SIC
close

Траншисторб (888)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
TSM60NC620CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC620CH C5G 3.6900
RFQ
 ECAD 1910 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251 (ipak) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1801-TSM60NC620CHC5G 15 000 N-канал 600 7A (TC) 10 В 620MOHM @ 2,4A, 10 В 5V @ 1MA 15 NC @ 10 V ± 20 В. 501 PF @ 300 - 78W (TC)
TSM60N600CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N600CH C5G 0,7222
RFQ
 ECAD 7903 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251 (ipak) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 600 8a (TC) 10 В 600mohm @ 4a, 10v 4 В @ 250 мк 13 NC @ 10 V ± 30 v 743 pf @ 100 v - 83W (TC)
TSM085P03CV Taiwan Semiconductor Corporation TSM085P03CV 0,8650
RFQ
 ECAD 3740 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn TSM085 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-pdfn (3,1x3,1) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSM085P03CVTR Ear99 8541.29.0095 10000 П-канал 30 14a (ta), 64a (TC) 4,5 В, 10. 8,5mohm @ 14a, 10 В 2,5 -50 мк 55 NC @ 10 V ± 20 В. 3234 PF @ 15 V - 2,4 yt (ta), 50 yt (tc)
TSM900N06CW Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW 0,3581
RFQ
 ECAD 5045 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA TSM900 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSM900N06CWTR Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 11a (TC) 4,5 В, 10. 90mohm @ 6a, 10v 2,5 -50 мк 9,3 NC @ 10 V ± 20 В. 500 pf @ 15 v - 4,17 м (TC)
BC857B Taiwan Semiconductor Corporation BC857B 0,0334
RFQ
 ECAD 5457 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BC857btr Ear99 8541.21.0075 9000 45 100 май 100NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
TSM4NB60CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CH X0G 0,9576
RFQ
 ECAD 2750 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru До 251-3 лиды, Ипак TSM4NB60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251 (ipak) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 600 4a (TC) 10 В 2,5OM @ 2A, 10V 4,5 -50 мк 14,5 NC @ 10 V ± 30 v 500 pf @ 25 v - 50 yt (tc)
TSM4800N15CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4800N15CX6 RFG 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 TSM4800 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-26 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 150 1.4a (TC) 6 В, 10 В. 480mom @ 1.1a, 10 В 3,5 В @ 250 мк 8 NC @ 10 V ± 20 В. 332 PF @ 10 V - 2,1 м (TC)
TSM70N1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N1R4CP ROG 0,4660
RFQ
 ECAD 1475 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TSM70 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 700 3.3a (TC) 10 В 1,4от @ 1,2а, 10 4 В @ 250 мк 7,7 NC @ 10 V ± 30 v 370 pf @ 100 v - 38W (TC)
TSA894CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TSA894CT B0G -
RFQ
 ECAD 9861 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TSA894 1 Вт Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 10000 500 150 май 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 10ma, 50 мая 150 @ 1ma, 10 В 50 мг
BC857C Taiwan Semiconductor Corporation BC857C 0,0334
RFQ
 ECAD 3691 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BC857Ctr Ear99 8541.21.0075 9000 45 100 май 100NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
TSM10ND60CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM10ND60CI 2.2540
RFQ
 ECAD 7664 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSM10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ито-220 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tsm10nd60ci Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 600 10a (TC) 10 В 600mom @ 3a, 10 В 3,8 В @ 250 мк 38 NC @ 10 V ± 30 v 1928 PF @ 50 V - 56,8 м (TC)
TSM60N900CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CI C0G 0,7191
RFQ
 ECAD 5761 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 4.5a (TC) 10 В 900mohm @ 2,3a, 10 В 4 В @ 250 мк 9,7 NC @ 10 V ± 30 v 480 pf @ 100 v - 50 yt (tc)
TSM4NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CP ROG 2.1200
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TSM4NB60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 600 4a (TC) 10 В 2,5OM @ 2A, 10V 4,5 -50 мк 14,5 NC @ 10 V ± 30 v 500 pf @ 25 v - 50 yt (tc)
TSM210N06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM210N06CZ C0G -
RFQ
 ECAD 1104 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 60 210A (TC) 10 В 3,1mohm @ 90a, 10v 4 В @ 250 мк 160 NC @ 10 V ± 20 В. 7900 pf @ 30 v - 250 yt (TC)
TSM1N45CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N45CW RPG -
RFQ
 ECAD 9504 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 450 500 май (TC) 10 В 4,25om @ 250 мА, 10 В 4,25 -пр. 250 мк 6,5 NC @ 10 V ± 30 v 235 pf @ 25 v - 2W (TC)
TSM480P06CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM480P06CP 0,7104
RFQ
 ECAD 5988 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TSM480 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tsm480p06cptr Ear99 8541.29.0095 5000 П-канал 60 20А (TC) 4,5 В, 10. 48mohm @ 8a, 10v 2,2 pri 250 мк 22,4 NC @ 10 V ± 20 В. 1250 pf @ 30 v - -
TSM250N02DCQ Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02DCQ 0,3925
RFQ
 ECAD 8097 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-vdfn otkrыtaiNAN TSM250 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 620 март (TC) 6-tdfn (2x2) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 1801-TSM250N02DCQTR Ear99 8541.29.0095 12 000 2 n-канал 20 5.8a (TC) 25mohm @ 4a, 4,5 0,8 pri 250 мк 11NC @ 4,5 775pf @ 10v Станода
TSM060NB06CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM060NB06CZ 2.0942
RFQ
 ECAD 9982 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TSM060 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSM060NB06CZ Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 60 13a (ta), 111a (TC) 7 В, 10 В. 6mohm @ 13a, 10v 4 В @ 250 мк 103 NC @ 10 V ± 20 В. 6842 PF @ 30 V - 2W (TA), 156W (TC)
TSM60NB260CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB260CI C0G 4.2501
RFQ
 ECAD 9034 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 13a (TC) 10 В 260mohm @ 3,9a, 10 В 4 В @ 250 мк 30 NC @ 10 V ± 30 v 1273 PF @ 100 V - 32,1 st (TC)
BC337-25 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25 B1G -
RFQ
 ECAD 5269 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC337 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 45 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 5 В 100 мг
TSM70N600CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N600CH C5G 5.3600
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА TSM70 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251 (ipak) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 700 8a (TC) 10 В 600mohm @ 4a, 10v 4 В @ 250 мк 12,6 NC @ 10 V ± 30 v 743 pf @ 100 v - 83W (TC)
MMBT3904 Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3904 0,0288
RFQ
 ECAD 7599 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3904 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MMBT3904TR Ear99 8541.21.0075 9000 40 200 май 50NA Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 250 мг
TSM60N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380CP ROG 2.1200
RFQ
 ECAD 1998 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 600 11a (TC) 10 В 380MOHM @ 5,5A, 10 В 4 В @ 250 мк 20,5 NC @ 10 V ± 30 v 1040 pf @ 100 v - 125W (TC)
TS13005CK B0G Taiwan Semiconductor Corporation TS13005CK B0G -
RFQ
 ECAD 1228 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 TS13005 20 Вт 126 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 400 3 а 10 мк Npn 1,5- 500 май, 2,5а 24 @ 425MA, 2V -
TSM60NB1R4CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB1R4CP 1.0363
RFQ
 ECAD 1126 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tsm60nb1r4cptr Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 600 3a (TC) 10 В 1.4OM @ 900MA, 10 В 4 В @ 250 мк 7.12 NC @ 10 V ± 30 v 257,3 pf @ 100 v - 28,4W (TC)
KTC3198-O-B0 B1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-O-B0 B1G -
RFQ
 ECAD 2976 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м Создание 92 СКАХАТА DOSTISH 1801-KTC3198-O-B0B1G Управо 1 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 70 @ 150 май, 6в 80 мг
BC546B B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC546B B1G -
RFQ
 ECAD 9933 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC546 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 65 100 май 15NA (ICBO) Npn - 200 @ 2MA, 5V -
TSM301K12CQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM301K12CQ RFG 0,8200
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-vdfn otkrыtaiNAN TSM301 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-tdfn (2x2) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 4.5a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 94mohm @ 2,8a, 4,5 500 мв 250 мка (мин) 10 NC @ 5 V ± 12 В. 5.2 PF @ 6 V - 6,5 yt (tc)
TSM2N60SCW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N60SCW RPG 1.5900
RFQ
 ECAD 108 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA TSM2 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 600 600 май (TC) 10 В 5OM @ 600 мА, 10 В 4 В @ 250 мк 13 NC @ 10 V ± 30 v 435 PF @ 25 V - 2,5 yt (TC)
BC338-16 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-16 B1G -
RFQ
 ECAD 4326 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC338 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 25 В 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 5 В 100 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть