SIC
close

Дискратн -пропрововододнико -продукт (6960)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
2SD1757KT146S Rohm Semiconductor 2SD1757KT146S 0,4200
RFQ
 ECAD 336 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD1757 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 15 500 май 500NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 120 @ 100ma, 3v 150 мг
DTB123YCHZGT116 Rohm Semiconductor DTB123YCHZGT116 0,2400
RFQ
 ECAD 327 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTB123 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 500 май - Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мв 2,5 май, 50 марок 56 @ 50ma, 5 В 200 мг 2.2 Ком 10 Kohms
BZX84C22VLFHT116 Rohm Semiconductor Bzx84c22vlfht116 0,1600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5,67% 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 м SSD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 Na @ 15 V 22,05 В. 55 ОМ
EML22T2R Rohm Semiconductor EML22T2R 0,3900
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 50 О том, как Пефер SOT-563, SOT-666 EML22 Emt6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 8000 150 май NPN + Zener
2SCR502U3HZGT106 Rohm Semiconductor 2SCR502U3HZGT106 0,3600
RFQ
 ECAD 911 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SCR502 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 500 май 200NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 200 мая 200 @ 100ma, 2v 360 мг
DTC143EMT2L Rohm Semiconductor DTC143EMT2L 0,3800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 DTC143 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RB706F-40T106 Rohm Semiconductor RB706F-40T106 0,4100
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RB706F-40 ШOTKIй UMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 40 30 май 370 мВ @ 1ma 1 мка рри 10в 125 ° C (MMAKS)
DTB743EMT2L Rohm Semiconductor DTB743EMT2L 0,1035
RFQ
 ECAD 5216 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOT-723 DTB743 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 30 200 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мв 2,5 май, 50 марок 115 @ 100ma, 2V 260 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DTC144EKAT146 Rohm Semiconductor DTC144EKAT146 0,2600
RFQ
 ECAD 119 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC144 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 47 Kohms 47 Kohms
BSM600D12P3G001 Rohm Semiconductor BSM600D12P3G001 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул BSM600 Карбид Кремния (sic) 2450 Вт (TC) Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-BSM600D12P3G001 Ear99 8541.29.0095 4 2 н-канала 1200 В (1,2 К.) 600A (TC) - 5,6 В @ 182ma - 31000pf @ 10 a. -
2SB1241TV2Q Rohm Semiconductor 2SB1241TV2Q -
RFQ
 ECAD 8606 0,00000000 ROHM Semiconductor - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 2SB1241 1 Вт Квадран СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 1 а 1 мка (ICBO) Pnp 400 мВ @ 50 май, 500 матов 120 @ 100ma, 3v 100 мг
2SA2007E Rohm Semiconductor 2SA2007E 2.6300
RFQ
 ECAD 397 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SA2007 25 Вт DO-220FN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 500 60 12 а 10 мк (ICBO) Pnp 500 мВ @ 400 май, 8a 320 @ 2a, 2v 80 мг
SCS315AMC Rohm Semiconductor SCS315AMC 6.7700
RFQ
 ECAD 179 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SCS315 Sic (kremniewый karbid) DO-220FM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,5 - @ 15 A 0 м 75 мк -при 650 175 ° C (MMAKS) 15A 750pf @ 1V, 1 мгха
DTC114TMT2L Rohm Semiconductor DTC114TMT2L 0,4400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 DTC114 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 10 Kohms
RUF015N02TL Rohm Semiconductor RUF015N02TL 0,4900
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, Ploskie provodky RUF015 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Tumt3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 1.5a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 180mohm @ 1,5a, 4,5 1V @ 1MA 2,5 NC @ 4,5 ± 10 В. 110 pf @ 10 v - 800 мт (таблица)
DTC914TUBTL Rohm Semiconductor DTC914Tubtl 0,4100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-85 DTC914 200 м Umt3f СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 20 400 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 100 мВ @ 3ma, 30 ма 820 @ 10ma, 5 В 35 мг 10 Kohms
SP8K3FRATB Rohm Semiconductor Sp8k3fratb 1.5300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SP8K3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,4 yt (tat) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 2 n-канал (Дзонано) 30 7A (TA) 24mohm @ 7a, 10 В 2,5 h @ 1ma 11.8nc @ 5V 600pf @ 10 a. -
IMB1AT110 Rohm Semiconductor IMB1AT110 0,1088
RFQ
 ECAD 8010 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-74, SOT-457 IMB1 300 м SMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 мВ 500 мк, 10 56 @ 5ma, 5V - 22khh 22khh
2SD1859TV2R Rohm Semiconductor 2SD1859TV2R -
RFQ
 ECAD 2690 0,00000000 ROHM Semiconductor - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 2SD1859 1 Вт Квадран СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 700 млн 500NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 180 @ 100ma, 3v 120 мг
SCS304APC9 Rohm Semiconductor SCS304APC9 2.6600
RFQ
 ECAD 898 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка В аспекте Чereз dыru ДО-220-2 SCS304 Sic (kremniewый karbid) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,5 - @ 4 a 0 м 20 мк. 175 ° C (MMAKS) 4 а 200pf @ 1V, 1 мгха
IMH21T110 Rohm Semiconductor IMH21T110 0,2037
RFQ
 ECAD 4871 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-74, SOT-457 IMH21 300 м SMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 20 600 май 500NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 150 мв 2,5 май, 50 мав 820 @ 50ma, 5 В 150 мг 10 Комов -
DTC044TMT2L Rohm Semiconductor DTC044TMT2L 0,0382
RFQ
 ECAD 8666 0,00000000 ROHM Semiconductor DTC044T Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 DTC044 150 м VMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 60 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 5 100 @ 5ma, 10 В 250 мг 47 Kohms
RRS070N03TB1 Rohm Semiconductor RRS070N03TB1 -
RFQ
 ECAD 7628 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 7A (TA) 28mohm @ 7a, 10 В - 11,6 NC @ 5 V 900 pf @ 10 v - -
RB400DT146 Rohm Semiconductor RB400DT146 0,5900
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RB400 ШOTKIй SMD3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. 50 мк. 125 ° C (MMAKS) 500 май 125pf @ 0v, 1 мгест
2SD2670TL Rohm Semiconductor 2SD2670TL 0,2202
RFQ
 ECAD 7800 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-96 2SD2670 500 м TSMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 12 3 а 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 30 май, 1,5а 270 @ 500 май, 2 В 360 мг
DTC125TUAT106 Rohm Semiconductor DTC125TUAT106 0,2600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-70, SOT-323 DTC125 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 50 мк, 500 мк 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 200 Ком
SST3904T116 Rohm Semiconductor SST3904T116 0,3300
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SST3904 350 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 200 май 50NA Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
SSTA56HZGT116 Rohm Semiconductor SSTA56HZGT116 0,2400
RFQ
 ECAD 54 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SSTA56 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 80 500 май 100NA (ICBO) Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 10ma, 1в 50 мг
DTC144VKAT146 Rohm Semiconductor DTC144VKAT146 0,2600
RFQ
 ECAD 194 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC144 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 33 @ 5ma, 5в 250 мг 47 Kohms 10 Kohms
DTB743EETL Rohm Semiconductor DTB743EETL 0,4500
RFQ
 ECAD 150 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-75, SOT-416 DTB743 150 м Emt3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 200 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мв 2,5 май, 50 марок 115 @ 100ma, 2V 260 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть