SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Ш В конце
MRF5S21045NBR1 Freescale Semiconductor MRF5S21045NBR1 44.1700
RFQ
ECAD 232 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 68 В До-272BB MRF5 2,12 -ggц LDMOS 272 WB-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 - 500 май 10 st 14.5db - 28
MRF7S19100NBR1 Freescale Semiconductor MRF7S19100NBR1 47.5300
RFQ
ECAD 54 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 До-272BB MRF7 1,93 ~ 1,99 -е LDMOS 272 WB-4 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8541.29.0075 1 - 1 а 29w 17,5db - 28
MRF6S9045NBR1 Freescale Semiconductor MRF6S9045NBR1 23.4900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 68 В ШASCI SOT-957A 1 гер LDMOS Ni-880H-2L СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 500 10 мк 350 май 10 st 22,7db - 28
MRF5S21090HR5 Freescale Semiconductor MRF5S21090HR5 63 5800
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 SOT-957A MRF5 2,11 -е LDMOS Ni-780H-2L - Rohs3 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.39.0001 1 - 850 май 19w 14.5db - 28
MRF6VP2600HR5-FR Freescale Semiconductor MRF6VP2600HR5-FR 345.0200
RFQ
ECAD 66 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 110 ШASCI NI-1230 500 мг LDMOS NI-1230 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 Дон 50 мк 2,6 а 600 Вт 25 дБ - 50
MWE6IC9100NBR1-FR Freescale Semiconductor MWE6IC9100NBR1-FR 74.1400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 66 ШASCI ВОРИАНТ 272-14, Плоски MWE6 869 мг ~ 960 мг LDMOS 272 WB-14 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 500 10 мк 120 май 100 y 33,5 Дб - 26
MRF6S21100HR3 Freescale Semiconductor MRF6S21100HR3 71.9100
RFQ
ECAD 203 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 68 В ШASCI SOT-957A 2,11 ~ 2,17 гг. LDMOS Ni-780H-2L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 0000.00.0000 1 10 мк 950 май 23 wt 15,9db - 28
MRF6S19200HR5 Freescale Semiconductor MRF6S19200HR5 137.8000
RFQ
ECAD 20 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 66 SOT-957A MRF6 1,93 ~ 1,99 -е LDMOS Ni-780H-2L - Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.39.0001 1 - 1,6 а 56 Вт 17,9db - 28
MRF9045GMR1 Freescale Semiconductor MRF9045GMR1 26.0500
RFQ
ECAD 393 0,00000000 Freescale Semiconductor * МАССА Актифен MRF9045 - Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1
MRFG35003ANT1 Freescale Semiconductor MRFG35003ANT1 12.9700
RFQ
ECAD 285 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 15 PLD-1.5 MRFG35 3,55 ГОГ Феврат PLD-1.5 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 - 55 май 3W 10,8 ДБ - 12
MRF9135LR3 Freescale Semiconductor MRF9135LR3 94,7000
RFQ
ECAD 250 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 ШASCI SOT-957A 865 мг ~ 895 мг LDMOS Ni-780H-2L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 250 10 мк 1,1 а 135 Вт 17,8db - 26
MRF8S19260HR6 Freescale Semiconductor MRF8S19260HR6 134 5400
RFQ
ECAD 131 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 SOT-1110A MRF8 1,99 -е LDMOS NI1230-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1 Дон - 1,6 а 74 Вт 18.2db - 30
MRF9030GMR1 Freescale Semiconductor MRF9030GMR1 22,6000
RFQ
ECAD 500 0,00000000 Freescale Semiconductor * МАССА Актифен - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500
MRF19125R5 Freescale Semiconductor MRF19125R5 -
RFQ
ECAD 6613 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 Ni-880 MRF19 1,93 -е LDMOS Ni-880 - Rohs3 3 (168 чASOW) Продан 2 - 1,3 а 24 13,5db - 26
MRF5S9101MBR1 Freescale Semiconductor MRF5S9101MBR1 47.3600
RFQ
ECAD 107 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 68 В До-272BB MRF5 960 мг LDMOS 272 WB-4 СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 - 700 млн 100 y 17,5db - 26
MRF6S19060NR1 Freescale Semiconductor MRF6S19060NR1 47.7400
RFQ
ECAD 744 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 68 В Пефер ДО-270AB 1,93 grц ~ 1,9 ggц LDMOS 270 WB-4 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8541.29.0075 500 10 мк 610 май 12 16 дБ - 28
MRF8S9170NR3 Freescale Semiconductor MRF8S9170NR3 152 7700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 70 ШASCI Ni-780S-4 920 мг ~ 960 мг LDMOS Ni-780S-4 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 2 10 мк 1 а 50 st 19.3db - 28
MRFE6S9135HR5 Freescale Semiconductor MRFE6S9135HR5 100 7100
RFQ
ECAD 40 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 66 Ni-880 MRFE6 940 мг LDMOS Ni-880 - Rohs3 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.39.0001 1 - 1 а 39 Вт 21 дБ - 28
MRF6VP3450HSR5 Freescale Semiconductor MRF6VP3450HSR5 225.1400
RFQ
ECAD 344 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 110 ШASCI NI-1230-4S 470 мг ~ 860 мг LDMOS NI-1230-4S СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 50 Дон 10 мк 1,4 а 450 Вт 22,5db - 50
MRF5S9101MR1 Freescale Semiconductor MRF5S9101MR1 47.3600
RFQ
ECAD 166 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 68 В Пефер ДО-270AB 869 мг ~ 960 мг - 270 WB-4 СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 - 10 мк 700 млн 100 y 17,5db - 26
AFT26H050W26SR3 Freescale Semiconductor AFT26H050W26SR3 88.1700
RFQ
ECAD 732 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 ШASCI Ni-780S-4L4L-8 2496 гг ~ 2,69 гг. LDMOS Ni-780S-4L4L-8 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0040 250 Дон 10 мк 100 май 9 Вт 14.2db - 28
MRF6S9130HSR5 Freescale Semiconductor MRF6S9130HSR5 72 8200
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 68 В Ni-780S MRF6 880 мг LDMOS Ni-780S - Rohs3 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.39.0001 1 - 950 май 27w 19.2db - 28
MRF8P23160WHSR3 Freescale Semiconductor MRF8P23160WHSR3 -
RFQ
ECAD 8104 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 Ni-780-4 MRF8 2,32 -е МОСС Ni-780-4 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 N-канал - 600 май 30 st 14.1db - 28
MRF8S18120HSR3 Freescale Semiconductor MRF8S18120HSR3 108.5700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 Ni-780S MRF8 181 год LDMOS Ni-780S СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 250 - 800 млн 72 Вт 18.2db - 28
MRF6VP41KHR5 Freescale Semiconductor MRF6VP41KHR5 927.2300
RFQ
ECAD 553 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 110 NI-1230 MRF6 450 мг LDMOS NI-1230 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 Дон - 150 май 1000 вес 20 дБ - 50
MRF7S21080HR3 Freescale Semiconductor MRF7S21080HR3 57.3800
RFQ
ECAD 931 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 ШASCI Ni-780S-4S2S 2,11 ~ 2,17 гг. LDMOS Ni-780S-4S2S СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 250 10 мк 800 млн 22W 18 дБ - 28
MRF7S21170HSR3 Freescale Semiconductor MRF7S21170HSR3 -
RFQ
ECAD 3990 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 Ni-880s MRF7 2,17 -ggц LDMOS Ni-880s СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 250 - 1,4 а 50 st 16 дБ - 28
MRF5S19130HR3 Freescale Semiconductor MRF5S19130HR3 117.7500
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 ШASCI SOT-957A 2 гер LDMOS Ni-880H-2L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 250 10 мк 1,2 а 26 Вт 13 дБ - 28
MRF6S9160HR3 Freescale Semiconductor MRF6S9160HR3 97.0400
RFQ
ECAD 96 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 68 В SOT-957A MRF6 880 мг LDMOS Ni-780H-2L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 - 1,2 а 35 Вт 20,9db - 28
MRF5S21130HSR5 Freescale Semiconductor MRF5S21130HSR5 90.1200
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 Ni-880s MRF5 2,11 ~ 2,17 гг. LDMOS Ni-880s - Rohs3 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.39.0001 1 - 1,2 а 28 wt 13,5db - 28
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе