,4900	RFQ	22	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			D2Pak (263)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	800		N-канал					30	48a (TA)	4,5 В, 10.	13mohm @ 26a, 10v	3 В @ 250 мк	18 NC @ 5 V	± 20 В.	1250 pf @ 15 v	-	52W (TC)
FDPF5N50NZF	0,7900	RFQ	552	Fairchild Semiconductor	Unifet-II ™	МАССА	Актифен	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			TO-220F-3	СКАХАТА					Ear99	8541.29.0095	1		N-канал					500	4.2a (TC)	10 В	1,75OM @ 2,1a, 10 В	5 w @ 250 мк	12 NC @ 10 V	± 25 В	485 PF @ 25 V	-	30 yt (tc)
FDMS038ZS	0,2700	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен											-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8542.39.0001	3000
Fjn3309rta	0,0200	RFQ	156	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА	FJN330				300 м		ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	2000																				40	100 май									100NA (ICBO)				Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen	300 мВ @ 1MA, 10MA	100 @ 1MA, 5 В	250 мг	4.7 Kohms
MPSA56	-	RFQ	3175	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					625 м		ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0095	5,115																				80	500 май									100NA				Pnp	200 мВ @ 10ma, 100ma	100 @ 100ma, 1в	50 мг
FDS6572A	1.7300	RFQ	373	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			8 лейт	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	2500		N-канал					20	16a (TA)	2,5 В, 4,5 В.	6mohm @ 16a, 4,5	1,5 В @ 250 мк	80 NC @ 4,5	± 12 В.	5914 PF @ 10 V	-	2,5 yt (tat)
FD6M043N08	6.6400	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Power-Spm ™	Трубка	Управо	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	EPM15	FD6M043			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	-		EPM15	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	19	2 n-канал (Дзонано)						75	65A		4,3mohm @ 40a, 10 В	4 В @ 250 мк	148NC @ 10V		6180pf @ 25V	-
MMBTA92	-	RFQ	3884	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3					350 м		SOT-23-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	3000																				300	500 май									250NA (ICBO)				Pnp	500 мВ @ 2ma, 20 мая	40 @ 10ma, 10 В	50 мг
FGPF120N30TU	4.2700	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-		Станода			60		TO-220F-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	1000				-															-	300	120 А.	180 А.	1,4 В @ 15 В, 25а	-	112 NC	-
FGA120N30DTU	14000	RFQ	364	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-3P-3, SC-65-3	FGA120N30	Станода			290 Вт		12 с	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	30				-														21 млн	-	300	120 А.	300 а	1,4 В @ 15 В, 25а	-	120 NC	-
NDB7052L	0,7600	RFQ	800	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			220-3	СКАХАТА	Rohs	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	800		N-канал					50	75A (TC)	5 В, 10 В.	7,5mohm @ 37,5a, 10v	2 В @ 250 мк	130 NC @ 5 V	± 16 В.	4030 pf @ 25 v	-	150 Вт (TC)
FDPF5N50FT	0,9100	RFQ	58	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	МАССА	Актифен	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			TO-220F-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	331		N-канал					500	4.5a (TC)	10 В	1,55OM @ 2,25A, 10 В	5 w @ 250 мк	8 NC @ 10 V	± 30 v	700 pf @ 25 v	-	28W (TC)