 
       Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Конфигурация | Тип полярного транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | ВГС (Макс) | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Особенность левого транзистора | Рассеиваемая мощность (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | ТК6А80Е,С4С | 1,8900 |  | 15 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | π-МОСVIII | Трубка | Активный | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | ТК6А80 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220СИС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 800 В | 6А (Та) | 10 В | 1,7 Ом при 3 А, 10 В | 4 В @ 600 мкА | 32 НК при 10 В | ±30 В | 1350 пФ при 25 В | - | 45 Вт (Тс) | ||||||||||||||
|  | НСВМУН5214DW1T3G | 0,4200 |  | 9 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | НСВМУН5214 | 250 мВт | СК-88/СК70-6/СОТ-363 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | 50 В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 80 при 5 мА, 10 В | - | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||
|  | SI4936ADY-T1-GE3 | 0,9072 |  | 5028 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | СИ4936 | МОП-транзистор (оксид металла) | 1,1 Вт | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | 2 N-канала (двойной) | 30 В | 4,4А | 36 мОм при 5,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 20 НК при 10 В | - | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||
|  | JANTX2N3507U4 | - |  | 8928 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/349 | Масса | Активный | -65°С ~ 200°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 3-СМД, без свинца | 1 Вт | U4 | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 В | 1 мкА | 1 мкА | НПН | 1,5 В при 250 мА, 2,5 А | 35 при 500 мА, 1 В | - | |||||||||||||||||||
|  | PN5134 | - |  | 2052 | 0,00000000 | онсеми | - | Масса | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | PN513 | 625 мВт | ТО-92-3 | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | PN5134-НДР | EAR99 | 8541.21.0095 | 2000 г. | 10 В | 500 мА | 400 нА | НПН | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 20 @ 10 мА, 1 В | - | |||||||||||||||||
|  | TSM2N100CP РОГ | - |  | 1954 год | 0,00000000 | Тайванская полупроводниковая корпорация | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТСМ2Н100 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252, (Д-Пак) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | N-канал | 1000 В | 1,85 А (Тс) | 10 В | 8,5 Ом при 900 мА, 10 В | 5,5 В при 250 мкА | 17 НК при 10 В | ±30 В | 625 пФ при 25 В | - | 77 Вт (Тс) | |||||||||||||
|  | MD2009DFX | - |  | 3900 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Трубка | Устаревший | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-3П-3 Полный пакет | МД2009 | 58 Вт | ТО-3ПФ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 700 В | 10 А | 200 мкА | НПН | 2,8 В при 1,4 А, 5,5 А | 5 @ 5,5 А, 5 В | - | |||||||||||||||||
|  | IRF7467TRPBF | - |  | 2989 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Шестигранный транзистор® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СО | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 4000 | N-канал | 30 В | 11А (Та) | 2,8 В, 10 В | 12 мОм при 11 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 32 НК при 4,5 В | ±12 В | 2530 пФ при 15 В | - | 2,5 Вт (Та) | |||||||||||||||
| JANTX2N4234 | 40.5517 |  | 4050 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/580 | Масса | Активный | -65°С ~ 200°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 2Н4234 | 1 Вт | ТО-39 (ТО-205АД) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 В | 1 А | 1 мА | ПНП | 600 мВ при 100 мА, 1 А | 30 при 250 мА, 1 В | - | ||||||||||||||||||
|  | JANTX2N5685 | - |  | 6902 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/464 | Масса | Снято с производства в НИЦ | -55°С ~ 200°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-204АА, ТО-3 | 300 Вт | ТО-3 (ТО-204АА) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 В | 50 А | 500 мкА | НПН | 5 В при 10 А, 50 А | 15 @ 25А, 2В | - | ||||||||||||||||||
|  | ACX114YUQ-13R | 0,0480 |  | 4008 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | АСХ114 | 270мВт | СОТ-363 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 50 В | 100 мА | - | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | - | - | 250 МГц | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||
|  | НСВBC124XPDXV6T1G | 0,1154 |  | 8776 | 0,00000000 | онсеми | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | НСВБК124 | 500мВт | СОТ-563 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 2832-NSVBC124XPDXV6T1GTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 4000 | 50 В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 80 при 5 мА, 10 В | - | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||
|  | MJF31C | - |  | 3136 | 0,00000000 | онсеми | - | Трубка | Устаревший | -65°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | MJF31 | 2 Вт | ТО-220ФП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 В | 3 А | 300 мкА | НПН | 1,2 В @ 375 мА, 3 А | 10 @ 3А, 4В | 3 МГц | |||||||||||||||||
|  | MPSA43_D74Z | - |  | 9554 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и коробка (ТБ) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения | MPSA43 | 625 мВт | ТО-92-3 | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0095 | 2000 г. | 200 В | 200 мА | 100нА (ИКБО) | НПН | 400 мВ при 2 мА, 20 мА | 50 при 30 мА, 10 В | 50 МГц | ||||||||||||||||||
|  | MPS2907ARL | - |  | 1391 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | - | Сквозное отверстие | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | МПС290 | 625 мВт | ТО-92 (ТО-226) | - | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0075 | 2000 г. | 60 В | 600 мА | 10нА (ИКБО) | ПНП | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | 100 при 150 мА, 10 В | 200 МГц | |||||||||||||||||
|  | 2N5318 | 519.0900 |  | 4895 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | -65°С ~ 200°С (ТДж) | Крепление шпильки | ТО-211МА, ТО-210АС, ТО-61-4, Шпилька | 87 Вт | ТО-61 | - | REACH не касается | 150-2Н5318 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 В | 10 А | - | ПНП | - | - | - | |||||||||||||||||||
| MJE2955T | 1.1400 |  | 2172 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Трубка | Активный | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | MJE2955 | 75 Вт | ТО-220 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 В | 10 А | 700 мкА | ПНП | 8 В при 3,3 А, 10 А | 20 @ 4А, 4В | 2 МГц | ||||||||||||||||||
|  | JANTX2N336A | - |  | 6478 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Масса | Активный | 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | ТО-5 | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | 0000.00.0000 | 1 | 45 В | 10 мА | - | НПН | - | - | - | |||||||||||||||||||||
|  | БКП52-16ТФ | 0,4800 |  | 3 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-261-4, ТО-261АА | BCP52 | 1,3 Вт | СОТ-223 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0075 | 4000 | 60 В | 1 А | 100нА (ИКБО) | ПНП | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | 100 при 150 мА, 2 В | 140 МГц | |||||||||||||||||
|  | ДДТА144ВКА-7-Ф | - |  | 5494 | 0,00000000 | Диодс Инкорпорейтед | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ДДТА144 | 200 мВт | СК-59-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0075 | 3000 | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 56 @ 10 мА, 5 В | 250 МГц | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||
| СТД10Н60М6 | 0,9022 |  | 2348 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | МДмеш™ М6 | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | СТД10 | МОП-транзистор (оксид металла) | Д-ПАК (ТО-252) | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 497-СТД10Н60М6ТР | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | N-канал | 600 В | 6,4 А (Тс) | 10 В | 600 мОм при 3,2 А, 10 В | 4,75 В при 250 мкА | 8,8 НК при 10 В | ±25 В | 338 пФ при 100 В | - | 60 Вт (Тс) | ||||||||||||||
|  | НСБА143EF3T5G | 0,0598 |  | 8877 | 0,00000000 | онсеми | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОТ-1123 | НСБА143 | 254 МВт | СОТ-1123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0095 | 8000 | 50 В | 100 мА | 500нА | ПНП — предварительный смещенный | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 15 @ 5 мА, 10 В | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||
|  | ISC0605NLSATMA1 | 1,4175 |  | 8427 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | * | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 448-ISC0605NLSATMA1TR | 5000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PN200A | - |  | 4505 | 0,00000000 | онсеми | - | Масса | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Ру200 | 625 мВт | ТО-92-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 45 В | 500 мА | 50нА | ПНП | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | 300 при 10 мА, 1 В | 250 МГц | |||||||||||||||||
|  | 2Н6278 | 245,8638 |  | 7875 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | * | Масса | Активный | 2Н6278 | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
|  | PHPT60610PYX | - |  | 8194 | 0,00000000 | НХП Полупроводники | - | Масса | Активный | 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-100, СОТ-669 | 1,5 Вт | ЛФПАК56, Мощность-СО8 | скачать | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 В | 10 А | 100нА | ПНП | 470 мВ при 1 А, 10 А | 120 при 500 мА, 2 В | 85 МГц | |||||||||||||||||||||
| ЯНСР2Н3636 | - |  | 2656 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/357 | Масса | Активный | -65°С ~ 200°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 1 Вт | ТО-39 (ТО-205АД) | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 175 В | 10 мкА | 10 мкА | ПНП | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | 50 при 50 мА, 10 В | - | ||||||||||||||||||||
|  | JANTXV2N6693 | - |  | 6368 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/538 | Масса | Активный | -65°С ~ 200°С (ТДж) | Крепление шпильки | ТО-211МА, ТО-210АС, ТО-61-4, Шпилька | 3 Вт | ТО-61 | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 В | 15 А | 1 мА (ИКБО) | НПН | 1 В при 3 А, 15 А | 15 @ 1А, 3В | - | |||||||||||||||||||
|  | ЯН2Н3763Л | - |  | 8203 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Военный, MIL-PRF-19500/396 | Масса | Активный | -55°С ~ 200°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 1 Вт | ТО-5АА | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 В | 1,5 А | 100 мкА (ИКБО) | ПНП | 900 мВ при 100 мА, 1 А | 40 при 500 мА, 1 В | - | |||||||||||||||||||
|  | STW160N75F3 | - |  | 3255 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | СТРипФЕТ™ | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | STW160 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-247-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 75 В | 120А (Тс) | 10 В | 4 мОм при 60 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 85 НК при 10 В | ±20 В | 6750 пФ при 25 В | - | 330 Вт (Тс) | 

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
 Список желаний (0 шт.)
Список желаний (0 шт.)