SIC
close

Транзисторы(4)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.)
HTNFET-D Honeywell Aerospace HTNFET-D -
запросить цену
 ECAD 3097 0,00000000 Ханивелл Аэроспейс НТМОС™ Масса Активный -55°С ~ 225°С (ТДж) Сквозное отверстие 8-CDIP Открытая площадка HTNFET МОП-транзистор (оксид металла) 8-CDIP-EP скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) 342-1078 EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 55 В - 5В 400 мОм при 100 мА, 5 В 2,4 В @ 100 мкА 4,3 нк при 5 В 10 В 290 пФ при 28 В - 50 Вт (ТДж)
HTNFET-T Honeywell Aerospace HTNFET-T -
запросить цену
 ECAD 4674 0,00000000 Ханивелл Аэроспейс НТМОС™ Масса Активный -55°С ~ 225°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-SIP HTNFET МОП-транзистор (оксид металла) 4-Вкладка «Мощность» скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 55 В - 5В 400 мОм при 100 мА, 5 В 2,4 В при 100 мкА 4,3 нк при 5 В 10 В 290 пФ при 28 В - 50 Вт (ТДж)
HTNFET-DC Honeywell Aerospace HTNFET-DC -
запросить цену
 ECAD 1677 г. 0,00000000 Ханивелл Аэроспейс НТМОС™ Масса Активный - Сквозное отверстие 8-CDIP Открытая площадка HTNFET МОП-транзистор (оксид металла) - скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 55 В - 5В 400 мОм при 100 мА, 5 В 2,4 В при 100 мкА 4,3 нк при 5 В 10 В 290 пФ при 28 В - 50 Вт (ТДж)
HTNFET-TC Honeywell Aerospace HTNFET-TC -
запросить цену
 ECAD 9171 0,00000000 Ханивелл Аэроспейс НТМОС™ Масса Активный - Сквозное отверстие - HTNFET МОП-транзистор (оксид металла) - скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 55 В - 5В 400 мОм при 100 мА, 5 В 2,4 В при 100 мкА 4,3 нк при 5 В 10 В 290 пФ при 28 В - 50 Вт (ТДж)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.