SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Eccn Htsus Станодадж Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
RN4902FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Rn4902fe (te85l, f) -
RFQ
ECAD 4313 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 RN4902 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 10 Комов 10 Комов
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B (TE85L, F) 0,1485
RFQ
ECAD 6796 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 HN1C03 300 м SM6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 20 300 май 100NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 100 мВ @ 3ma, 30 ма 350 @ 4MA, 2V 30 мг
RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902, LF (Ct 0,2800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4902 200 м US6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 10 Комов 10 Комов
2SA1586-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y, LF 0,1800
RFQ
ECAD 53 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 125 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SA1586 100 м SC-70 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мА 120 @ 2MA, 6V 80 мг
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01F-Y (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 3952 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Веса Актифен 125 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 HN1A01 300 м SM6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 150 май 100NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 300 мВ @ 10ma, 100 мА 120 @ 2MA, 6V 80 мг
2SC4915-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4915-Y, LF 0,4400
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 125 ° C (TJ) Пефер SC-75, SOT-416 2SC4915 100 м SSM СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 17 дб ~ 23 дБ 30 20 май Npn 100 @ 1MA, 6V 550 мг 2,3 дб ~ 5 дбри При 100 мгги
RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1705JE (TE85L, F) 0,4700
RFQ
ECAD 769 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-553 RN1705 100 м Эs СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelno -smeheneeneneeneenen (dvoйnoй) (эmithitternый soedeneneneee) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2,2KOM 47komm
RN1511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1511 (TE85L, F) 0,4700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-74A, SOT-753 RN1511 300 м SMV СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelno -smeheneeneneeneenen (dvoйnoй) (эmithitternый soedeneneneee) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 10 Комов -
RN2704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2704JE (TE85L, F) 0,4800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-553 RN2704 100 м Эs СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervaritelnos -stmeheneeneneeneenen (dvoйnoй) (эmithtternoe odyneneneee) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 47komm 47komm
RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Rn2707je (te85l, f) 0,4800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-553 RN2707 100 м Эs СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 10 Комов 47komm
RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE (TE85L, F) 0,4800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-553 RN2708 100 м Эs СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 22khh 47komm
RN2504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2504 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
ECAD 247 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-74A, SOT-753 RN2504 300 м SMV СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervaritelnos -stmeheneeneneeneenen (dvoйnoй) (эmithtternoe odyneneneee) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 47komm 47komm
RN4982FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE, LF (Ct 0,2700
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN4982 100 м ES6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 10 Комов 10 Комов
RN4984FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984FE, LF (Ct 0,2800
RFQ
ECAD 70 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN4984 100 м ES6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 47komm 47komm
RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE (TE85L, F) 0,0639
RFQ
ECAD 7284 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN1908 100 м ES6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 22khh 47komm
RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1971FE (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 2787 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 RN1971 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 10 Комов -
RN1673(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1673 (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 6017 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1673 300 м US6 - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V - 47komm -
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 (T5L, F, T) 0,3400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1909 200 м US6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 70 @ 10ma, 5v 250 мг 47komm 22khh
RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1911 (T5L, F, T) -
RFQ
ECAD 2298 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1911 100 м US6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 4,7 КОМ -
RN1968(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968 (TE85L, F) 0,4700
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1968 200 м US6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 22khh 47komm
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970 (TE85L, F) 0,4700
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1970 200 м US6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 4,7 КОМ -
RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1973 (TE85L, F) 0,0753
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1973 200 м US6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V - 47komm -
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE (T5L, F, T) -
RFQ
ECAD 8069 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 RN2904 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 47komm 47komm
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2911FE (TE85L, F) 0,3500
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN2911 100 м ES6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 120 @ 1MA, 5V 200 мг 10 Комов -
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961FE (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 9441 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 RN2961 100 м ES6 - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 30 @ 10ma, 5 В 200 мг 4,7 КОМ 4,7 КОМ
RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965FE (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 7583 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 RN2965 100 м ES6 - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 2,2KOM 47komm
RN2966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2966FE (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 3228 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 RN2966 100 м ES6 - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 4,7 КОМ 47komm
RN2970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2970FE (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 8747 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 RN2970 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 120 @ 1MA, 5V 200 мг 4,7 КОМ 10 Комов
RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2607 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-74, SOT-457 RN2607 300 м SM6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 10 Комов 47komm
RN2965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN2965 200 м US6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 2,2KOM 47komm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе