SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Ш В конце
MRFG35010R5 Freescale Semiconductor MRFG35010R5 59 4800
RFQ
ECAD 158 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Управо 15 ШASCI Ni-360HF 3,55 ГОГ Феврат Ni-360HF СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0075 50 - 180 май 10 st 10 дБ - 12
MRF8S21100HR5 Freescale Semiconductor MRF8S21100HR5 -
RFQ
ECAD 7195 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Управо 65 ШASCI SOT-957A 2,17 -ggц МОСС Ni-780H-2L СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0075 4 N-канал - 700 млн 24 18.3db - 28
MRF21060R3 Freescale Semiconductor MRF21060R3 41.0100
RFQ
ECAD 736 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 ШASCI SOT-957A 2,1 Гер LDMOS Ni-780H-2L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 250 6 мка 500 май 60 12,5db - 28
MRF6S21060NBR1 Freescale Semiconductor MRF6S21060NBR1 67.1100
RFQ
ECAD 22 0,00000000 Freescale Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА Продан Продан 2156-MRF6S21060NBR1-600055 1
MHT1008NT1 Freescale Semiconductor MHT1008NT1 18.1000
RFQ
ECAD 483 0,00000000 Freescale Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА 3 (168 чASOW) DOSTISH 2156-MHT1008NT1-600055 Ear99 8541.29.0075 17
MRF8P20140WHSR5 Freescale Semiconductor MRF8P20140WHSR5 -
RFQ
ECAD 2610 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Управо 65 Пефер Ni-780S-4L 1,88 ~ 2,03 гг. LDMOS (DVOйNOй) Ni-780S-4L - 2156-MRF8P20140WHSR5 1 2 n-канал 10 мк 500 май 24 16 дБ - 28
MRF373R1 Freescale Semiconductor MRF373R1 41.6000
RFQ
ECAD 60 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Управо 65 ШASCI Ni-360 470 мг ~ 860 мг N-канал Ni-360 - 2156-MRF373R1 8 N-канал 7A 60 14.7db -
MRFE6VS25NR1528 Freescale Semiconductor MRFE6VS25NR1528 -
RFQ
ECAD 1859 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 133 В Пефер ДО-270АА 1,8 мг ~ 2 ggц LDMOS Дол. 270-2 - 2156-MRFE6VS25NR1528 1 N-канал - 10 май 25 Вт 25,4db @ 512 Mmgц - 50
MRF8S9100HSR3 Freescale Semiconductor MRF8S9100HSR3 66.8800
RFQ
ECAD 138 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 70 Ni-780S MRF8 920 мг LDMOS Ni-780S СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 - 500 май 72 Вт 19.3db - 28
MRF6S23100HSR3 Freescale Semiconductor MRF6S23100HSR3 74 8400
RFQ
ECAD 34 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 68 В ШASCI Ni-780S 2,3 Гер LDMOS Ni-780S СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 10 мк 1 а 20 Вт 15.4db - 28
MRF8S21200HR6 Freescale Semiconductor MRF8S21200HR6 103 4900
RFQ
ECAD 242 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 NI-1230 MRF8 2,14 -е LDMOS NI-1230 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 5A991 8541.29.0075 1 Дон - 1,4 а 48 Вт 18,1db - 28
MRF8P20160HSR3 Freescale Semiconductor MRF8P20160HSR3 164.6200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 Ni-780S-4 MRF8 1,92 -е LDMOS Ni-780S-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 250 Дон - 550 май 37 Вт 16,5db - 28
MRF1K50HR5178 Freescale Semiconductor MRF1K50HR5178 212.7600
RFQ
ECAD 181 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 135 ШASCI SOT-979A 1,8 мг ~ 500 лет LDMOS NI-1230-4H СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8542.39.0001 1 Дон 20 мк 100 май 1500 Вт 23,7db - 50
MRF21125R3 Freescale Semiconductor MRF21125R3 122.1100
RFQ
ECAD 809 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 ШASCI SOT-957A 2,11 ~ 2,17 гг. МОСС Ni-880H-2L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 0000.00.0000 250 N-канал 10 мк 1,6 а 125 Вт 13 дБ - 28
MRF5S4140HR3 Freescale Semiconductor MRF5S4140HR3 72.6600
RFQ
ECAD 248 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 SOT-957A MRF5 465 мг LDMOS Ni-780H-2L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 - 1,25 а 28 wt 21 дБ - 28
MRFG35003NR5 Freescale Semiconductor MRFG35003NR5 17.2800
RFQ
ECAD 900 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 15 PLD-1.5 MRFG35 3,55 ГОГ Феврат PLD-1.5 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 50 - 55 май 3W 11,5db - 12
MRF5P21240HR6 Freescale Semiconductor MRF5P21240HR6 162.4100
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 ШASCI NI-1230 2,11 ~ 2,17 гг. LDMOS NI-1230 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 0000.00.0000 150 10 мк 2,2 а 52 Вт 13 дБ - 28
MRF7S19100NR1 Freescale Semiconductor MRF7S19100NR1 47.5300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 ДО-270AB MRF7 1,93 ~ 1,99 -е LDMOS 270 WB-4 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8541.29.0075 500 - 1 а 29w 17,5db - 28
AFT18HW355SR5 Freescale Semiconductor AFT18HW355SR5 275,3000
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 NI-1230S AFT18 1,88 г LDMOS NI-1230S СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0040 1 Дон - 1,1 а 63 Вт 15,2db - 28
MD7P19130HR3 Freescale Semiconductor MD7P19130HR3 92.8300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 NI780-4 MD7P1 1,99 -е LDMOS Ni-780-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 250 Дон - 1,25 а 40 20 дБ - 28
MRF6S27085HR3 Freescale Semiconductor MRF6S27085HR3 94 8600
RFQ
ECAD 23 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 68 В SOT-957A MRF6 2,66 г LDMOS Ni-780H-2L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 250 - 900 млн 20 Вт 15,5db - 28
MRF6VP3091NBR1 Freescale Semiconductor MRF6VP3091NBR1 80.3700
RFQ
ECAD 127 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 115 До-272BB MRF6 860 мг LDMOS 272 WB-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 Дон - 350 май 18w 22 дБ - 50
MRF7S21080HSR3 Freescale Semiconductor MRF7S21080HSR3 -
RFQ
ECAD 4782 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 ШASCI Ni-780S 2,11 ~ 2,17 гг. LDMOS Ni-780S СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 250 10 мк 800 млн 22W 18 дБ - 28
AFT18H357-24NR6 Freescale Semiconductor AFT18H357-24NR6 148.4200
RFQ
ECAD 900 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 OM-1230-4L2L AFT18 181 год LDMOS OM-1230-4L2L СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 Дон - 800 млн 63 Вт 17,5db - 28
MRF7S21210HR5 Freescale Semiconductor MRF7S21210HR5 164.0700
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 SOT-957A MRF7 2,17 -ggц LDMOS Ni-780H-2L - Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.39.0001 1 - 1,4 а 63 Вт 18,5db - 28
MRF21010LR1 Freescale Semiconductor MRF21010LR1 39 4200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 Ni-360 MRF21 2,17 -ggц LDMOS Ni-360 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 - 100 май 10 st 13,5db - 28
MRF21030LR5 Freescale Semiconductor MRF21030LR5 -
RFQ
ECAD 4860 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 Ni-400 MRF21 2,14 -е LDMOS Ni-400 - Rohs3 3 (168 чASOW) Продан 6 - 250 май 30 st 13 дБ - 28
MRF7S21150HSR3 Freescale Semiconductor MRF7S21150HSR3 112.0100
RFQ
ECAD 650 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 65 Ni-780S MRF7 2,11 ~ 2,17 гг. LDMOS Ni-780S СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 250 - 1,35 а 44 Вт 17,5db - 28
MRF6S21190HR3 Freescale Semiconductor MRF6S21190HR3 149 4500
RFQ
ECAD 75 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 68 В Ni-880 MRF6 2,11 ~ 2,17 гг. LDMOS Ni-880 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 - 1,6 а 54W 16 дБ - 28
MRF6S19120HR5 Freescale Semiconductor MRF6S19120HR5 92.1300
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 68 В SOT-957A MRF6 1,99 -е LDMOS Ni-780H-2L - Rohs3 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.39.0001 1 - 1 а 19w 15 дБ - 28
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе