SIC
close

Дискратн -пропрововододнико -пройк (16626)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
IRLL014NTRPBF Infineon Technologies Irll014ntrpbf 0,9100
RFQ
 ECAD 69 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA IRLL014 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 55 2а (тат) 4 В, 10 В. 140mohm @ 2a, 10v 2 В @ 250 мк 14 NC @ 10 V ± 16 В. 230 pf @ 25 v - 1 yt (tta)
IRLML6302TRPBF Infineon Technologies IRLML6302TRPBF 0,5600
RFQ
 ECAD 282 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML6302 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Micro3 ™/SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 20 780ma (TA) 2,7 В, 4,5 В. 600mohm @ 610ma, 4,5 1,5 В @ 250 мк 3,6 NC @ 4,45 ± 12 В. 97 pf @ 15 v - 540 м
IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies IRLMS1503TRPBF 0,6500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 IRLMS1503 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Micro6 ™ (TSOP-6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 3.2a (TA) 4,5 В, 10. 100mohm @ 2,2a, 10 В 1В @ 250 мк 9,6 NC @ 10 V ± 20 В. 210 pf @ 25 v - 1,7 yt (tat)
IRLMS5703TRPBF Infineon Technologies IRLMS5703TRPBF -
RFQ
 ECAD 1937 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Micro6 ™ (TSOP-6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 30 2.4a (TA) 4,5 В, 10. 180mohm @ 1,6a, 10 В 1В @ 250 мк 11 NC @ 10 V ± 20 В. 170 pf @ 25 v - 1,7 yt (tat)
IRF7341TRPBF Infineon Technologies IRF7341TRPBF 1.2900
RFQ
 ECAD 4108 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IRF734 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 2 n-канал (Дзонано) 55 4.7a 50mohm @ 4.7a, 10 В 1В @ 250 мк 36NC @ 10V 740pf @ 25V Logiчeskichй yrowenhe
IRF7204TRPBF Infineon Technologies IRF7204TRPBF -
RFQ
 ECAD 9032 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IRF7204 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 П-канал 20 5.3a (TA) 4,5 В, 10. 60mohm @ 5.3a, 10 В 2,5 -50 мк 25 NC @ 10 V ± 12 В. 860 pf @ 10 v - 2,5 yt (TC)
IRF7309TRPBF Infineon Technologies IRF7309TRPBF 1.0400
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IRF73 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,4 м 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N и п-канал 30 4а, 3а 50mohm @ 2,4a, 10 В 1В @ 250 мк 25NC @ 4,5 520pf @ 15v -
IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies IRLR2905TRLPBF 1.5600
RFQ
 ECAD 38 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRLR2905 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 55 42a (TC) 4 В, 10 В. 27mohm @ 25a, 10v 2 В @ 250 мк 48 NC @ 5 V ± 16 В. 1700 pf @ 25 v - 110 yt (tc)
IRLR3410TRRPBF Infineon Technologies IRLR3410TRRPBF 0,5621
RFQ
 ECAD 8679 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRLR3410 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 17a (TC) 4 В, 10 В. 105mohm @ 10a, 10 В 2 В @ 250 мк 34 NC @ 5 V ± 16 В. 800 pf @ 25 v - 79 Вт (ТС)
IRLR7821PBF Infineon Technologies IRLR7821PBF -
RFQ
 ECAD 6847 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001558962 Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 65A (TC) 4,5 В, 10. 10 мом @ 15a, 10 В 1В @ 250 мк 14 NC @ 4,5 ± 20 В. 1030 pf @ 15 v - 75W (TC)
IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies IRF1310NSTRLPBF 2.5400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRF1310 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 100 42a (TC) 10 В 36 МОМ @ 22A, 10 В 4 В @ 250 мк 110 NC @ 10 V ± 20 В. 1900 PF @ 25 V - 3,8 Вт (ТА), 160 Вт (TC)
IRF1404STRLPBF Infineon Technologies IRF1404strlpbf 2.8400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRF1404 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 40 162a (TC) 10 В 4mohm @ 95a, 10v 4 В @ 250 мк 200 NC @ 10 V ± 20 В. 7360 PF @ 25 V - 3,8 Вт (TA), 200 st (TC)
IRF1405STRLPBF Infineon Technologies IRF1405Strlpbf 3.0700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRF1405 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 55 131a (TC) 10 В 5,3 мома @ 101a, 10 В 4 В @ 250 мк 260 NC @ 10 V ± 20 В. 5480 PF @ 25 V - 200 yt (tc)
IRF3710STRLPBF Infineon Technologies IRF3710Strlpbf 2.3200
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRF3710 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 100 57a (TC) 10 В 23mohm @ 28a, 10v 4 В @ 250 мк 130 NC @ 10 V ± 20 В. 3130 pf @ 25 v - 200 yt (tc)
IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies IRF530NSTRLPBF 1.5700
