SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2287)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп ТИП ФЕТ Current - Hold (IH) (MMAKS) Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Vgs (mmaks) Взёр. Феф Фуанкхия Rascenaonie -vlaasti (mmaks) На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Napraheneeee - nan -coStoanaonik Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) ТИП СКР Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD КОГИГИОН ЭМКОСТИ СОСТОЧНАЯ ВОЗДЕЛИТЬСЯ Q @ VR, f
NTE5087A NTE Electronics, Inc NTE5087A 0,6000
RFQ
 ECAD 360 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5087A Ear99 8541.10.0050 1 43 В. 70 ОМ
NTE6121 NTE Electronics, Inc NTE6121 239 3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Зaжimatth Do-200ab, b-puk Станода Do-200ab СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6121 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1,93 Е @ 3770 А 30 май @ 1600 -30 ° C ~ 175 ° C. 1625. -
1N5349B NTE Electronics, Inc 1n5349b 0,7600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru Т-18, Ос 5 Вт Оос СКАХАТА Rohs3 2368-1N5349b Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 1 a 2 мка 4,1 12 2,5 ОМ
2N6488 NTE Electronics, Inc 2N6488 1.4300
RFQ
 ECAD 86 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 1,8 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-2N6488 Ear99 8541.29.0095 1 80 15 а 1MA Npn 3,5 - @ 5a, 15a 20 @ 5a, 4v 5 мг
NTE5253AK NTE Electronics, Inc NTE5253AK 26.8600
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5253AK Ear99 8541.10.0050 1 11 0,8 ОМ
NTE5081A NTE Electronics, Inc NTE5081A 0,6000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5081A Ear99 8541.10.0050 1 24 25 ОМ
NTE6206 NTE Electronics, Inc NTE6206 21.6900
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru TO-204AA, TO-3 Станода По 3 СКАХАТА Rohs 2368-NTE6206 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 15A 1,4 w @ 15 a 200 млн 5 мая @ 200 -65 ° С ~ 150 ° С.
NTE6120 NTE Electronics, Inc NTE6120 134.0300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Зaжimatth DO-200AA, A-Puk Станода DO-200AA СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6120 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1,4 В 500 А 15 май @ 1600 -30 ° C ~ 190 ° C. 500A -
NTE5404 NTE Electronics, Inc NTE5404 1.3500
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Создание 92 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5404 Ear99 8541.30.0000 1 3 мая 200 800 млн 800 м 8a @ 60 gц 200 мк 1,7 200 мк Чywytelnhe
NTE5908 NTE Electronics, Inc NTE5908 13.4800
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5908 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,23 В @ 50 a 12 май @ 800 В -65 ° C ~ 175 ° C. 16A -
TIP100 NTE Electronics, Inc TIP100 1.0400
RFQ
 ECAD 203 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 80 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 2368-TIP100 Ear99 8541.29.0095 1 60 8 а 50 мк Npn - дарлино 2.5V @ 80ma, 8a 1000 @ 3A, 4V 4 мг
NTE5894 NTE Electronics, Inc NTE5894 9.9300
RFQ
 ECAD 115 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5894 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,23 В @ 50 a 12 май @ 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 16A -
NTE615 NTE Electronics, Inc NTE615 0,5400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 7,57% -20 ° C ~ 75 ° C. Чereз dыru Оос 200 м - СКАХАТА Rohs 2368-NTE615 Ear99 8542.31.0000 1 32,5 В.
