SIC
close

Дискратн -пропрововододнико -пройкт (6390)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ ЧastoTA Тела СИЛА - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) Current - Hold (IH) (MMAKS) ИСЛОВЕЕ ИСПАН ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) ТИП ТРИАКА На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Ш Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C В конце Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
STTH30R06D STMicroelectronics STTH30R06D -
RFQ
 ECAD 4838 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 STTH30 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-4412-5 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,85 - @ 30 a 70 млн 25 мк. 175 ° C (MMAKS) 30 часов -
PD55015STR-E STMicroelectronics PD55015Str-E 16.3350
RFQ
 ECAD 1359 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен 40 PowerSo-10 oTkrыto onhyжne PD55015 500 мг LDMOS PowerSo-10rf (praNehOй cvIneц) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 600 5A 150 май 15 Вт 14 дБ - 12,5 В.
BUV298AV STMicroelectronics BUV298AV -
RFQ
 ECAD 6440 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) ШASCI Иотоп BUV298 250 Вт Иотоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 450 50 а - Npn 1.2V @ 6.4a, 32a 12 @ 32A, 5V -
STW26N60M2 STMicroelectronics STW26N60M2 3.7700
RFQ
 ECAD 600 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M2 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STW26 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 600 N-канал 600 20А (TC) 10 В 165mohm @ 10a, 10v 4 В @ 250 мк 34 NC @ 10 V ± 25 В 1360 pf @ 100 v - 169 Вт (ТС)
BTA08-400CRG STMicroelectronics BTA08-400CRG 1.5700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BTA08 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.30.0080 50 Одинокий 25 май Станода 400 8 а 1,3 В. 80a, 84a 25 май
SD56120 STMicroelectronics SD56120 -
RFQ
 ECAD 3613 0,00000000 Stmicroelectronics - Коробка Управо 65 ШASCI M246 SD56120 860 мг LDMOS M246 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 20 14. 400 май 100 y 16 дБ - 28
STU3N80K5 STMicroelectronics Stu3n80k5 1.6200
RFQ
 ECAD 87 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА Stu3n80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251 (ipak) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 800 В 2.5a (TC) 10 В 3,5OM @ 1A, 10 В 5 w @ 100 мк 9,5 NC @ 10 V ± 30 v 130 pf @ 100 v - 60 yt (tc)
STTH20R04G STMicroelectronics STTH20R04G -
RFQ
 ECAD 1884 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STTH2 Станода D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,7 - @ 20 a 45 м 20 мка 400 175 ° C (MMAKS) 20 часов -
STB70NF03L-1 STMicroelectronics STB70NF03L-1 -
RFQ
 ECAD 2675 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA STB70N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 30 70A (TC) 5 В, 10 В. 9,5mohm @ 35a, 10v 1В @ 250 мк 30 NC @ 5 V ± 18 v 1440 PF @ 25 V - 100 yt (tc)
STTH5R06D STMicroelectronics Stth5r06d 1.8300
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 STTH5 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2,9 В @ 5 a 40 млн 20 мк. 175 ° C (MMAKS) 5A -
STW34N65M5 STMicroelectronics STW34N65M5 6.5300
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ V. Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STW34 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 650 28a (TC) 10 В 110mohm @ 14a, 10v 5 w @ 250 мк 62,5 NC @ 10 V ± 25 В 2700 pf @ 100 v - 190 Вт (ТС)
STWA75N60DM6 STMicroelectronics STWA75N60DM6 13.9900
RFQ
 ECAD 396 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ DM6 Трубка Актифен - Чereз dыru 247-3 STWA75 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Долин. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-18318 Ear99 8541.29.0095 600 N-канал 600 72A (TC) - - - ± 25 В - -
STGWA30H65DFB2 STMicroelectronics STGWA30H65DFB2 3.1300
RFQ
 ECAD 1188 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STGWA30 Станода 167 Вт Долин. - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-stgwa30h65dfb2 Ear99 8541.29.0095 600 400 В, 30., 6,8 ОМ, 15 115 м По -прежнему 650 50 а 90 а 2.1V @ 15V, 30a 270 мкд (на), 310 мк (выключен) 90 NC 18.4ns/71ns
STPSA92-AP STMicroelectronics STPSA92-AP -
RFQ
 ECAD 4912 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА STPSA92 625 м DO 92AP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 300 500 май 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 30ma, 10 В 50 мг
STB18NM80 STMicroelectronics STB18NM80 4.7100
RFQ
 ECAD 2680 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STB18 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-10117-1 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 800 В 17a (TC) 10 В 295mohm @ 8.5a, 10 В 5 w @ 250 мк 70 NC @ 10 V ± 25 В 2070 pf @ 50 v - 190 Вт (ТС)