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRF530 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 100 17a (TC) 10 В 90mohm @ 9a, 10v 4 В @ 250 мк 37 NC @ 10 V ± 20 В. 920 PF @ 25 V - 3,8 yt (ta), 70 st (tc)
IRF630NSTRRPBF Infineon Technologies IRF630NSTRRPBF -
RFQ
 ECAD 4324 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001561818 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 200 9.3a (TC) 10 В 300mohm @ 5.4a, 10 4 В @ 250 мк 35 NC @ 10 V ± 20 В. 575 PF @ 25 V - 82W (TC)
IRF7205PBF Infineon Technologies IRF7205PBF -
RFQ
 ECAD 5123 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 95 П-канал 30 4.6a (TA) 4,5 В, 10. 70mohm @ 4,6a, 10 В 3 В @ 250 мк 40 NC @ 10 V ± 20 В. 870 pf @ 10 v - 2,5 yt (TC)
IRF7307PBF Infineon Technologies IRF7307PBF -
RFQ
 ECAD 6850 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IRF73 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001559776 Ear99 8541.29.0095 95 N и п-канал 20 5.2a, 4.3a 50mohm @ 2,6a, 4,5 700 м. @ 250 мк 20nc @ 4,5 660pf @ 15v Logiчeskichй yrowenhe
IRF7342PBF Infineon Technologies IRF7342PBF -
RFQ
 ECAD 6799 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IRF734 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001571984 Ear99 8541.29.0095 95 2 P-KANOL (DVOйNOй) 55 3.4a 105mohm @ 3,4a, 10 В 1В @ 250 мк 38NC @ 10V 690pf @ 25V Logiчeskichй yrowenhe
IRF7402PBF Infineon Technologies IRF7402PBF -
RFQ
 ECAD 1765 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IRF7402 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001551318 Ear99 8541.29.0095 95 N-канал 20 6.8a (TA) 2,7 В, 4,5 В. 35mohm @ 4,1a, 4,5 700 мв 250 мка (мин) 22 NC @ 4,5 ± 12 В. 650 pf @ 15 v - 2,5 yt (tat)
IRF7413PBF Infineon Technologies IRF7413PBF -
RFQ
 ECAD 3364 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 95 N-канал 30 13a (TA) 4,5 В, 10. 11mohm @ 7.3a, 10 В 3 В @ 250 мк 79 NC @ 10 V ± 20 В. 1800 pf @ 25 v - 2,5 yt (tat)
IRF7433PBF Infineon Technologies IRF7433PBF -
RFQ
 ECAD 1706 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IRF7433 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001571932 Ear99 8541.29.0095 95 П-канал 12 8.9a (ta) 1,8 В, 4,5 В. 24mohm @ 8.7a, 4,5 900 мВ @ 250 мк 20 NC @ 4,5 ± 8 v 1877 PF @ 10 V - 2,5 yt (tat)
IRF7450PBF Infineon Technologies IRF7450PBF -
RFQ
 ECAD 8051 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001559868 Ear99 8541.29.0095 95 N-канал 200 2.5A (TA) 10 В 170mohm @ 1,5a, 10 В 5,5 В @ 250 мк 39 NC @ 10 V ± 30 v 940 pf @ 25 v - 2,5 yt (tat)
IRF7453PBF Infineon Technologies IRF7453PBF -
RFQ
 ECAD 8490 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IRF7453 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001577342 Ear99 8541.29.0095 95 N-канал 250 2.2a (TA) 10 В 230MOM @ 1,3A, 10 В 5,5 В @ 250 мк 38 NC @ 10 V ± 30 v 930 pf @ 25 v - 2,5 yt (tat)
IRF7456PBF Infineon Technologies IRF7456PBF -
RFQ
 ECAD 1443 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 95 N-канал 20 16a (TA) 2,8 В, 10 В. 6,5mohm @ 16a, 10v 2 В @ 250 мк 62 NC @ 5 V ± 12 В. 3640 PF @ 15 V - 2,5 yt (tat)
IRF7469PBF Infineon Technologies IRF7469PBF -
RFQ
 ECAD 5388 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001565446 Ear99 8541.29.0095 95 N-канал 40 9А (тат) 4,5 В, 10. 17mohm @ 9a, 10v 3 В @ 250 мк 23 NC @ 4,5 ± 20 В. 2000 pf @ 20 v - 2,5 yt (tat)
IRF7473PBF Infineon Technologies IRF7473PBF -
RFQ
 ECAD 4360 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001572110 Ear99 8541.29.0095 95 N-канал 100 6.9a (TA) 10 В 26 МОМ @ 4.1A, 10 В 5,5 В @ 250 мк 61 NC @ 10 V ± 20 В. 3180 PF @ 25 V - 2,5 yt (tat)
IRF7530TRPBF Infineon Technologies IRF7530TRPBF 0,9300
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) IRF7530 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,3 Micro8 ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 2 n-канал (Дзонано) 20 5.4a 30mohm @ 5,4a, 4,5 1,2- 250 мк 26NC @ 4,5 1310pf @ 15v -
IRF7811AVPBF Infineon Technologies IRF7811AVPBF -
RFQ
 ECAD 6152 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 95 N-канал 30 10.8a (TA) 4,5 В. 14mohm @ 15a, 4,5 3 В @ 250 мк 26 NC @ 5 V ± 20 В. 1801 PF @ 10 V - 2,5 yt (tat)
IRF7821PBF Infineon Technologies IRF7821PBF -
RFQ
 ECAD 3917 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001566368 Ear99 8541.29.0095 3800 N-канал 30 13.6a (TA) 4,5 В, 10. 9.1mohm @ 13a, 10v 1В @ 250 мк 14 NC @ 4,5 ± 20 В. 1010 pf @ 15 v - 2,5 yt (tat)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть