Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Конфигурация | Тип полярного транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | ВГС (Макс) | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Особенность левого транзистора | Рассеиваемая мощность (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI1917EDH-T1-E3 | - | ![]() | 9386 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | СИ1917 | МОП-транзистор (оксид металла) | 570мВт | СК-70-6 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | 2 P-канала (двойной) | 12 В | 1А | 370 мОм при 1 А, 4,5 В | 450 мВ при 100 мкА (мин) | 2 нк @ 4,5 В | - | Ворота логического уровня | ||||||
![]() | IRF510STRLPBF | 1,4900 | ![]() | 320 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | ИРФ510 | МОП-транзистор (оксид металла) | Д²ПАК (ТО-263) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-канал | 100 В | 5,6 А (Тс) | 10 В | 540 мОм при 3,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8,3 НК при 10 В | ±20 В | 180 пФ при 25 В | - | 43 Вт (Тс) | |||||
| ИРФБ9Н60АПБФ | 3.0800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | ИРФБ9Н60 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | *IRFB9N60APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 600 В | 9,2 А (Тс) | 10 В | 750 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 49 НК при 10 В | ±30 В | 1400 пФ при 25 В | - | 170 Вт (Тс) | |||||
![]() | SIHK125N60E-T1-GE3 | 5.2300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Э | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-PowerBSFN | МОП-транзистор (оксид металла) | PowerPAK®10 х 12 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2000 г. | N-канал | 600 В | 21А (Тс) | 10 В | 125 мОм при 12 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 44 НК при 10 В | ±30 В | 1811 пФ при 100 В | - | 132 Вт (Тс) | ||||||
![]() | SIA921EDJ-T1-GE3 | 0,6300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | SIA921 | МОП-транзистор (оксид металла) | 7,8 Вт | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | 2 P-канала (двойной) | 20 В | 4,5 А | 59 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 23 НК при 10 В | - | Ворота логического уровня | |||||||
![]() | SIA426DJ-T1-GE3 | - | ![]() | 1651 г. | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® SC-70-6 | SIA426 | МОП-транзистор (оксид металла) | PowerPAK® SC-70-6 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 20 В | 4,5 А (Тс) | 2,5 В, 10 В | 23,6 мОм при 9,9 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 27 НК при 10 В | ±12 В | 1020 пФ при 10 В | - | 3,5 Вт (Та), 19 Вт (Тс) | |||||
![]() | SQJ459EP-T1_GE3 | 1,4600 | ![]() | 1721 г. | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | SQJ459 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | P-канал | 60 В | 52А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 18 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 108 НК при 10 В | ±20 В | 4586 пФ при 30 В | - | 83 Вт (Тс) | |||||
![]() | 2N5115JTVL02 | - | ![]() | 4741 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Устаревший | - | Сквозное отверстие | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 2Н5115 | ТО-206АА (ТО-18) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
![]() | SIHD9N60E-GE3 | 1,9500 | ![]() | 9189 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Э | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | SIHD9 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252АА | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 600 В | 9А (Тц) | 10 В | 368 мОм при 4,5 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 52 НК при 10 В | ±30 В | 778 пФ при 100 В | - | 78 Вт (Тс) | |||||
![]() | SQ4282EY-T1_BE3 | 1,5100 | ![]() | 92 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | SQ4282 | МОП-транзистор (оксид металла) | 3,9 Вт (Тс) | 8-СОИК | скачать | 1 (без блокировки) | 742-SQ4282EY-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | 2 N-канала (двойной) | 30В | 8А (Тс) | 12,3 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 47 НК при 10 В | 2367пФ при 15 В | - | |||||||
![]() | СИР500ДП-Т1-РЕ3 | 1,6400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | TrenchFET® Gen V | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 742-SIR500DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 В | 85,9А (Та), 350,8А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 0,47 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 180 НК при 10 В | +16В, -12В | 8960 пФ при 15 В | - | 6,25 (Та), 104,1 Вт (Т Втс) | |||||
![]() | SUM70101EL-GE3 | 4.2300 | ![]() | 6937 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | SUM70101 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263 (Д²Пак) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | P-канал | 100 В | 120А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 10,1 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 190 НК при 10 В | ±20 В | 7000 пФ при 50 В | - | 375 Вт (Тс) | |||||
![]() | IRFL9014PBF | - | ![]() | 6170 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-261-4, ТО-261АА | IRFL9014 | МОП-транзистор (оксид металла) | СОТ-223 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 4000 | P-канал | 60 В | 1,8 А (Тс) | 10 В | 500 мОм при 1,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 12 НК @ 10 В | ±20 В | 270 пФ при 25 В | - | 2 Вт (Та), 3,1 Вт (Тс) | |||||
![]() | ИРФ730СПБФ | 1,1708 | ![]() | 4448 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | ИРФ730 | МОП-транзистор (оксид металла) | Д²ПАК (ТО-263) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | *IRF730SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1000 | N-канал | 400 В | 5,5 А (Тс) | 10 В | 1 Ом @ 3,3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 38 НК при 10 В | ±20 В | 700 пФ при 25 В | - | 3,1 Вт (Та), 74 Вт (Тс) | ||||
![]() | IRLL014PBF | - | ![]() | 2201 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-261-4, ТО-261АА | IRLL014 | МОП-транзистор (оксид металла) | СОТ-223 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | N-канал | 60 В | 2,7 А (Тс) | 4В, 5В | 200 мОм при 1,6 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 8,4 НК при 5 В | ±10 В | 400 пФ при 25 В | - | 2 Вт (Та), 3,1 Вт (Тс) | |||||
![]() | SI8425DB-T1-E1 | 0,5900 | ![]() | 1239 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-УФБГА, ВЛЦСП | СИ8425 | МОП-транзистор (оксид металла) | 4-ВЛЦП (1,6х1,6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | P-канал | 20 В | 5,9 А (Та) | 1,8 В, 4,5 В | 23 мОм при 2 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 110 НК при 10 В | ±10 В | 2800 пФ при 10 В | - | 1,1 Вт (Та), 2,7 Вт (Тс) | ||||
![]() | SI4913DY-T1-GE3 | - | ![]() | 3943 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | СИ4913 | МОП-транзистор (оксид металла) | 1,1 Вт | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | 2 P-канала (двойной) | 20 В | 7.1А | 15 мОм при 9,4 А, 4,5 В | 1 В @ 500 мкА | 65 НК при 4,5 В | - | Ворота логического уровня | ||||||
![]() | SIHFRC20TR-GE3 | 0,9400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252АА | скачать | 1 (без блокировки) | 742-SIHFRC20TR-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2000 г. | N-канал | 600 В | 2А (Тс) | 10 В | 4,4 Ом при 1,2 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 18 НК @ 10 В | ±20 В | 350 пФ при 25 В | - | 2,5 Вт (Та), 42 Вт (Тс) | ||||||
![]() | SIHA6N80E-GE3 | 2.5100 | ![]() | 6318 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Э | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | СИХА6 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220 Полный пакет | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1000 | N-канал | 800 В | 5,4 А (Тс) | 10 В | 940 мОм при 3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 44 НК при 10 В | ±30 В | 827 пФ при 100 В | - | 31 Вт (Тс) | |||||
![]() | SIR638ADP-T1-RE3 | 1,8000 | ![]() | 139 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | TrenchFET® Gen IV | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | СИР638 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 40 В | 100А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 0,88 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 165 НК при 10 В | +20 В, -16 В | 9100 пФ при 100 В | - | 104 Вт (Тс) | |||||
![]() | IRFI9520N | - | ![]() | 2239 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ИРФИ9520 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-3 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | *IRFI9520N | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | P-канал | 100 В | 5,5 А (Тс) | 10 В | 480 мОм при 4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 27 НК при 10 В | ±20 В | 350 пФ при 25 В | - | 30 Вт (Тс) | ||||
![]() | IRFD9220PBF | 2,7600 | ![]() | 2009 год | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) | ИРФД9220 | МОП-транзистор (оксид металла) | 4-ХВМДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | P-канал | 200 В | 560 мА (Та) | 10 В | 1,5 Ом при 340 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 15 нк @ 10 В | ±20 В | 340 пФ при 25 В | - | 1 Вт (Та) | |||||
![]() | SI1012R-T1-GE3 | 0,4500 | ![]() | 214 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | СИ1012 | МОП-транзистор (оксид металла) | СК-75А | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | N-канал | 20 В | 500 мА (Та) | 1,8 В, 4,5 В | 700 мОм при 600 мА, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 0,75 нк при 4,5 В | ±6 В | - | 150 мВт (Та) | |||||
![]() | SI5513CDC-T1-E3 | 0,6200 | ![]() | 8418 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-СМД, плоский вывод | СИ5513 | МОП-транзистор (оксид металла) | 3,1 Вт | 1206-8 ЧипFET™ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N и P-канал | 20 В | 4А, 3,7А | 55 мОм при 4,3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4,2 нк при 5 В | 285пФ при 10В | Ворота логического уровня | ||||||
![]() | SIHJ7N65E-T1-GE3 | 1,1737 | ![]() | 7081 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | SIHJ7 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 650 В | 7,9 А (Тс) | 10 В | 598 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 44 НК при 10 В | ±30 В | 820 пФ при 100 В | - | 96 Вт (Тс) | |||||
| ИРФ640ПБФ | 1,9900 | ![]() | 795 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | ИРФ640 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | *IRF640PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 200 В | 18А (Тс) | 10 В | 180 мОм при 11 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 70 НК при 10 В | ±20 В | 1300 пФ при 25 В | - | 125 Вт (Тс) | |||||
![]() | IRFR014TRLPBF-BE3 | 1,5900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | IRFR014 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252АА | скачать | 1 (без блокировки) | 742-IRFR014TRLPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 60 В | 7,7 А (Тс) | 200 мОм при 4,6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 11 нк @ 10 В | ±20 В | 300 пФ при 25 В | - | 2,5 Вт (Та), 25 Вт (Тс) | ||||||
![]() | SIHD11N80AE-T1-GE3 | 1,8000 | ![]() | 7909 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Э | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | МОП-транзистор (оксид металла) | Д-Пак | скачать | 1 (без блокировки) | 742-SIHD11N80AE-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2000 г. | N-канал | 800 В | 8А (Тс) | 10 В | 450 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 42 НК при 10 В | ±30 В | 804 пФ при 100 В | - | 78 Вт (Тс) | ||||||
![]() | SI3455ADV-T1-E3 | - | ![]() | 8487 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | СИ3455 | МОП-транзистор (оксид металла) | 6-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | P-канал | 30 В | 2,7 А (Та) | 4,5 В, 10 В | 100 мОм при 3,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13 нк @ 10 В | ±20 В | - | 1,14 Вт (Та) | |||||
![]() | SI4894BDY-T1-E3 | 1,3200 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | СИ4894 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | N-канал | 30 В | 8,9 А (Та) | 4,5 В, 10 В | 11 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 38 НК при 10 В | ±20 В | 1580 пФ при 15 В | - | 1,4 Вт (Та) |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)