запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Дискретные полупроводниковые изделия(49)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Другие имена	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Тип полярного транзистора	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)
TPH3206LSGB	-	запросить цену	7726	Трансформировать	-	Поднос	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)	3-PQFN (8x8)	скачать		3 (168 часов)	1707-TPH3206LSGB	EAR99	8541.29.0095	1	N-канал	650 В	16А (Тс)	8В	180 мОм при 10 А, 8 В	2,6 В @ 500 мкА	6,2 НК при 4,5 В	±18 В	720 пФ при 480 В	-	81 Вт (Тс)
ТП65Х150Г4ПС	6.8700	запросить цену	7335	Трансформировать	-	Трубка	Активный							-		1 (без блокировки)	1707-ТП65Х150Г4ПС			50
ТП65Х150Г4ЛСГ	5.0100	запросить цену	3843	Трансформировать	-	Разрезанная лента (CT)	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	2-PowerTSFN	ТП65Х150	GaNFET (нитрид галлия)	2-PQFN (8x8)	-		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	60	N-канал	650 В	13А (Тс)	10 В	180 мОм при 8,5 А, 10 В	4,8 В при 500 мкА	8 НК при 10 В	±20 В	598 пФ при 400 В	-	52 Вт (Тс)
ТПХ3208ПС	-	запросить цену	9166	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3	ТПХ3208	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)	ТО-220АБ	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50	N-канал	650 В	20А (Тс)	10 В	130 мОм при 13 А, 8 В	2,6 В @ 300 мкА	14 НК @ 8 В	±18 В	760 пФ при 400 В	-	96 Вт (Тс)
TP65H480G4JSG-TR	3,9800	запросить цену	3	Трансформировать	-	Лента и катушка (TR)	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-СМД, плоский вывод	ТП65Х480	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)	3-PQFN (5x6)	скачать		3 (168 часов)	1707-TP65H480G4JSG-ТР	EAR99	8541.29.0095	4000	N-канал	650 В	3,6 А (Тс)	8В	560 мОм при 3,4 А, 8 В	2,8 В при 500 мкА	9 нк @ 8 В	±18 В	760 пФ при 400 В	-	13,2 Вт (Тс)
ТПХ3202LS	-	запросить цену	8182	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)	3-PQFN (8x8)	скачать		3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	60	N-канал	600 В	9А (Тц)	10 В	350 мОм при 5,5 А, 8 В	2,5 В при 250 мкА	9,3 нк при 4,5 В	±18 В	760 пФ при 480 В	-	65 Вт (Тс)
ТП90Х180ПС	11.5200	запросить цену	146	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3	ТП90Х180	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)	ТО-220АБ	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50	N-канал	900 В	15А (Тс)	10 В	205 мОм при 10 А, 10 В	2,6 В @ 500 мкА	10 нк @ 8 В	±18 В	780 пФ при 600 В	-	78 Вт (Тс)
TP65H070LDG-TR	13.1200	запросить цену	1543 г.	Трансформировать	ТП65Х070Л	Трубка	Снято с производства в НИЦ	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-PowerDFN	ТП65Х070	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)	3-PQFN (8x8)	скачать		3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	60	N-канал	650 В	25А (Тс)	10 В	85 мОм при 16 А, 10 В	4,8 В при 700 мкА	9,3 НК при 10 В	±20 В	600 пФ при 400 В	-	96 Вт (Тс)
TPH3207WS	-	запросить цену	6540	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-247-3		GaNFET (нитрид галлия)	ТО-247-3	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	30	N-канал	650 В	50А (Тс)	10 В	41 мОм при 32 А, 8 В	2,65 В при 700 мкА	42 НК при 8 В	±18 В	2197 пФ при 400 В	-	178 Вт (Тс)
TP65H300G4LSG-TR	4.8000	запросить цену	6	Трансформировать	-	Разрезанная лента (CT)	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-PowerDFN	ТП65Х300	GaNFET (нитрид галлия)	3-PQFN (8x8)	скачать		3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	3000	N-канал	650 В	6,5 А (Тс)	8В	312 мОм при 5 А, 8 В	2,6 В @ 500 мкА	9,6 НК при 8 В	±18 В	760 пФ при 400 В	-	21 Вт (Тс)
ТПХ3208LS	-	запросить цену	6350	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)	3-PQFN (8x8)	скачать		3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	60	N-канал	650 В	20А (Тс)	10 В	130 мОм при 13 А, 8 В	2,6 В @ 300 мкА	14 НК @ 8 В	±18 В	760 пФ при 400 В	-	96 Вт (Тс)
ТП65Х070Г4ПС	8.6500	запросить цену	1	Трансформировать	СуперГаН®	Трубка	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3		GaNFET (нитрид галлия)	ТО-220АБ	-	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	1707-ТП65Х070Г4ПС	EAR99	8541.29.0095	50	N-канал	650 В	29А (Тц)	10 В	85 мОм при 18 А, 10 В	4,7 В при 700 мкА	9 нк @ 10 В	±20 В	638 пФ при 400 В	-	96 Вт (Тс)
ТПХ3208ЛД	-	запросить цену	5876	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	4-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)	4-PQFN (8x8)	скачать		3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	60	N-канал	650 В	20А (Тс)	10 В	130 мОм при 13 А, 8 В	2,6 В при 300 мкА	14 НК @ 8 В	±18 В	760 пФ при 400 В	-	96 Вт (Тс)
ТПХ3206LS	-	запросить цену	3589	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)	ПКФН (8х8)	скачать		3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	60	N-канал	600 В	17А (Ц)	10 В	180 мОм при 11 А, 8 В	2,6 В @ 500 мкА	9,3 нк при 4,5 В	±18 В	760 пФ при 480 В	-	96 Вт (Тс)
TPH3206LDGB	-	запросить цену	9500	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)	ПКФН (8х8)	скачать	Соответствует RoHS	3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	60	N-канал	650 В	16А (Тс)	10 В	180 мОм при 11 А, 8 В	2,6 В @ 500 мкА	9,3 нк при 4,5 В	±18 В	760 пФ при 480 В	-	81 Вт (Тс)
ТП65Х150ЛСГ	-	запросить цену	1989 год	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)	3-PQFN (8x8)	скачать	Соответствует ROHS3	3 (168 часов)	1707-ТП65Х150ЛСГ	EAR99	8541.29.0095	60	N-канал	650 В	15А (Тс)	10 В	180 мОм при 10 А, 10 В	4,8 В при 500 мкА	7,1 нк при 10 В	±20 В	576 пФ при 400 В	-	69 Вт (Тс)
TP65H070LSG	-	запросить цену	6794	Трансформировать	ТП65Х070Л	Трубка	Снято с производства в НИЦ	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-PowerDFN	ТП65Х070	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)	3-PQFN (8x8)	скачать		3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	60	N-канал	650 В	25А (Тс)	10 В	85 мОм при 16 А, 10 В	4,8 В @ 700 мкА	9,3 НК при 10 В	±20 В	600 пФ при 400 В	-	96 Вт (Тс)
TP65H050G4WS	15.0700	запросить цену	469	Трансформировать	СуперГаН®	Трубка	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-247-3	ТП65Х050	GaNFET (нитрид галлия)	ТО-247-3	скачать	Соответствует ROHS3	3 (168 часов)	1707-TP65H050G4WS	EAR99	8541.29.0095	30	N-канал	650 В	34А (Тс)	10 В	60 мОм при 22 А, 10 В	4,8 В при 700 мкА	24 НК при 10 В	±20 В	1000 пФ при 400 В	-	119 Вт (Тс)
TPH3208LSG	-	запросить цену	5407	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)	3-PQFN (8x8)	скачать	Соответствует RoHS	3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	60	N-канал	650 В	20А (Тс)	10 В	130 мОм при 14 А, 8 В	2,6 В при 300 мкА	42 НК при 8 В	±18 В	760 пФ при 400 В	-	96 Вт (Тс)
TPH3206LSB	-	запросить цену	7803	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)	ПКФН (8х8)	скачать		3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	60	N-канал	650 В	16А (Тс)	10 В	180 мОм при 10 А, 8 В	2,6 В @ 500 мкА	6,2 НК при 4,5 В	±18 В	720 пФ при 480 В	-	81 Вт (Тс)
TPH3206LDB	-	запросить цену	5638	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	4-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)	ПКФН (8х8)	скачать		3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	60	N-канал	650 В	16А (Тс)	10 В	180 мОм при 10 А, 8 В	2,6 В @ 500 мкА	6,2 НК при 4,5 В	±18 В	720 пФ при 480 В	-	81 Вт (Тс)
TP65H480G4JSG	1,5354	запросить цену	7595	Трансформировать	СуперГаН®	Масса	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	2-PowerTSFN		GaNFET (нитрид галлия)	2-PQFN (5x6)	скачать			1707-TP65H480G4JSG			4000	N-канал	650 В	3,6 А (Тс)	8В	560 мОм при 3,4 А, 8 В	2,8 В @ 500 мкА	9 нк @ 8 В	±18 В	760 пФ при 400 В	-	13,2 Вт (Тс)
TPH3208LDG	10.8100	запросить цену	150	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-PowerDFN		GaNFET (нитрид галлия)	3-PQFN (8x8)	скачать	Соответствует RoHS	3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	60	N-канал	650 В	20А (Тс)	10 В	130 мОм при 13 А, 8 В	2,6 В при 300 мкА	14 НК @ 8 В	±18 В	760 пФ при 400 В	-	96 Вт (Тс)
ТПХ3206ПД	10.7500	запросить цену	96	Трансформировать	-	Трубка	Не для новых дизайнов	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3	ТПХ3206	GaNFET (нитрид галлия)	ТО-220АБ	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50	N-канал	600 В	17А (Ц)	10 В	180 мОм при 11 А, 8 В	2,6 В @ 500 мкА	9,3 нк при 4,5 В	±18 В	760 пФ при 480 В	-	96 Вт (Тс)
ТПХ3208ПД	-	запросить цену	1499	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 150°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3		GaNFET (нитрид галлия)	ТО-220АБ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50	N-канал	650 В	20А (Тс)	10 В	130 мОм при 13 А, 8 В	2,6 В при 300 мкА	14 НК @ 8 В	±18 В	760 пФ при 400 В	-	96 Вт (Тс)
ТПХ3206ПС	9.9000	запросить цену	659	Трансформировать	-	Трубка	Не для новых дизайнов	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3	ТПХ3206	GaNFET (нитрид галлия)	ТО-220АБ	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50	N-канал	600 В	17А (Ц)	10 В	180 мОм при 11 А, 8 В	2,6 В @ 500 мкА	9,3 нк при 4,5 В	±18 В	760 пФ при 480 В	-	96 Вт (Тс)
TP65H035WSQA	22.1500	запросить цену	367	Трансформировать	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Трубка	Активный	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-247-3	ТП65Х035	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)	ТО-247-3	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	60	N-канал	650 В	47,2А (Тс)	10 В	41 мОм при 32 А, 10 В	4,5 В при 1 мА	24 НК при 10 В	±20 В	1500 пФ при 400 В		187 Вт (Тс)
TP90H050WS	17.9700	запросить цену	9053	Трансформировать	-	Трубка	Активный	-55°С ~ 150°С	Сквозное отверстие	ТО-247-3	ТП90Х050	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)	ТО-247-3	скачать		1 (без блокировки)	1707-TP90H050WS	EAR99	8541.29.0095	30	N-канал	900 В	34А (Тс)	10 В	63 мОм при 22 А, 10 В	4,4 В при 700 мкА	17,5 НК при 10 В	±20 В	980 пФ при 600 В	-	119 Вт (Тс)
ТПХ3202ПС	-	запросить цену	7536	Трансформировать	-	Трубка	Устаревший	-55°С ~ 175°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3		GaNFET (нитрид галлия)	ТО-220АБ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50	N-канал	600 В	9А (Тц)	10 В	350 мОм при 5,5 А, 8 В	2,5 В при 250 мкА	9,3 нк при 4,5 В	±18 В	760 пФ при 480 В	-	65 Вт (Тс)
TP65H035G4WS	18.6500	запросить цену	533	Трансформировать	-	Трубка	Активный	-55°С ~ 150°С	Сквозное отверстие	ТО-247-3	ТП65Х035	GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия)	ТО-247-3	скачать		1 (без блокировки)	1707-TP65H035G4WS	EAR99	8541.29.0095	30	N-канал	650 В	46,5 А (Тс)	10 В	41 мОм при 30 А, 10 В	4,8 В @ 1 мА	22 НК при 0 В	±20 В	1500 пФ при 400 В	-	156 Вт (Тс)