2STL1525 STMicroelectronics 2STL1525 -
RFQ
 ECAD 4404 0,00000000 Stmicroelectronics - Симка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2 -й 1,5 DO 92L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-10888 Ear99 8541.29.0075 2000 25 В 5 а 100NA (ICBO) Npn 500 мв 40 май, 3,5а 150 @ 500 май, 2 В 120 мг
SD2932 STMicroelectronics SD2932 -
RFQ
 ECAD 2252 0,00000000 Stmicroelectronics - Коробка Управо 125 M244 SD2932 175 мг МОСС M244 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 15 N-канал 40a 500 май 300 Вт 16 дБ - 50
STWA68N65DM6 STMicroelectronics STWA68N65DM6 8.1332
RFQ
 ECAD 7206 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STWA68 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Долин. - Rohs3 DOSTISH 497-stwa68n65dm6 Ear99 8541.29.0095 600 N-канал 650 55A (TC) 10 В 59mohm @ 24a, 10 В 4,75 Е @ 250 мк 80 NC @ 10 V ± 25 В 3528 PF @ 100 V - 431W (TC)
SCTWA10N120 STMicroelectronics SCTWA10N120 10.9300
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 SCTWA10 Sicfet (kremniewый karbid) HIP247 ™ Long HADS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -1138-SCTWA10N120 Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 1200 12a (TC) 20 690mohm @ 6a, 20 В 3,5 -прри 250 мка (теп) 21 NC @ 20 V +25, -10. 300 pf @ 1000 - 110 yt (tc)
STE40NK90ZD STMicroelectronics Ste40nk90zd -
RFQ
 ECAD 1072 0,00000000 Stmicroelectronics Superfredmesh ™ Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Иотоп Ste40 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Isotop® СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 N-канал 900 40a (TC) 10 В 180mohm @ 20a, 10v 4,5 -150 мк 826 NC @ 10 V ± 30 v 25000 pf @ 25 v - 600 м (TC)
TIP117 STMicroelectronics TIP117 -
RFQ
 ECAD 5067 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP117 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 100 2 а 2MA PNP - ДАРЛИНГТОН 2,5 - @ 8ma, 2a 1000 @ 1a, 4v -
STF140N8F7 STMicroelectronics STF140N8F7 -
RFQ
 ECAD 4510 0,00000000 Stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ VII Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- STF14 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220FP - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-14227-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 80 64a (TC) 10 В 4,3mohm @ 32a, 10 В 4,5 -50 мк 96 NC @ 10 V ± 20 В. 6340 pf @ 40 v - 35 Вт (TC)
STP110N55F6 STMicroelectronics STP110N55F6 2.6700
RFQ
 ECAD 416 0,00000000 Stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ VI Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP110 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH -497-13552-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 55 110A (TC) 10 В 5,2 мома @ 60а, 10 4 В @ 250 мк 120 NC @ 10 V ± 20 В. 8350 pf @ 25 v - 150 yt (tc)
STGB12NB60KDT4 STMicroelectronics STGB12NB60KDT4 -
RFQ
 ECAD 8321 0,00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STGB12 Станода 125 Вт D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 480V, 12A, 10OM, 15V 80 млн - 600 30 а 60 а 2.8V @ 15V, 12A 258 мк (В. 54 NC 25NS/96NS
MJE182 STMicroelectronics MJE182 -
RFQ
 ECAD 2541 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 MJE182 12,5 SOT-32-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 50 80 3 а 100NA (ICBO) Npn 1,7 - @ 600 мА, 3а 50 @ 100ma, 1в 50 мг
STD2NK70ZT4 STMicroelectronics STD2NK70ZT4 -
RFQ
 ECAD 2362 0,00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 700 1.6A (TC) 10 В 7OM @ 800 мА, 10 В 4,5 -прри 50 мк 11,4 NC @ 10 V ± 30 v 280 pf @ 25 v - 45 Вт (TC)
BUL810 STMicroelectronics BUL810 -
RFQ
 ECAD 3532 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 BUL810 125 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 450 15 а 250 мк Npn 5 w @ 2,4a, 12a 10 @ 5a, 5v -
STD12N65M5 STMicroelectronics STD12N65M5 -
RFQ
 ECAD 6257 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ V. Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 STD12 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 650 8.5a (TC) 10 В 430MOM @ 4,3A, 10 В 5 w @ 250 мк 22 NC @ 10 V ± 25 В 900 pf @ 100 v - 70 Вт (TC)
STTH30R04D STMicroelectronics STTH30R04D 3.0400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 STTH30 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,45 - @ 30 a 100 млн 15 мка 400 -40 ° C ~ 175 ° C. 30 часов -
STPS20S100CR STMicroelectronics STPS20S100CR 1.1300
RFQ
 ECAD 244 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA STPS20 ШOTKIй I2pak СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 10 часов 850 мВ @ 10 a 3,5 мка 3 100 175 ° C (MMAKS)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть