SIC
close

Транзисторы(54)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тип полярного транзистора Условия испытаний Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Время обратного восстановления (trr) Тип БТИЗ Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-коллекторный импульсный (Icm) Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic Переключение энергии Заряд от ворот Td (вкл/выкл) при 25°C Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход
BUJ100LR,126 WeEn Semiconductors BUJ100LR,126 0,0626
запросить цену
 ECAD 8685 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и коробка (ТБ) Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения БУЖ100 2,1 Вт ТО-92-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934063371126 EAR99 8541.29.0095 10 000 400 В 1 А 1 мА НПН 1,5 В при 250 мА, 750 мА 10 @ 400 мА, 5 В -
WNSCM80120RQ WeEn Semiconductors WNSCM80120RQ 9.2597
запросить цену
 ECAD 3688 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 ВНСКМ80120 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247-4Л - EAR99 8541.29.0095 240 N-канал 1200 В 45А (Та) 20 В 98 мОм при 20 А, 20 В 4,5 В при 6 мА 59 НК при 20 В +25В, -10В 1350 пФ при 1000 В - 270 Вт (Та)
BUJ105AB,118 WeEn Semiconductors БУЖ105АБ,118 0,4219
запросить цену
 ECAD 7929 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ BUJ105 125 Вт Д2ПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 800 400 В 8 А 100 мкА НПН 1 В при 800 мА, 4 А 13 @ 500 мА, 5 В -
WNSC2M1K0170WQ WeEn Semiconductors WNSC2M1K0170WQ 3,7616
запросить цену
 ECAD 5309 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСК2 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247-3 скачать EAR99 8541.29.0095 240 N-канал 1700 В 7А (Та) 15В, 18В 1 Ом @ 1 А, 18 В 4,2 В при 800 мкА 12 НК при 18 В +22В, -10В 225 пФ при 1000 В - 79 Вт (Та)
OP241,005 WeEn Semiconductors ОП241005 0,1895
запросить цену
 ECAD 1357 0,00000000 ВеЭн Полупроводники * Поднос Активный ОП241 - - 1 (без блокировки) 0000.00.0000 1 -
BUJ302AD,118 WeEn Semiconductors БУЖ302АД, 118 0,8500
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 БУЖ302 80 Вт ДПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2500 400 В 4 А 250 мА НПН 1,5 В при 1 А, 3,5 А 25 при 800 мА, 3 В -
PHE13007,127 WeEn Semiconductors PHE13007,127 0,7100
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 PHE13 80 Вт ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 400 В 8 А 200 мкА НПН 350 мВ при 1 А, 5 А 8 @ 2А, 5В -
OP528,005 WeEn Semiconductors ОП528005 0,1922
запросить цену
 ECAD 7196 0,00000000 ВеЭн Полупроводники * Поднос Активный ОП528 - - 1 (без блокировки) 0000.00.0000 1 -
PHE13005,127 WeEn Semiconductors PHE13005,127 0,6000
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 PHE13 75 Вт ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 400 В 4 А 100 мкА НПН 1 В при 1 А, 4 А 10 @ 2А, 5В -
WNSCM80120WQ WeEn Semiconductors WNSCM80120WQ 8.2460
запросить цену
 ECAD 4369 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСКМ80120 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247-3 - EAR99 8541.29.0095 600 N-канал 1200 В 42А (Та) 20 В 98 мОм при 20 А, 20 В 4,5 В при 6 мА 59 НК при 20 В +25В, -10В 1350 пФ при 1000 В - 230 Вт (Та)
PHE13005X,127 WeEn Semiconductors PHE13005X,127 -
запросить цену
 ECAD 8017 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка PHE13 26 Вт ТО-220Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 400 В 4 А 100 мкА НПН 1 В при 1 А, 4 А 10 @ 2А, 5В -
OP533,005 WeEn Semiconductors ОП533005 0,3375
запросить цену
 ECAD 5733 0,00000000 ВеЭн Полупроводники * Поднос Активный ОП533 - - 1 (без блокировки) 0000.00.0000 1 -
BUJ100,126 WeEn Semiconductors BUJ100,126 0,1183
запросить цену
 ECAD 4770 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и коробка (ТБ) Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения БУЖ100 2 Вт ТО-92-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934055572126 EAR99 8541.29.0095 10 000 400 В 1 А 100 мкА НПН 1 В при 150 мА, 750 мА 9 @ 750 мА, 5 В -
PHD13003C,126 WeEn Semiconductors PHD13003C,126 0,0861
запросить цену
 ECAD 1206 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и коробка (ТБ) Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения PHD13 2,1 Вт ТО-92-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934063921126 EAR99 8541.29.0095 10 000 400 В 1,5 А 100 мкА НПН 1,5 В при 500 мА, 1,5 А 5 @ 1А, 2В -
BUJ303CD,118 WeEn Semiconductors BUJ303CD,118 0,2830
запросить цену
 ECAD 2255 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 БУЖ303 80 Вт ДПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2500 400 В 5 А 100 мкА НПН 1,5 В при 1 А, 3 А 28 @ 10 мА, 3 В -
BUJD105AD,118 WeEn Semiconductors BUJD105AD,118 0,3365
запросить цену
 ECAD 3854 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 БУДЖД1 80 Вт ДПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2500 400 В 8 А 100 мкА НПН 1 В при 800 мА, 4 А 13 @ 500 мА, 5 В -
WG50N65DHWQ WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ 3.5500
запросить цену
 ECAD 754 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 РГ50Н65Д Стандартный 278 Вт ТО-247-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 1740-WG50N65DHWQ EAR99 8541.29.0095 600 400В, 50А, 10Ом, 15В 105 нс Траншейная полевая остановка 650 В 91 А 200 А 2В @ 15В, 50А 1,7 мДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) 160 НК 66 нс/163 нс
BUJ303A,127 WeEn Semiconductors BUJ303A,127 0,9000
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 БУЖ303 100 Вт ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 539 500 В 5 А 100 мкА НПН 1,5 В при 600 мА, 3 А 14 @ 500 мА, 5 В -
BUJ403A/DG,127 WeEn Semiconductors BUJ403A/ДГ, 127 0,3617
запросить цену
 ECAD 6447 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 BUJ403 100 Вт ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1000 550 В 6 А 100 мкА НПН 1 В при 400 мА, 2 А 20 при 500 мА, 5 В -
OP529,005 WeEn Semiconductors OP529,005 0,4250
запросить цену
 ECAD 8904 0,00000000 ВеЭн Полупроводники * Поднос Активный ОП529 - - 1 (без блокировки) 0000.00.0000 1 -
BUJ103AX,127 WeEn Semiconductors BUJ103AX,127 0,3617
запросить цену
 ECAD 7669 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка BUJ103 26 Вт ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1000 400 В 4 А 100 мкА НПН 1 В при 600 мА, 3 А 12 @ 500 мА, 5 В -
BUJ303AX,127 WeEn Semiconductors БУЖ303АХ, 127 0,3182
запросить цену
 ECAD 9205 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка БУЖ303 32 Вт ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1000 500 В 5 А 100 мкА НПН 1,5 В при 600 мА, 3 А 10 @ 5 мА, 5 В -
BUJ100,412 WeEn Semiconductors BUJ100 412 0,1183
запросить цену
 ECAD 3046 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) БУЖ100 2 Вт ТО-92-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 400 В 1 А 100 мкА НПН 1 В при 150 мА, 750 мА 9 @ 750 мА, 5 В -
OP526,005 WeEn Semiconductors ОП526,005 0,4325
запросить цену
 ECAD 8381 0,00000000 ВеЭн Полупроводники * Поднос Активный ОП526 - - 1 (без блокировки) 0000.00.0000 1 -
BUJ106A,127 WeEn Semiconductors BUJ106A,127 0,4219
запросить цену
 ECAD 3878 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 BUJ106 80 Вт ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1000 400 В 10 А 100 мкА НПН 1 В при 1,2 А, 6 А 14 @ 500 мА, 5 В -
TB100ML WeEn Semiconductors ТБ100МЛ 0,0878
запросить цену
 ECAD 5963 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и коробка (ТБ) Активный 150°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения ТБ100 2 Вт ТО-92-3 скачать 1 (без блокировки) 934068209126 EAR99 8541.29.0095 10 000 700 В 1 А 100 мкА НПН 1 В при 150 мА, 750 мА 14 @ 100 мА, 5 В -
WNSCM160120WQ WeEn Semiconductors WNSCM160120WQ 5.2221
запросить цену
 ECAD 1676 г. 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСКМ160120 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247-3 скачать EAR99 8541.29.0095 600 N-канал 1200 В 24А (Та) 20 В 196 мОм при 10 А, 20 В 4,5 В при 3 мА 35 НК при 20 В +25В, -10В 736 пФ при 1000 В - 155 Вт (Та)
BUJ403A,127 WeEn Semiconductors BUJ403A,127 0,3432
запросить цену
 ECAD 8838 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 BUJ403 100 Вт ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1000 550 В 6 А 100 мкА НПН 1 В при 400 мА, 2 А 20 при 500 мА, 5 В -
BUJ105A,127 WeEn Semiconductors BUJ105A,127 0,3617
запросить цену
 ECAD 8091 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 BUJ105 80 Вт ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 400 В 8 А 100 мкА НПН 1 В при 800 мА, 4 А 13 @ 500 мА, 5 В -
PHE13003C,412 WeEn Semiconductors PHE13003C,412 0,4500
запросить цену
 ECAD 19 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) PHE13 2,1 Вт ТО-92-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934063922412 EAR99 8541.29.0095 5000 400 В 1,5 А 100 мкА НПН 1,5 В при 500 мА, 1,5 А 5 @ 1А, 2В -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.