SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф
P3M12080K4 PN Junction Semiconductor П3М12080К4 11.9000
запросить цену
ECAD 9034 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12080К4 1 N-канал 1200 В 47А 15 В 96 мОм при 20 А, 15 В 2,4 В @ 5 мА (тип.) +21В, -8В - 221 Вт
P3M12017K4 PN Junction Semiconductor П3М12017К4 39.7500
запросить цену
ECAD 7138 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12017К4 1 N-канал 1200 В 151А 15 В 24 мОм при 75 А, 15 В 2,5 В при 75 мА (тип.) +25В, -10В - 789 Вт
P3D06008E2 PN Junction Semiconductor P3D06008E2 3.3300
запросить цену
ECAD 2523 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Лента и катушка (TR) Активный ТО-252-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-252-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P3D06008E2TR EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 36 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 22А
P3M07013K4 PN Junction Semiconductor P3M07013K4 33,9000
запросить цену
ECAD 4850 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М07013К4 1 N-канал 750 В 140А 15 В 16 мОм при 75 А, 15 В 2,2 В при 75 мА (тип.) +19В, -8В - 428 Вт
P3M12040K3 PN Junction Semiconductor П3М12040К3 20.9800
запросить цену
ECAD 8887 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12040К3 EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 1200 В 63А 15 В 48 мОм при 40 А, 15 В 2,2 В при 40 мА (тип.) +21В, -8В - 349 Вт
P3D06004G2 PN Junction Semiconductor P3D06004G2 2.1000
запросить цену
ECAD 6325 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Лента и катушка (TR) Активный ТО-263-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-263-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P3D06004G2TR 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 20 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 14А
P3D06002T2 PN Junction Semiconductor P3D06002T2 2.1000
запросить цену
ECAD 5217 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P3D06002T2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 10 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С
P3D06006T2 PN Junction Semiconductor P3D06006T2 2.5000
запросить цену
ECAD 2115 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P3D06006T2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 30 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 23А
P3M12040K4 PN Junction Semiconductor П3М12040К4 20.9800
запросить цену
ECAD 2699 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12040К4 1 N-канал 1200 В 63А 15 В 48 мОм при 40 А, 15 В 2,2 В при 40 мА (тип.) +21В, -8В - 349 Вт
P3M12080G7 PN Junction Semiconductor P3M12080G7 11.9000
запросить цену
ECAD 1610 г. 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА SiCFET (карбид кремния) Д2ПАК-7 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М12080Г7ТР 1 N-канал 1200 В 32А 15 В 96 мОм при 20 А, 15 В 2,2 В при 30 мА (тип.) +19В, -8В - 136 Вт
P3D12020K2 PN Junction Semiconductor P3D12020K2 12.4100
запросить цену
ECAD 5644 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-247-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д12020К2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 0 нс 60 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 51А
P3D12020K3 PN Junction Semiconductor P3D12020K3 12.4100
запросить цену
ECAD 1272 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-247-3 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д12020К3 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 70А
P3D06020T2 PN Junction Semiconductor P3D06020T2 8.8400
запросить цену
ECAD 2609 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный - ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P3D06020T2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,6 В при 20 А 0 нс 100 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 45А 904пФ при 0 В, 1 МГц
P3M06120K4 PN Junction Semiconductor P3M06120K4 9.0500
запросить цену
ECAD 2705 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-4 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-4Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06120К4 1 N-канал 650 В 27А 15 В 158 мОм при 10 А, 15 В 2,2 В при 5 мА +20В, -8В - 131 Вт
P3D12010K3 PN Junction Semiconductor P3D12010K3 6.5400
запросить цену
ECAD 3747 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-247-3 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д12010К3 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 0 нс 44 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 46А
P3D12005K2 PN Junction Semiconductor P3D12005K2 4.5000
запросить цену
ECAD 6239 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-247-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д12005К2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 0 нс 44 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 23А
PAA12400BM3 PN Junction Semiconductor ПАА12400БМ3 882.3600
запросить цену
ECAD 3564 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход - Поднос Активный -40°С ~ 175°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль ПАА12400 Карбид кремния (SiC) - Модуль скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-ПАА12400БМ3 1 2 Н-канала (полумост) 1200 В (1,2 кВ) 350А 7,3 мОм при 300 А, 20 В 5 В при 100 мА - 29,5 пФ при 1000 В -
P3M171K2K3 PN Junction Semiconductor П3М171К2К3 5.5900
запросить цену
ECAD 2230 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М171К2К3 1 N-канал 1700 В 15 В 1,4 Ом при 2 А, 15 В 2,2 В @ 2 мА (тип.) +19В, -8В - 68 Вт
P3D06020I2 PN Junction Semiconductor P3D06020I2 8.8400
запросить цену
ECAD 9682 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-220И-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220И-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д06020И2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 35А
P1H06300D8 PN Junction Semiconductor P1H06300D8 4.9800
запросить цену
ECAD 7689 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж GaNFET (нитрид галлия) ДФН8*8 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P1H06300D8TR 1 N-канал 650 В 10А - +10 В, -20 В - 55,5 Вт
P3M06120K3 PN Junction Semiconductor P3M06120K3 9.0500
запросить цену
ECAD 6996 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06120К3 1 N-канал 650 В 27А 15 В 158 мОм при 10 А, 15 В 2,2 В @ 5 мА +20В, -8В - 131 Вт
P3D12020G2 PN Junction Semiconductor P3D12020G2 12.4100
запросить цену
ECAD 4772 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Лента и катушка (TR) Активный ТО-263-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-263-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д12020Г2ТР 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 0 нс 60 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 49А
P3M06040K3 PN Junction Semiconductor P3M06040K3 12.1700
запросить цену
ECAD 2030 год 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06040К3 EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 650 В 68А 15 В 50 мОм при 40 А, 15 В 2,4 В @ 7,5 мА (тип.) +20В, -8В - 254 Вт
P3M06060K3 PN Junction Semiconductor P3M06060K3 10.3800
запросить цену
ECAD 9755 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3М Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247-3Л скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3М06060К3 1 N-канал 650 В 48А 15 В 79 мОм при 20 А, 15 В 2,2 В при 20 мА (тип.) +20В, -8В - 188 Вт
P3D06006F2 PN Junction Semiconductor P3D06006F2 2.5000
запросить цену
ECAD 2548 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-220Ф-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220Ф-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P3D06006F2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 30 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 15А
P3D06020P3 PN Junction Semiconductor P3D06020P3 8.8400
запросить цену
ECAD 6681 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-3ПФ-3 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д06020П3 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 44 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 40А
P3D06008I2 PN Junction Semiconductor P3D06008I2 3.3300
запросить цену
ECAD 4460 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-220И-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220И-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д06008И2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 36 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 21А
P3D06010G2 PN Junction Semiconductor P3D06010G2 4.1600
запросить цену
ECAD 5972 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Лента и катушка (TR) Активный ТО-263-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-263-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-П3Д06010Г2ТР 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 44 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 30А
P3D06004T2 PN Junction Semiconductor P3D06004T2 2.1000
запросить цену
ECAD 2096 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Трубка Активный ТО-220-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P3D06004T2 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 20 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 15А
P3D06010E2 PN Junction Semiconductor P3D06010E2 4.1600
запросить цену
ECAD 8153 0,00000000 Полупроводниковый ПН-переход П3Д Лента и катушка (TR) Активный ТО-252-2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-252-2 скачать Соответствует ROHS3 Затронуто REACH 4237-P3D06010E2TR 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 0 нс 44 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 28А
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе