SIC
close

Дискратнес Пеплавовододнико -пройкт (1062)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш На Ток - Обратна тебе Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) В конце Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) КОГИГИОН ЭМКОСТИ СОСТОЧНАЯ ВОЗДЕЛИТЬСЯ Q @ VR, f
BZX585-C62,115 NXP Semiconductors BZX585-C62,115 0,0300
RFQ
 ECAD 96 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 300 м SOD-523 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BZX585-C62,115-954 10 764 1,1 - @ 100mma 50 Na @ 43,4 62 215
A2I22D050NR1 NXP Semiconductors A2I22D050NR1 51.7500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Управо 65 Пефер ДО-270WB-15 1,8 ГГА ~ 2,2 Гер LDMOS (DVOйNOй) ДО-270WB-15 - 2156-A2I22D050NR1 6 2 n-канал 10 мк 520 май 5,3 Вт 31,1db @ 1,88 гг. - 28
BC54-10PASX NXP Semiconductors BC54-10PASX 0,0600
RFQ
 ECAD 146 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o 420 м DFN2020D-3 СКАХАТА Ear99 8541.29.0075 1 45 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 180 мг
BUK6610-75C,118 NXP Semiconductors BUK6610-75C, 118 0,4100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-Buk6610-75C, 118-954 1 N-канал 75 78a (TC) 10 В 10mohm @ 25a, 10 В 2.8V @ 1MA 81 NC @ 10 V ± 16 В. 5251 PF @ 25 V - 158W (TC)
PBSS5330PASX NXP Semiconductors PBSS5330PASX -
RFQ
 ECAD 3171 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 175 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o 600 м DFN2020D-3 СКАХАТА Ear99 8541.29.0075 1 30 3 а 100NA Pnp 320 мВ @ 300 май, 3а 175 @ 1a, 2v 165 мг
PBSS5220T,215 NXP Semiconductors PBSS5220T, 215 -
RFQ
 ECAD 8901 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 480 м TO-236AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PBSS5220T, 215-954 1 20 2 а 100NA (ICBO) Pnp 225 мВ @ 200 май, 2а 200 @ 1a, 2v 100 мг
PMMT591A,215 NXP Semiconductors PMMT591A, 215 0,0400
RFQ
 ECAD 4937 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м TO-236AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PMMT591A, 215-954 Ear99 8541.21.0075 3740 40 1 а 100NA Pnp 500 мВ @ 100ma, 1a 300 @ 100ma, 5 В 150 мг
BZX84-C27,215 NXP Semiconductors BZX84-C27,215 -
RFQ
 ECAD 2500 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki BZX84 МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м TO-236AB - Rohs Продан 2156-BZX84-C27,215-954 1 900 мВ @ 10 мая 50 NA @ 18,9 27 80 ОМ
PHPT60406NYX NXP Semiconductors Phpt60406nyx -
RFQ
 ECAD 1984 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 1,35 LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PHPT60406NYX-954 Ear99 8541.29.0075 1 40 6 а 100NA Npn 380MV @ 300MA, 6A 230 @ 500ma, 2v 153 мг
BC51PA,115 NXP Semiconductors BC51PA, 115 -
RFQ
 ECAD 5795 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-Powerfn 420 м 3-Huson (2x2) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BC51PA, 115-954 1 45 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 145 мг
BLC8G27LS-180AVY NXP Semiconductors BLC8G27LS-180AVY -
RFQ
 ECAD 7434 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен - 2156-blc8g27ls-180avy 1
BB131,115 NXP Semiconductors BB131,115 0,1000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер SC-76, SOD-323 SOD-323 СКАХАТА Rohs Продан 2156-BB131,115 Ear99 8541.10.0070 1 1,055pf @ 28 v, 1 мг Одинокий 30 16 C0.5/C28 -
NZX10D,133 NXP Semiconductors NZX10D, 133 0,0200
RFQ
 ECAD 110 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м Alf2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-NZX10D, 133-954 1 1,5 - @ 200 Ма 200 na @ 7 v 10 25 ОМ
BZX585-B51,115 NXP Semiconductors BZX585-B51,115 0,0300
RFQ
 ECAD 104 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен ± 2% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 300 м SOD-523 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BZX585-B51,115-954 9 366 1,1 - @ 100mma 50 Na @ 35,7 51 180 ОМ
PDTC144WM,315 NXP Semiconductors PDTC144WM, 315 0,0300
RFQ
 ECAD 120 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен Пефер SC-101, SOT-883 PDTC144 250 м DFN1006-3 СКАХАТА Ear99 8541.21.0095 15 000 50 100 май 1 мка Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 10 60 @ 5ma, 5 В 47 Kohms 22 Kohms
BZV55-B6V8,115 NXP Semiconductors BZV55-B6V8,115 0,0200
RFQ
 ECAD 67 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м LLDS; Минимум СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BZV55-B6V8,115-954 1 900 мВ @ 10 мая 2 мка @ 4 В 6,8 В. 15 О
BZT52H-B3V6,115 NXP Semiconductors BZT52H-B3V6,115 0,0200
RFQ
 ECAD 2584 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Пефер SOD-123F BZT52 375 м SOD-123F СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BZT52H-B3V6,115-954 4000 900 мВ @ 10 мая 5 мка @ 1 В 3,6 В. 95 ОМ
BAT54VV,115 NXP Semiconductors BAT54VV, 115 -
RFQ
 ECAD 5705 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен BAT54 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BAT54VV, 115-954 1
2PD601ASL,235 NXP Semiconductors 2PD601ASL, 235 -
RFQ
 ECAD 7114 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2pd601 250 м TO-236AB СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 1 50 100 май 10NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 290 @ 2ma, 10 В 100 мг
BZX79-C5V6,143 NXP Semiconductors BZX79-C5V6,143 -
RFQ
 ECAD 5295 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79-C5V6 400 м Alf2 СКАХАТА 0000.00.0000 1 900 мВ @ 10 мая 1 мка @ 2 5,6 В. 40 ОМ
BUK763R1-40B,118 NXP Semiconductors BUK763R1-40B, 118 1.1900
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-Buk763R1-40B, 118-954 1 N-канал 40 75A (TC) 10 В 3,1 мохна @ 25a, 10 В 4 В @ 1MA 94 NC @ 10 V ± 20 В. 6808 PF @ 25 V - 300 м (TC)
PZU15B3A,115 NXP Semiconductors PZU15B3A, 115 -
RFQ
 ECAD 5452 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-76, SOD-323 320 м SOD-323 - Rohs Продан 2156-PZU15B3A, 115-954 1 1,1 - @ 100mma 50 NA @ 11 V 15 15 О
PBLS6005D,115 NXP Semiconductors PBLS6005D, 115 -
RFQ
 ECAD 8192 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен Пефер SC-74, SOT-457 PBLS6005 600 м 6-й стоп СКАХАТА 0000.00.0000 1 50 В, 60 В. 100 май, 700 мая 1 мка, 100na 1 npn, prervariotelnonos -sэtapnый, 1 pnp 150 мв 500 мк, 10 мам / 340 м. 80 @ 5ma, 5 v / 150 @ 500ma, 5в 185 мг 47komm 47komm
NZX9V1C,133 NXP Semiconductors Nzx9v1c, 133 -
RFQ
 ECAD 5504 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м Alf2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156 NZX9V1C, 133-954 1 1,5 - @ 200 Ма 500 NA @ 6 V 9.1. 20 ОМ
MRF300AN NXP Semiconductors MRF300AN -
RFQ
 ECAD 4595 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 133 В Чereз dыru 247-3 1,8 мг ~ 250 лет LDMOS 247-3 - 2156-MRF300AN 1 N-канал 10 мк 100 май 300 Вт 28.2db - 50
BZX585-B43,115 NXP Semiconductors BZX585-B43,115 0,0300
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен ± 2% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 300 м SOD-523 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BZX585-B43,115-954 1 1,1 - @ 100mma 50 NA @ 30,1 43 В. 150 ОМ
PBLS4003D,115 NXP Semiconductors PBLS4003D, 115 0,0700
RFQ
 ECAD 66 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен PBLS4003 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PBLS4003D, 115-954 4473
NZH10C,115 NXP Semiconductors NZH10C, 115 0,0200
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен ± 3% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123F 500 м SOD-123F СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-NZH10C, 115-954 1 900 мВ @ 10 мая 200 na @ 7 v 10 8 О
BZX84J-C68,115 NXP Semiconductors BZX84J-C68,115 0,0300
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F 550 м SOD-323F СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BZX84J-C68,115-954 11 823 1,1 - @ 100mma 50 Na @ 47,6 68 В 160 ОМ
BC68-25PA,115 NXP Semiconductors BC68-25PA, 115 0,0700
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-Powerfn 420 м 3-Huson (2x2) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BC68-25PA, 115-954 1 20 2 а 100NA (ICBO) Npn 600 мВ 200 май, 2а 160 @ 500 май, 1в 170 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть