RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Траншисторб (1307)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	Baзowый nomer prodikta	Тела	СИЛА - МАКС	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодадж	Коунфигура	В конце	ТИП ФЕТ	Прирост	Naprayeseee	Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	Vgs (mmaks)	Взёр.	FET FUONKSHINA	Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	Это	Vce saturation (max) @ ib, ic	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD	ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)	На	TOOK - ВОРОТАТА	ТОК - ДОЛИНА (IV)	ТОК - ПИК
CMPT3904E TR PBFREE	0,4200	RFQ	169	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPT3904		350 м	SOT-23	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000																40	200 май	-	Npn	200 мВ @ 5ma, 50 мая	100 @ 10ma, 1в	300 мг
CP127-2N6301-CT	-	RFQ	2249	Central Semiconductor Corp	-	Поднос	Актифен	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Пефер	Умират				Умират	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0040	1																80	8 а	500 мк	Npn - дарлино	3v @ 80ma, 8a	750 @ 4a, 3v	4 мг
2N5878 PBFREE	-	RFQ	5423	Central Semiconductor Corp	-	Трубка	Управо	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-204AA, TO-3			150 Вт	По 3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	20																80	10 а	1MA	Npn	3v @ 2,5a, 10a	20 @ 4a, 4v	4 мг
2N4424 Pbfree	0,3800	RFQ	7	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	2500																40	500 май	30NA	Npn	300 мВ @ 3ma, 50 мая	180 @ 2ma, 4,5 В	-
CP547-MJ11015-CTJ28	-	RFQ	9183	Central Semiconductor Corp	CP547	Поднос	Управо		Пефер	Умират				Умират	СКАХАТА	Rohs	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Управо	0000.00.0000	1
CMLDM3737 TR PBFREE	0,4800	RFQ	22	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	SOT-563, SOT-666	CMLDM3737	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	350 м	SOT-563	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	3000	2 n-канал (Дзонано)					20	540 май		550mom @ 540ma, 4,5	1В @ 250 мк	158NC @ 4,5		150pf @ 16v	Logiчeskichй yrowenhe
CMPP6028 TR PBFREE	2.7700	RFQ	6	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен			Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPP6028				СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	3000		6в			40										167 м									600 м	10 NA	25 мк	150 NA
CET3904E TR PBFREE	0,4900	RFQ	9	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	SC-101, SOT-883	CET3904		250 м	SOT-883	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	8000																40	200 май	-	Npn	200 мВ @ 5ma, 50 мая	100 @ 10ma, 1в	300 мг
2N3393 PBFREE	0,6100	RFQ	1	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	2500																25 В		100NA (ICBO)	Npn	-	90 @ 2ma, 4,5 В	120 мг
2n4895 Pbfree	11.9500	RFQ	363	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо	-	Чereз dыru	205 годов, 39-3 Металлабанка				Не 39	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	500																60		1 мка	Npn	-	40 @ 2a, 2v	50 мг
CTLDM7120-M832DS BK	-	RFQ	1124	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8-tdfn oftkrыtaiNavaIn-o	CTLDM7120	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	1,65 Вт	TLM832DS	СКАХАТА		1 (neograniчennnый)			Ear99	8541.29.0095	1	2 n-канал (Дзонано)					20	1a (ta)		100mohm @ 500ma, 4,5	1,2 h @ 1ma	2.4NC @ 4,5		220pf @ 10 a.	Logiчeskichй yrowenhe
2N3791 PBFREE	6.5300	RFQ	6	Central Semiconductor Corp	-	Трубка	Прохл	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-204AA, TO-3			150 Вт	По 3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	20																60	10 а	-	Pnp	1V @ 500 май, 5а	50 @ 1a, 2v	4 мг
PN2906A PBFREE	-	RFQ	2576	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	PN2906		625 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	2500																60	600 май	10NA (ICBO)	Pnp	1,6 В @ 50 май, 500 маточков	100 @ 150 май, 10 В	200 мг
2N2914	-	RFQ	2837	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо	-	Чereз dыru	До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА	2N291		600 м	128-6	СКАХАТА	Rohs	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	1																45	30 май	-	2 npn (дВОХАНЕй)	-	150 @ 10 мк, 5в	60 мг
Cyta44d Bk	-	RFQ	3989	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	SOT-228	Cyta44		2W	SOT-228	СКАХАТА				1514-Cyta44DBK	Ear99	8541.29.0095	1																400	300 май	500NA	2 npn (дВОХАНЕй)	750 мВ @ 5ma, 50 ма	50 @ 10ma, 10 В	20 мг
CP373-CMPDM303NH-WN	-	RFQ	4345	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Умират		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		Умират	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)			Ear99	8541.29.0040	1			N-канал			30	3.6a (TA)	2,5 В, 4,5 В.	78mohm @ 1,8a, 2,5	1,2- 250 мк	13 NC @ 4,5	12	590 PF @ 10 V	-	-
CP188-BC107A-CT	-	RFQ	2704	Central Semiconductor Corp	-	Поднос	Управо	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Пефер	Умират			600 м	Умират	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)		1514-CP188-BC107A-CT	Ear99	8541.29.0040	1																45	200 май	15NA (ICBO)		600 мВ @ 5ma, 100 мая	110 @ 2ma, 5 В
MPQ2907 PBFREE	-	RFQ	8943	Central Semiconductor Corp	-	Трубка	Управо	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	14-Dip (0,300 ", 7,62 ММ)	MPQ2907		650 м	Дол-116	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	25																40	600 май	50na (ICBO)	4 PNP (квадрат)	1,6 В @ 30 май, 300 мая	50 @ 300 май, 10 В	200 мг
BC856BT TR PBFREE	0,4300	RFQ	19	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	SC-89, SOT-490	BC856		250 м	SOT-523	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000																65	100 май	15NA (ICBO)	Pnp	400 мВ @ 5ma, 100 мая	220 @ 2MA, 5V	100 мг
TIP32A PBFREE	0,6296	RFQ	3518	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Прохл	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3	TIP32		40	220-3	СКАХАТА	Rohs3		DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	50																60	3 а	300 мк	Pnp	1,2 - @ 375MA, 3A	25 @ 1a, 4v	3 мг
CZT5401 TR PBFREE	1.2600	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	261-4, 261AA	CZT5401		2 Вт	SOT-223	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0075	1000																150	600 май	50na (ICBO)	Pnp	500 мВ @ 5ma, 50 ма	60 @ 10ma, 5 В	300 мг
Cmut5551e tr	-	RFQ	9501	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	SC-89, SOT-490			250 м	SOT-523	СКАХАТА		1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000																220	600 май	50NA	Npn	100 мВ @ 5ma, 50 мая	120 @ 10ma, 5 В	300 мг
CMPTA64 TR PBFREE	0,5000	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPTA64		350 м	SOT-23	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000																30	500 май	100NA (ICBO)	PNP - ДАРЛИНГТОН	1,5 -прри 100 мк, 100 май	20000 @ 100ma, 5 В	125 мг
CTLM7410-M832D Tr	-	RFQ	7795	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8-tdfn oftkrыtaiNavaIn-o	CTLM7410		1,65 Вт	TLM832D	СКАХАТА				1514-CTLM7410-M832DTR	Ear99	8541.29.0075	1																25 В	1A	100NA (ICBO)	2 PNP (DVOйNOй)	450 мВ @ 100ma, 1a	100 @ 500 май, 1в	100 мг
CMUT5551 TR PBFREE	0,1019	RFQ	6840	Central Semiconductor Corp	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	SC-89, SOT-490	CMUT5551		250 м	SOT-523	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	3000																160	600 май	50na (ICBO)	Npn	200 мВ @ 5ma, 50 мая	80 @ 10ma, 5в	300 мг
2N5194	-	RFQ	6975	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	225AA, 126-3			40	126	СКАХАТА	Rohs	1 (neograniчennnый)	DOSTISH	2N5194CS	Ear99	8541.29.0095	1000																60	4 а	1MA	Pnp	1,4 - @ 1a, 4a	25 @ 1,5A, 2V	2 мг
2N6099 PBFREE	1.2243	RFQ	4441	Central Semiconductor Corp	-	Трубка	Прохл	-	Чereз dыru	220-3			75 Вт	220-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	50																60	10 а	-	Npn	-	-	5 мг
2N708 PBFREE	6.7400	RFQ	2	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	-	Чereз dыru	206aa, 18-3 Металлана Банканка				18	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	2000																15		25 мк (ICBO)	Npn	-	30 @ 10ma, 1v	400 мг
2n2907a pbfree	2.4100	RFQ	6	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Актифен	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	206aa, 18-3 Металлана Банканка			400 м	18	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0075	2000																60	600 май	10NA (ICBO)	Pnp	1,6 В @ 50 май, 500 маточков	100 @ 150 май, 10 В	200 мг
2n5109 Pbfree	-	RFQ	6235	Central Semiconductor Corp	-	МАССА	Управо	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	205 годов, 39-3 Металлабанка			1 Вт	Не 39	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	500				-												20	400 май		Npn		40 @ 50ma, 15	1,2 -е	3db @ 200 мг.