SIC
close

Дискратн -пропрововододнико -пройкт (6390)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Власта - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) Current - Hold (IH) (MMAKS) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост ТЕКУИГИГ Naprayeseee Naprayжeniee - yзolyahip Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) ТИП ТРИАКА На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Naprayжeniee - зaTwOrnыйtrigeR (vgt) (mamaks) Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Napraheneeee - na -costoanaonik Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) ТИП СКР Ш Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) В конце Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
STTH1R02 STMicroelectronics STTH1R02 0,4600
RFQ
 ECAD 6860 0,00000000 Stmicroelectronics - Веса Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Stth1 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1В @ 1,5 а 30 млн 3 мк 175 ° C (MMAKS) 1,5а -
BTA06-400CRG STMicroelectronics BTA06-400CRG 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BTA06 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.30.0080 50 Одинокий 25 май Станода 400 6 а 1,3 В. 60a, 63a 25 май
STPS10L25D STMicroelectronics STPS10L25D 1.9300
RFQ
 ECAD 759 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 STPS10 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 25 В 460 мВ @ 10 a 800 мк. 150 ° C (MMAKS) 10 часов -
STTH1R06UFY STMicroelectronics Stth1r06ufy 0,6000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Stmicroelectronics Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AA, Plat Plat Heds SMB Stth1 Станода Smbflat СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,9 - @ 1 a 45 м 1 мка При 600 -40 ° C ~ 175 ° C. 1A -
STP20NM60 STMicroelectronics STP20NM60 6.3800
RFQ
 ECAD 984 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 20А (TC) 10 В 290mohm @ 10a, 10v 5 w @ 250 мк 54 NC @ 10 V ± 30 v 1500 pf @ 25 v - 192W (TC)
STB20NM50-1 STMicroelectronics STB20NM50-1 -
RFQ
 ECAD 3848 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA STB20N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 550 20А (TC) 10 В 250mhom @ 10a, 10 В 5 w @ 250 мк 56 NC @ 10 V ± 30 v 1480 pf @ 25 v - 192W (TC)
BYT12P-1000 STMicroelectronics BYT12P-1000 -
RFQ
 ECAD 7206 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 BYT12 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,9 В @ 12 A 155 м 50 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 12A -
STP2NK90Z STMicroelectronics STP2NK90Z 2.0400
RFQ
 ECAD 741 0,00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP2NK90 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-4378-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 900 2.1a (TC) 10 В 6,5 ОМ @ 1,05A, 10 В 4,5 -прри 50 мк 27 NC @ 10 V ± 30 v 485 PF @ 25 V - 70 Вт (TC)
STP60NH2LL STMicroelectronics STP60NH2LL -
RFQ
 ECAD 1376 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP60N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 24 40a (TC) 4,5 В, 10. 11mohm @ 20a, 10v 1В @ 250 мк 27 NC @ 4,5 ± 18 v 990 pf @ 25 v - 60 yt (tc)
STT4P3LLH6 STMicroelectronics STT4P3LLH6 0,6100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ H6 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 STT4P3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 30 4a (TA) 4,5 В, 10. 56mohm @ 2a, 10v 2,5 -50 мк 6 NC @ 4,5 ± 20 В. 639 PF @ 25 V - 1,6 yt (tat)
2N4923 STMicroelectronics 2N4923 -
RFQ
 ECAD 2044 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2n49 30 st - - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-3109-5 Ear99 8541.29.0095 2000 80 1 а 500 мк Npn 600 мВ @ 100ma, 1a 30 @ 500 май, 1в 3 мг
STPR1620CT STMicroelectronics STPR1620CT -
RFQ
 ECAD 1444 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо Чereз dыru 220-3 STPR1620 Станода ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 8. 990mw @ 8 a 30 млн 50 мк. 150 ° C (MMAKS)
STP410N4F7AG STMicroelectronics STP410N4F7AG -
RFQ
 ECAD 9072 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ F7 Трубка Управо - Чereз dыru 220-3 STP410 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 40 180a (TC) 4,5 В, 10. - - - - 365 Вт (TC)
SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7 16.0100
RFQ
 ECAD 9574 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-8, D²PAK (7 голов + TAB), TO-263CA SCTH35 Sicfet (kremniewый karbid) H2PAK-7 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-SCTH35N65G2V-7TR Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 650 45A (TC) 18 В, 20В 67mohm @ 20a, 20 В 3,2 В @ 1MA 73 NC @ 20 V +22, -10. 1370 pf @ 400 - 208W (TC)
BAS70-06FILM STMicroelectronics BAS70-06FILM 0,4700
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 ШOTKIй SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 70 70 май (DC) 1 V @ 15 мая 10 мк. 150 ° C (MMAKS)
BTB41-600BRG STMicroelectronics BTB41-600BRG 6.7300
RFQ
 ECAD 600 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru ТОП-3 BTB41 Top3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.30.0080 30 Одинокий 80 май Станода 600 40 А. 1,3 В. 400A, 420A 50 май
2SD1047 STMicroelectronics 2SD1047 4.7600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 2SD1047 100 y 12 с СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-11320-5 Ear99 8541.29.0095 30 140 12 а 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 700MA, 7A 60 @ 1a, 5v 20 мг
STP60NF06FP STMicroelectronics STP60NF06FP 1.8100
RFQ
 ECAD 9624 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Трубка В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- STP60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 60 30А (TC) 10 В 16mohm @ 30a, 10 В 4 В @ 250 мк 66 NC @ 10 V ± 20 В. 1810 PF @ 25 V - 30 yt (tc)
STI45N10F7 STMicroelectronics STI45N10F7 2.3900
RFQ
 ECAD 630 0,00000000 Stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ VII Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA STI45N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 100 45A (TC) 10 В 18mohm @ 22,5a, 10 В 4,5 -50 мк 25 NC @ 10 V ± 20 В. 1640 pf @ 50 v - 60 yt (tc)
STD60NF55LAT4 STMicroelectronics STD60NF55LAT4 1.8300
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Superfet® II Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Std60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK (DO 252) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 55 60a (TC) 5 В, 10 В. 15mohm @ 30a, 10 В 2 В @ 250 мк 40 NC @ 5 V ± 15 В. 1950 PF @ 25 V - 110 yt (tc)
STH290N4F6-6 STMicroelectronics STH290N4F6-6 -
RFQ
 ECAD 9144 0,00000000 Stmicroelectronics * Lenta и катахка (tr) Управо STH290 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000
STPS30L45CW STMicroelectronics STPS30L45CW 2.3100
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 STPS30 ШOTKIй 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 30 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 15A 550 м. @ 15 A 400 мкр 45 150 ° C (MMAKS)
TYN612MRG STMicroelectronics Tyn612mrg 1.8800
RFQ
 ECAD 977 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 220-3 Tyn612 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-4487-5 Ear99 8541.30.0080 50 20 май 600 12 а 1,3 В. 120a, 125a 5 май 1,6 В. 8 а 10 мк Станодано
STGIF10CH60TS-LZ STMicroelectronics Stgif10ch60ts-lz 10.9962
RFQ
 ECAD 4433 0,00000000 Stmicroelectronics Слом - 2 -й МАССА Актифен Чereз dыru Модул 26-PowerDip (1146 ", 29,10 мм) Igbt Stgif10 - Rohs3 DOSTISH 497-stgif10ch60ts-lz Ear99 8542.39.0001 156 3 феврал 15 а 600 1600vrms
STSJ50NH3LL STMicroelectronics STSJ50NH3LL -
RFQ
 ECAD 9546 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). STSJ50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 50a (TC) 4,5 В, 10. 10,5mohm @ 6a, 10 В 1В @ 250 мк 12 NC @ 4,5 ± 16 В. 965 PF @ 25 V - 3 Вт (TA), 50 yt (TC)
BUL510 STMicroelectronics BUL510 2.2300
RFQ
 ECAD 76 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BUL510 100 y ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 450 10 а 250 мк Npn 1,5- прри 1,25а, 5а 15 @ 1a, 5v -
BD139 STMicroelectronics BD139 0,6600
RFQ
 ECAD 9233 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD139 1,25 Вт SOT-32-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 80 1,5 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В -
STPS3170UF STMicroelectronics STPS3170UF 0,6200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Stmicroelectronics Ecopack® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AA, Plat Plat Heds SMB STPS3170 ШOTKIй Smbflat СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 170 820 мВ @ 3 a 4 мка @ 170 -40 ° C ~ 175 ° C. 3A -
STB40NF10T4 STMicroelectronics STB40NF10T4 -
RFQ
 ECAD 1702 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Lenta и катахка (tr) Управо -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STB40N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 100 50a (TC) 10 В 28mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 250 мк 80 NC @ 10 V ± 20 В. 1780 PF @ 25 V - 150 Вт (TC)
PD85035STR-E STMicroelectronics PD85035Str-E 30.8300
RFQ
 ECAD 9481 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен 40 Powerso-10rf otkrыl neжnююpodiшku (2 пр. PD85035 870 мг LDMOS PowerSo-10rf (praNehOй cvIneц) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH -1138-PD85035Str-ETR Ear99 8541.29.0095 600 8. 350 май 15 Вт 17 дБ - 13,6 В.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть