SIC
close

Транзисторы(22)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Частота Технология Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Напряжение - Тест
GPI65060DFN GaNPower GPI65060DFN 30.0000
запросить цену
 ECAD 19 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж Править GaNFET (нитрид галлия) Править скачать Непригодный Поставщик не определен Поставщик не определен 4025-GPI65060DFNTR EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 650 В 60А 6В 1,2 В при 3,5 мА 16 нк @ 6 В +7,5 В, -12 В 420 пФ при 400 В - -
GPI4TIC15DFV GaNPower GPI4TIC15DFV 9.3600
запросить цену
 ECAD 211 0,00000000 GaNPower - Трубка Активный 900 В 8-WDFN Открытая площадка - МОП-транзистор 8-ДФН (8х8) скачать 4025-GPI4TIC15DFV 1 N-канал - 2,5 А - - - 6,5 В
GPIXV30DFN GaNPower GPIXV30DFN -
запросить цену
 ECAD 1692 г. 0,00000000 GaNPower - Сумка Активный - Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка GaNFET (нитрид галлия) 8-ДФН (8х8) - 4025-GPIXV30DFN 1 N-канал 1200 В 30А - - - - - -
GPIHV30SB5L GaNPower ГПИХВ30СБ5Л 22.0000
запросить цену
 ECAD 8552 0,00000000 GaNPower - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж Править GaNFET (нитрид галлия) Править скачать Непригодный Поставщик не определен Поставщик не определен 4025-GPIHV30SB5L 1 N-канал 1200 В 30А 6В 1,4 В при 3,5 мА 8,25 НК при 6 В +7,5 В, -12 В 236 пФ при 400 В - -
GPI65010DF56 GaNPower GPI65010DF56 5.0000
запросить цену
 ECAD 340 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж Править GaNFET (нитрид галлия) Править скачать Непригодный Поставщик не определен Поставщик не определен 4025-GPI65010DF56TR EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 650 В 10А 6В 1,4 В при 3,5 мА 2,6 НК при 6 В +7,5 В, -12 В 90 пФ при 400 В - -
GPI65030TO5L GaNPower GPI65030TO5L 15.0000
запросить цену
 ECAD 90 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж GaNFET (нитрид галлия) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 4025-GPI65030TO5LTR 3А001 8541.49.7000 1 N-канал 650 В 30А 6В 1,4 В при 3,5 мА 5,8 нк при 6 В +7,5 В, -12 В 241 пФ при 400 В
GPI65007DF88 GaNPower GPI65007DF88 3,9600
запросить цену
 ECAD 30 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж GaNFET (нитрид галлия) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 4025-GPI65007DF88TR 3А001 8541.49.7000 1 N-канал 650 В 7А 6В 1,5 В при 3,5 мА 2,1 НК при 6 В +7,5 В, -12 В 60 пФ при 500 В
GPI65008DF56 GaNPower GPI65008DF56 4.0000
запросить цену
 ECAD 53 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж Править GaNFET (нитрид галлия) Править скачать Непригодный Поставщик не определен Поставщик не определен 4025-GPI65008DF56TR EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 650 В 8А 6В 1,4 В при 3,5 мА 2,1 НК при 6 В +7,5 В, -12 В 63 пФ при 400 В - -
GPI65008DF68 GaNPower GPI65008DF68 4.0000
запросить цену
 ECAD 990 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж GaNFET (нитрид галлия) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 4025-GPI65008DF68TR 3А001 8541.49.7000 1 N-канал 650 В 8А 6В 1,7 В при 3,5 мА 2,1 НК при 6 В +7,5 В, -12 В 63 пФ при 400 В
GPI6TIC15DFV GaNPower GPI6TIC15DFV 9.3600
запросить цену
 ECAD 226 0,00000000 GaNPower - Трубка Активный 900 В 8-WDFN Открытая площадка - МОП-транзистор 8-ДФН (8х8) скачать 4025-GPI6TIC15DFV 1 N-канал - 2,5 А - - - 6,5 В
GPI65015DFN GaNPower GPI65015DFN 7.5000
запросить цену
 ECAD 121 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж Править GaNFET (нитрид галлия) Править скачать Непригодный Поставщик не определен Поставщик не определен 4025-GPI65015DFNTR EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 650 В 15А 6В 1,2 В при 3,5 мА 3,3 нк при 6 В +7,5 В, -12 В 116 пФ при 400 В - -
GPI65005DF GaNPower GPI65005DF 2.5000
запросить цену
 ECAD 200 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж Править GaNFET (нитрид галлия) Править скачать Непригодный Поставщик не определен Поставщик не определен 4025-GPI65005DFTR EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 650 В 5А 6В 1,4 В @ 1,75 мА 2,6 НК при 6 В +7,5 В, -12 В 45 пФ при 400 В - -
GPI65007DF56 GaNPower GPI65007DF56 3,9600
запросить цену
 ECAD 40 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж GaNFET (нитрид галлия) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 4025-GPI65007DF56TR 3А001 8541.49.7000 1 N-канал 650 В 7А 6В 1,5 В при 3,5 мА 2,1 НК при 6 В +7,5 В, -12 В 76,1 пФ при 400 В
GPIHV7DK GaNPower ГПИХВ7ДК 5.3000
запросить цену
 ECAD 490 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж GaNFET (нитрид галлия) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 4025-GPIHV7DKTR 3А001 8541.49.7000 1 N-канал 1200 В 7А 6В 1,7 В при 3,5 мА 3,1 нк при 6 В +7,5 В, -12 В 90 пФ при 700 В
GPIHV30DFN GaNPower GPIHV30DFN 22.0000
запросить цену
 ECAD 128 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж Править GaNFET (нитрид галлия) Править скачать Непригодный Поставщик не определен Поставщик не определен 4025-GPIHV30DFNTR EAR99 8541.10.0080 1 N-канал 1200 В 30А 6В 1,4 В при 3,5 мА 8,25 НК при 6 В +7,5 В, -12 В 236 пФ при 400 В - -
GPIHV5DK GaNPower ГПИХВ5ДК 3.8000
запросить цену
 ECAD 25 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж GaNFET (нитрид галлия) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 4025-ГПИХВ5ДКТР 3А001 8541.49.7000 1 N-канал 1200 В 5А 6В 1,7 В при 3,5 мА 1,9 НК при 6 В +7,5 В, -12 В 90 пФ при 700 В
GPIRGIC15DFV GaNPower ГПИРГИК15ДФВ 9.3600
запросить цену
 ECAD 424 0,00000000 GaNPower - Сумка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка GaNFET (нитрид галлия) 8-ДФН (8х8) скачать 4025-GPIRGIC15DFV 5 N-канал 900 В 2,5 А (Тс) 5В, 8В 105 мОм при 2,5 А, 0 В
GPIHV14DF GaNPower GPIHV14DF -
запросить цену
 ECAD 5412 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж GaNFET (нитрид галлия) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 4025-GPIHV14DFTR 3А001 8541.49.7000 1 N-канал 1200 В 14А 6В 1,7 В при 3,5 мА 4 нк @ 6 В +7,5 В, -12 В 60 пФ при 700 В
GPI65005DF68 GaNPower GPI65005DF68 2.5000
запросить цену
 ECAD 490 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж GaNFET (нитрид галлия) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 4025-GPI65005DF68TR 3А001 8541.49.7000 1 N-канал 650 В 5А 6В 1,7 В при 3,5 мА 1,6 НК при 6 В +7,5 В, -12 В 39 пФ при 500 В
GPIHV10DK GaNPower ГПИХВ10ДК 7.5000
запросить цену
 ECAD 340 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж GaNFET (нитрид галлия) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 4025-ГПИХВ10ДКТР 3А001 8541.49.7000 1 N-канал 1200 В 10А 6В 1,7 В при 3,5 мА 3,5 НК при 6 В +7,5 В, -12 В 105 пФ при 700 В
GPI65030DFN GaNPower GPI65030DFN 15.0000
запросить цену
 ECAD 105 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж Править GaNFET (нитрид галлия) Править скачать Непригодный Поставщик не определен Поставщик не определен 4025-GPI65030DFNTR EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 650 В 30А 6В 1,2 В при 3,5 мА 5,8 нк при 6 В +7,5 В, -12 В 241 пФ при 400 В - -
GPI65015TO GaNPower GPI65015ТО 7.5000
запросить цену
 ECAD 2478 0,00000000 GaNPower - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж Править GaNFET (нитрид галлия) Править скачать Непригодный Поставщик не определен Поставщик не определен 4025-GPI65015TO EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 650 В 15А 6В 1,2 В при 3,5 мА 3,3 нк при 6 В +7,5 В, -12 В 123 пФ при 400 В - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.