NTE88 NTE Electronics, Inc NTE88 7 9400
RFQ
 ECAD 138 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 200 th По 3 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE88 Ear99 8541.29.0095 1 250 10 а 1MA Pnp 2,5 - @ 400 мА, 4a 20 @ 2a, 2v 4 мг
TIP150 NTE Electronics, Inc TIP150 2.3600
RFQ
 ECAD 248 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 80 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs 2368-TIP150 Ear99 8541.29.0095 1 300 10 а 250 мк Npn - дарлино 2V @ 250 мам, 5а 150 @ 2,5a, 5в -
NTE5416 NTE Electronics, Inc NTE5416 3.1700
RFQ
 ECAD 78 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 126 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5416 Ear99 8541.30.0000 1 5 май 600 1 V. 25А, 35А 200 мк 2,2 В. 2,6 а 10 мк Чywytelnhe
NTE5092A NTE Electronics, Inc NTE5092A 0,6000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5092A Ear99 8541.10.0050 1 68 В 150 ОМ
NTE6157 NTE Electronics, Inc NTE6157 48.7500
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-8, Stud Станода Дол СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6157 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,4 В @ 150 А 12 май @ 600 -40 ° C ~ 200 ° C. 150a -
1N5366B NTE Electronics, Inc 1n5366b 0,9200
RFQ
 ECAD 51 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru Т-18, Ос 5 Вт Оос СКАХАТА Rohs3 2368-1N5366B Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 1 a 500 NA @ 29,7 39 14 ОМ
NTE5124A NTE Electronics, Inc NTE5124A 1,3000
RFQ
 ECAD 346 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 5 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5124A Ear99 8541.10.0050 1 9.1. 2 О
TIP146 NTE Electronics, Inc TIP146 2.7200
RFQ
 ECAD 521 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 125 Вт 218 СКАХАТА Rohs 2368-TIP146 Ear99 8541.29.0095 1 80 10 а - Pnp - 1000 @ 5a, 4v -
TIP115 NTE Electronics, Inc TIP115 0,9200
RFQ
 ECAD 394 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 220-3 СКАХАТА Rohs 2368-TIP115 Ear99 8541.29.0095 1 60 2MA PNP - ДАРЛИНГТОН 2,5 - @ 8ma, 2a 1000 @ 1a, 4v 25 мг
NTE613 NTE Electronics, Inc NTE613 3.0800
RFQ
 ECAD 283 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - МАССА Актифен - Чereз dыru TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) - СКАХАТА Rohs 2368-NTE613 Ear99 8541.10.0080 1 24.2pf @ 4V, 1 мгха Одинокий 30 2.9 C2/C32 350 @ 4V, 50 мг.
NTE5084A NTE Electronics, Inc NTE5084A 0,6000
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5084A Ear99 8541.10.0050 1 30 40 ОМ
NTE6200 NTE Electronics, Inc NTE6200 9.0700
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru TO-204AA, TO-3 Станода По 3 СКАХАТА Rohs 2368-NTE6200 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 15A 1,4 w @ 15 a 200 млн 5 мая @ 200 -65 ° С ~ 150 ° С.
NTE5252AK NTE Electronics, Inc NTE5252AK 26.8600
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 50 st До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5252AK Ear99 8541.10.0050 1 10 0,6 ОМ
NTE5097A NTE Electronics, Inc NTE5097A 0,9100
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1 Вт DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE5097A Ear99 8541.10.0050 1 120 700 ОМ
1N5362B NTE Electronics, Inc 1n5362b 0,7600
RFQ
 ECAD 134 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru Т-18, Ос 5 Вт Оос СКАХАТА Rohs3 2368-1N5362b Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 1 a 500 NA @ 21,2 28 6 ОМ
2N7002 NTE Electronics, Inc 2N7002 0,2800
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 СКАХАТА Rohs 2368-2N7002 Ear99 8541.21.0095 1 N-канал 60 115ma (TA) 5 В, 10 В. 7,5 ОМ @ 500 май, 10 В 2,5 -50 мк ± 20 В. 50 PF @ 25 V - 200 мт (таблица)
NTE5403 NTE Electronics, Inc NTE5403 1.2900
RFQ
 ECAD 164 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Создание 92 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5403 Ear99 8541.30.0000 1 3 мая 150 800 млн 800 м 8a @ 60 gц 200 мк 1,7 200 мк Чywytelnhe
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть