SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Частота Технология Мощность - Макс. Вход Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Тип БТИЗ Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic Напряжение – Тест Напряжение – проба (В(BR)GSS) Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) Ток-отсечка коллектора (макс.) НТЦ-термистор Входная емкость (Cies) при Vce Сопротивление - RDS(Вкл.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies БСЗ123Н08НС3ГАТМА1 1,5800
запросить цену
ECAD 7984 0,00000000 Инфинеон Технологии Оптимос™ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN БСЗ123 МОП-транзистор (оксид металла) ПГ-ТСДСОН-8 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 80 В 10А (Та), 40А (Тс) 6В, 10В 12,3 мОм при 20 А, 10 В 3,5 В @ 33 мкА 25 НК при 10 В ±20 В 1700 пФ при 40 В - 2,1 Вт (Та), 66 Вт (Тс)
SKI06048 Sanken SKI06048 -
запросить цену
ECAD 6392 0,00000000 Санкен - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 800 N-канал 60 В 85А (Тс) 4,5 В, 10 В 4,7 мОм при 55 А, 10 В 2,5 В @ 1,5 мА 90,6 НК при 10 В ±20 В 6210 пФ при 25 В - 135 Вт (Тс)
IXFT74N20Q IXYS IXFT74N20Q -
запросить цену
ECAD 4283 0,00000000 ИКСИС - Трубка Устаревший IXFT74 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 30 -
SI6981DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6981DQ-T1-E3 -
запросить цену
ECAD 9611 0,00000000 Вишай Силиконикс ТренчFET® Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) СИ6981 МОП-транзистор (оксид металла) 830мВт 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 3000 2 P-канала (двойной) 20 В 4,1А 31 мОм при 4,8 А, 4,5 В 900 мВ при 300 мкА 25 НК при 4,5 В - Ворота логического уровня
IXTP80N075L2 IXYS IXTP80N075L2 7.7400
запросить цену
ECAD 100 0,00000000 ИКСИС Линейный L2™ Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 IXTP80 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается -IXTP80N075L2 EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 75 В 80А (Тс) 10 В 24 мОм при 40 А, 10 В 4,5 В при 250 мкА 103 НК при 10 В ±20 В 3600 пФ при 25 В - 357 Вт (Тс)
MMDF1N05ER2 onsemi ММДФ1Н05ЕР2 -
запросить цену
ECAD 2786 0,00000000 онсеми - Разрезанная лента (CT) Устаревший Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ММДФ1 МОП-транзистор (оксид металла) 2 Вт 8-СОИК скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 2 N-канала (двойной) 50В 300 мОм при 1,5 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 12,5 НК при 10 В 330пФ при 25В Ворота логического уровня
DMN2310U-7 Diodes Incorporated ДМН2310У-7 0,0373
запросить цену
ECAD 9386 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ДМН2310 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 скачать REACH не касается 31-ДМН2310У-7ТР EAR99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 В 1,6 А (Та) 1,8 В, 4,5 В 175 мОм при 300 мА, 4,5 В 950 мВ при 250 мкА 0,7 нк при 4,5 В ±8 В 38 пФ при 10 В - 480 мВт (Та)
IRF9395MTRPBF Infineon Technologies IRF9395MTRPBF -
запросить цену
ECAD 4892 0,00000000 Инфинеон Технологии Шестигранный транзистор® Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж DirectFET™ Изометрический MC IRF9395 МОП-транзистор (оксид металла) 2,1 Вт DIRECTFET™ MC скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается СП001566526 EAR99 8541.29.0095 4800 2 P-канала (двойной) 30 В 14А 7 МОм при 14 А, 10 В 2,4 В @ 50 мкА 64 НК при 10 В 3241пФ при 15 В Ворота логического уровня
2SC4935-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4935-Y,Q(Дж -
запросить цену
ECAD 8469 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2SC4935 2 Вт ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 50 В 3 А 1 мкА (ИКБО) НПН 600 мВ при 200 мА, 2 А 70 при 500 мА, 2 В 80 МГц
PDTC123JE,115 NXP USA Inc. PDTC123JE,115 -
запросить цену
ECAD 9674 0,00000000 NXP США Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж СК-75, СОТ-416 ПДТК123 150 мВт СК-75 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 100 мА 1 мкА NPN — предварительный смещенный 100 мВ при 250 мкА, 5 мА 100 при 10 мА, 5 В 2,2 кОм 47 кОм
GPI65008DF56 GaNPower GPI65008DF56 4.0000
запросить цену
ECAD 53 0,00000000 GaNPower - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж Править GaNFET (нитрид галлия) Править скачать Непригодный Поставщик не определен Поставщик не определен 4025-GPI65008DF56TR EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 650 В 1,4 В при 3,5 мА 2,1 НК при 6 В +7,5 В, -12 В 63 пФ при 400 В - -
IRFU4510PBF Infineon Technologies ИРФУ4510ПБФ 1,9100
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Инфинеон Технологии Шестигранный транзистор® Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА ИРФУ4510 МОП-транзистор (оксид металла) ИПАК (ТО-251АА) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 75 N-канал 100 В 56А (Тс) 10 В 13,9 мОм при 38 А, 10 В 4 В при 100 мкА 81 НК при 10 В ±20 В 3031 пФ при 50 В - 143 Вт (Тс)
DMTH45M5LFVW-7 Diodes Incorporated ДМТХ45М5ЛФВВ-7 0,2842
запросить цену
ECAD 5887 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность 8-PowerVDFN МОП-транзистор (оксид металла) PowerDI3333-8 (SWP) Тип UX скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 31-ДМТХ45М5ЛФВВ-7ТР EAR99 8541.29.0095 2000 г. N-канал 40 В 18А (Та), 71А (Тс) 4,5 В, 10 В 5,5 мОм при 25 А, 10 В 2,3 В @ 250 мкА 13,9 НК при 10 В ±20 В 978 пФ при 20 В - 3,5 Вт (Та), 51 Вт (Тс)
BC807-25QA147 NXP USA Inc. BC807-25QA147 -
запросить цену
ECAD 6837 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.21.0075 5000
PD85035C STMicroelectronics PD85035C -
запросить цену
ECAD 3106 0,00000000 СТМикроэлектроника - Коробка Устаревший 40 В М243 PD85035 945 МГц ЛДМОС М243 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 25 350 мА 15 Вт 17,5 дБ - 13,6 В
NTJS4405NT4G onsemi NTJS4405NT4G -
запросить цену
ECAD 7406 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 NTJS44 МОП-транзистор (оксид металла) СК-88/СК70-6/СОТ-363 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 10 000 N-канал 25 В 1А (Та) 2,7 В, 4,5 В 350 мОм при 600 мА, 4,5 В 1,5 В @ 250 мкА 1,5 нк @ 4,5 В ±8 В 60 пФ при 10 В - 630 мВт (Та)
IPB180N03S4LH0ATMA1 Infineon Technologies ИПБ180Н03С4ЛХ0АТМА1 -
запросить цену
ECAD 3335 0,00000000 Инфинеон Технологии Оптимос™ Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-7, Д²Пак (6 отведений + вкладка) ИПБ180 МОП-транзистор (оксид металла) ПГ-ТО263-7-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1000 N-канал 30 В 180А (Тс) 4,5 В, 10 В 0,95 мОм при 100 А, 10 В 2,2 В при 200 мкА 300 НК при 10 В ±16 В 23000 пФ при 25 В - 250 Вт (Тс)
MMBT2907A_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT2907A_R1_00001 0,1600
запросить цену
ECAD 29 0,00000000 Панджит Интернешнл Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ММБТ2907 225 мВт СОТ-23 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3757-ММБТ2907A_R1_00001ДКР EAR99 8541.21.0075 3000 60 В 600 мА 50нА ПНП 1,6 В при 50 мА, 500 мА 100 при 150 мА, 10 В 200 МГц
DDB6U180N16RR Infineon Technologies ДДБ6У180Н16РР -
запросить цену
ECAD 2421 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж Модуль 515 Вт Стандартный Модуль скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 10 Двойной тормозной замок Траншейная полевая остановка 1200 В 140 А 2,2 В при 15 В, 100 А 1 мА Нет 6,3 нФ при 25 В
SPP100N03S2-03 Infineon Technologies СПП100Н03С2-03 -
запросить цену
ECAD 1865 г. 0,00000000 Инфинеон Технологии Оптимос™ Трубка Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 СПП100Н МОП-транзистор (оксид металла) ПГ-ТО220-3-1 скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 500 N-канал 30 В 100А (Тс) 10 В 3,3 мОм при 80 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 150 НК при 10 В ±20 В 7020 пФ при 25 В - 300 Вт (Тс)
VMO550-01F IXYS ВМО550-01Ф -
запросить цену
ECAD 4691 0,00000000 ИКСИС HiPerFET™ Коробка Устаревший -40°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси Y3-DCB ВМО550 МОП-транзистор (оксид металла) Y3-DCB скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2 N-канал 100 В 590А (Тс) 10 В 2,1 мОм при 500 мА, 10 В 6 В при 110 мА 2000 НК при 10 В ±20 В 50000 пФ при 25 В - 2200 Вт (Тс)
2N5639_D75Z onsemi 2N5639_D75Z -
запросить цену
ECAD 9945 0,00000000 онсеми - Лента и коробка (ТБ) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения 2N5639 350 мВт ТО-92-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 2000 г. N-канал 30 В 10 пФ при 12 В (ВГС) 30 В 25 при мА 20 В 60 Ом
FDP6035L Fairchild Semiconductor FDP6035L 0,8100
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник PowerTrench® Масса Активный -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 30 В 58А (Тс) 4,5 В, 10 В 11 мОм при 26 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 46 НК при 10 В ±20 В 1230 пФ при 15 В - 75 Вт (Тс)
DTC123TM3T5G onsemi DTC123TM3T5G -
запросить цену
ECAD 9646 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж СОТ-723 DTC123 260 мВт СОТ-723 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 8000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 250 мВ при 1 мА, 10 мА 160 при 5 мА, 10 В 2,2 кОм
BC80816MTF onsemi BC80816MTF -
запросить цену
ECAD 3969 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 BC808 310 мВт СОТ-23-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 3000 25 В 800 мА 100нА ПНП 700 мВ при 50 мА, 500 мА 100 на 100 мА, 1 В 100 МГц
BLF188XRGJ Ampleon USA Inc. BLF188XRGJ 226.0600
запросить цену
ECAD 192 0,00000000 Амплеон США Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 135 В Крепление на шасси СОТ-1248С BLF188 108 МГц ЛДМОС CDFM4 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0075 100 Двойной, общий источник - 40 мА 1400 Вт 24,4 дБ - 50 В
STD30NE06L STMicroelectronics СТД30НЕ06Л -
запросить цену
ECAD 2837 0,00000000 СТМикроэлектроника СТРипФЕТ™ Трубка Устаревший 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 СТД30Н МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 В 30А (Тс) 5В, 10В 28 мОм при 15 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 41 НК при 5 В ±20 В 2370 пФ при 25 В - 55 Вт (Тс)
2N5088TA onsemi 2Н5088ТА -
запросить цену
ECAD 6091 0,00000000 онсеми - Разрезанная лента (CT) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения 2N5088 625 мВт ТО-92-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 2000 г. 30 В 100 мА 50нА (ИКБО) НПН 500 мВ при 1 мА, 10 мА 300 @ 100 мкА, 5 В 50 МГц
IRF3704ZCLPBF Infineon Technologies IRF3704ZCLPBF -
запросить цену
ECAD 7489 0,00000000 Инфинеон Технологии Шестигранный транзистор® Трубка Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA МОП-транзистор (оксид металла) ТО-262 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 20 В 67А (Тс) 4,5 В, 10 В 7,9 мОм при 21 А, 10 В 2,55 В @ 250 мкА 13 нк @ 4,5 В ±20 В 1220 пФ при 10 В - 57 Вт (Тс)
IPI032N06N3GE8214AKSA1 Infineon Technologies ИПИ032N06N3GE8214AKSA1 -
запросить цену
ECAD 6516 0,00000000 Инфинеон Технологии Оптимос™ Трубка Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA ИПИ032Н МОП-транзистор (оксид металла) ПГ-ТО262-3-1 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 500 N-канал 60 В 120А (Тс) 10 В 3,2 мОм при 100 А, 10 В 4 В @ 118 мкА 165 НК при 10 В ±20 В 13000 пФ при 30 В - 188 Вт (Тс)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе