Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Конфигурация | Тип полярного транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | ВГС (Макс) | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Особенность левого транзистора | Рассеиваемая мощность (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIR820DP-T1-GE3 | 0,6350 | ![]() | 3781 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | СИР820 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 В | 40А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 3 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 95 НК при 10 В | ±20 В | 3512 пФ при 15 В | - | 37,8 Вт (Тс) | ||||||
![]() | SQD40N10-25-T4_GE3 | 0,6985 | ![]() | 7688 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 40 квадратных динаров | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252АА | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 742-SQD40N10-25-T4_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | N-канал | 100 В | 40А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 25 мОм при 40 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 70 НК при 10 В | ±20 В | 3380 пФ при 25 В | - | 136 Вт (Тс) | ||||
![]() | SI4620DY-T1-E3 | - | ![]() | 9669 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | СИ4620 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | N-канал | 30 В | 6А (Та), 7,5А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 35 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 13 нк @ 10 В | ±20 В | 1040 пФ при 15 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2 Вт (Та), 3,1 Вт (Тс) | |||||
![]() | SIA436DJ-T4-GE3 | 0,2467 | ![]() | 2153 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® SC-70-6 | SIA436 | МОП-транзистор (оксид металла) | PowerPAK® SC-70-6 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 742-SIA436DJ-T4-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 8 В | 12А (Тс) | 1,2 В, 4,5 В | 9,4 мОм при 15,7 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 25,2 НК при 5 В | ±5 В | 1508 пФ при 4 В | - | 3,5 Вт (Та), 19 Вт (Тс) | ||||
![]() | SQJQ148ER-T1_GE3 | 2,7200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® 8 x 8 | МОП-транзистор (оксид металла) | PowerPAK® 8 x 8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2000 г. | N-канал | 40 В | 372А (Тс) | 10 В | 1,5 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 102 НК @ 10 В | ±20 В | 5750 пФ при 25 В | - | 394 Вт (Тс) | ||||||
![]() | SI3473DV-T1-E3 | - | ![]() | 1770 г. | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | СИ3473 | МОП-транзистор (оксид металла) | 6-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | P-канал | 12 В | 5,9 А (Та) | 1,8 В, 4,5 В | 23 мОм при 7,9 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 33 НК при 4,5 В | ±8 В | - | 1,1 Вт (Та) | |||||
![]() | SI4831BDY-T1-E3 | - | ![]() | 7710 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | СИ4831 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | P-канал | 30 В | 6,6 А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 42 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 26 НК при 10 В | ±20 В | 625 пФ при 15 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2 Вт (Та), 3,3 Вт (Тс) | ||||
![]() | SI1012R-T1-GE3 | 0,4500 | ![]() | 214 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | СИ1012 | МОП-транзистор (оксид металла) | СК-75А | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | N-канал | 20 В | 500 мА (Та) | 1,8 В, 4,5 В | 700 мОм при 600 мА, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 0,75 нк при 4,5 В | ±6 В | - | 150 мВт (Та) | |||||
![]() | SI5513CDC-T1-E3 | 0,6200 | ![]() | 8418 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-СМД, плоский вывод | СИ5513 | МОП-транзистор (оксид металла) | 3,1 Вт | 1206-8 ЧипFET™ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N и P-канал | 20 В | 4А, 3,7А | 55 мОм при 4,3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4,2 нк при 5 В | 285пФ при 10В | Ворота логического уровня | ||||||
![]() | SIHJ7N65E-T1-GE3 | 1,1737 | ![]() | 7081 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | SIHJ7 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 650 В | 7,9 А (Тс) | 10 В | 598 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 44 НК при 10 В | ±30 В | 820 пФ при 100 В | - | 96 Вт (Тс) | |||||
![]() | SI7540DP-T1-GE3 | - | ![]() | 8016 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® SO-8 двойной | СИ7540 | МОП-транзистор (оксид металла) | 1,4 Вт | PowerPAK® SO-8 двойной | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N и P-канал | 12 В | 7,6 А, 5,7 А | 17 мОм при 11,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 17 НК при 4,5 В | - | Ворота логического уровня | ||||||
![]() | SI6924AEDQ-T1-GE3 | - | ![]() | 9759 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | СИ6924 | МОП-транзистор (оксид металла) | 1 Вт | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 28В | 4,1А | 33 мОм при 4,6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 10 НК при 4,5 В | - | Ворота логического уровня | ||||||
![]() | SI7236DP-T1-E3 | - | ![]() | 5143 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® SO-8 двойной | СИ7236 | МОП-транзистор (оксид металла) | 46 Вт | PowerPAK® SO-8 двойной | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | 2 N-канала (двойной) | 20 В | 60А | 5,2 мОм при 20,7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 105 НК при 10 В | 4000пФ при 10В | - | |||||||
![]() | SI5403DC-T1-GE3 | 1.0400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-СМД, плоский вывод | СИ5403 | МОП-транзистор (оксид металла) | 1206-8 ЧипFET™ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | P-канал | 30 В | 6А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 30 мОм при 7,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 42 НК при 10 В | ±20 В | 1340 пФ при 15 В | - | 2,5 Вт (Та), 6,3 Вт (Тс) | ||||
![]() | SIHA22N60AEL-GE3 | - | ![]() | 3849 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ЭЛЬ | Масса | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | SIHA22 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220 Полный пакет | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1000 | N-канал | 600 В | 21А (Тс) | 10 В | 180 мОм при 11 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 82 НК при 10 В | ±30 В | 1757 пФ при 100 В | - | 35 Вт (Тс) | |||||
![]() | SQS966ENW-T1_GE3 | 0,9800 | ![]() | 8853 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | PowerPAK® 1212-8W двойной | SQS966 | МОП-транзистор (оксид металла) | 27,8 Вт (Тс) | PowerPAK® 1212-8W двойной | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | 2 N-канала (двойной) | 60В | 6А (Тс) | 36 мОм при 1,25 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 8,8 НК при 10 В | 572пФ при 25 В | - | |||||||
![]() | SI4952DY-T1-GE3 | - | ![]() | 8181 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | СИ4952 | МОП-транзистор (оксид металла) | 2,8 Вт | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | 2 N-канала (двойной) | 25 В | 8А | 23 мОм при 7 А, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 18 НК @ 10 В | 680пФ при 13В | Ворота логического уровня | ||||||
![]() | SIHU2N80AE-GE3 | 1,0000 | ![]() | 7765 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Э | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | СИХУ2 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-251АА | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 742-SIHU2N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 800 В | 2,9 А (Тс) | 10 В | 2,9 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 10,5 НК при 10 В | ±30 В | 180 пФ при 100 В | - | 62,5 Вт (Тс) | ||||
![]() | SI2303BDS-T1 | - | ![]() | 6326 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СИ2303 | МОП-транзистор (оксид металла) | СОТ-23-3 (ТО-236) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | P-канал | 30 В | 1,49 А (Та) | 4,5 В, 10 В | 200 мОм при 1,7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10 нк @ 10 В | ±20 В | 180 пФ при 15 В | - | 700 мВт (Та) | ||||
![]() | SI7456CDP-T1-GE3 | 1,6700 | ![]() | 3200 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | СИ7456 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 100 В | 27,5 А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 23,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 23 НК при 10 В | ±20 В | 730 пФ при 50 В | - | 5 Вт (Та), 35,7 Вт (Тс) | |||||
![]() | SIHF28N60EF-GE3 | 3.3075 | ![]() | 4560 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | SIHF28 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220 Полный пакет | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 600 В | 28А (Тс) | 10 В | 123 мОм при 14 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 120 НК при 10 В | ±30 В | 2714 пФ при 100 В | - | 39 Вт (Тс) | |||||
![]() | IRFB9N60APBF-BE3 | 3.0800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | IRFB9 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | скачать | 1 (без блокировки) | 742-IRFB9N60APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 600 В | 9,2 А (Тс) | 750 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 49 НК при 10 В | ±30 В | 1400 пФ при 25 В | - | 170 Вт (Тс) | ||||||
| IRF9510 | - | ![]() | 1283 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | IRF9510 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | *IRF9510 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1000 | P-канал | 100 В | 4А (Тс) | 10 В | 1,2 Ом @ 2,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8,7 НК при 10 В | ±20 В | 200 пФ при 25 В | - | 43 Вт (Тс) | ||||
![]() | SI5902BDC-T1-GE3 | 1,3200 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-СМД, плоский вывод | СИ5902 | МОП-транзистор (оксид металла) | 3,12 Вт | 1206-8 ЧипFET™ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | 2 N-канала (двойной) | 30 В | 4А | 65 мОм при 3,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7 нк @ 10 В | 220пФ при 15В | Ворота логического уровня | ||||||
![]() | SI3456BDV-T1-GE3 | - | ![]() | 2013 год | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | СИ3456 | МОП-транзистор (оксид металла) | 6-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 В | 4,5 А (Та) | 4,5 В, 10 В | 35 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13 нк @ 10 В | ±20 В | - | 1,1 Вт (Та) | |||||
| IRFBC40A | - | ![]() | 5275 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | IRFBC40 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | *IRFBC40A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1000 | N-канал | 600 В | 6,2 А (Тс) | 10 В | 1,2 Ом @ 3,7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 42 НК при 10 В | ±30 В | 1036 пФ при 25 В | - | 125 Вт (Тс) | ||||
![]() | SI5433BDC-T1-GE3 | - | ![]() | 1923 год | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-СМД, плоский вывод | СИ5433 | МОП-транзистор (оксид металла) | 1206-8 ЧипFET™ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | P-канал | 20 В | 4,8 А (Та) | 1,8 В, 4,5 В | 37 мОм при 4,8 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 22 нк @ 4,5 В | ±8 В | - | 1,3 Вт (Та) | |||||
![]() | SQM120N04-1M7L_GE3 | 3.4300 | ![]() | 3976 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 120 кв.м. | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-канал | 40 В | 120А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 1,7 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 285 НК при 10 В | ±20 В | 14606 пФ при 20 В | - | 375 Вт (Тс) | |||||
![]() | SIR472ADP-T1-GE3 | 0,6400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | СИР472 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 В | 18А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 9 мОм при 15 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 28 НК при 10 В | ±20 В | 1040 пФ при 15 В | - | 3,3 Вт (Та), 14,7 Вт (Тс) | |||||
![]() | SI7114DN-T1-GE3 | 0,8005 | ![]() | 8612 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® 1212-8 | СИ7114 | МОП-транзистор (оксид металла) | PowerPAK® 1212-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 В | 11,7 А (Та) | 4,5 В, 10 В | 7,5 мОм при 18,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 19 НК @ 4,5 В | ±20 В | - | 1,5 Вт (Та) |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)