SIC
close

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Синла - МАКС Wshod ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ ИСЛОВЕЕ ИСПАН Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) NTC Thermistor Odnana emcostath (cies) @ vce Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
FDP6035L Fairchild Semiconductor FDP6035L 0,8100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 30 58a (TC) 4,5 В, 10. 11mohm @ 26a, 10v 3 В @ 250 мк 46 NC @ 10 V ± 20 В. 1230 PF @ 15 V - 75W (TC)
FQD3N60CTM Fairchild Semiconductor FQD3N60CTM -
RFQ
 ECAD 2545 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 600 2.4a (TC) 10 В 3,4OM @ 1,2а, 10 В 4 В @ 250 мк 14 NC @ 10 V ± 30 v 565 PF @ 25 V - 50 yt (tc)
FDS6676 Fairchild Semiconductor FDS6676 1.7700
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 30 14.5a (TA) 4,5 В, 10. 7mohm @ 14.5a, 10v 3 В @ 250 мк 63 NC @ 5 V ± 16 В. 5103 PF @ 15 V - 1 yt (tta)
IRF820B Fairchild Semiconductor IRF820B 1.0000
RFQ
 ECAD 7283 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
FDD13AN06A0_NL Fairchild Semiconductor FDD13AN06A0_NL -
RFQ
 ECAD 6377 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 60 9.9a (ta), 50a (TC) 6 В, 10 В. 13,5mohm @ 50a, 10 В 4 В @ 250 мк 29 NC @ 10 V ± 20 В. 1350 pf @ 25 v - 115W (TC)
SSI7N60BTU Fairchild Semiconductor SSI7N60BTU 0,3900
RFQ
 ECAD 964 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 600 7A (TC) 10 В 1,2 в 3,5а, 10 В 4 В @ 250 мк 50 NC @ 10 V ± 30 v 1800 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 147W (TC)
SSR2N60BTM Fairchild Semiconductor SSR2N60BTM -
RFQ
 ECAD 4472 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252-3 (DPAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 600 1.8a (TC) 10 В 5OM @ 900MA, 10 В 4 В @ 250 мк 17 NC @ 10 V ± 30 v 490 PF @ 25 V - 2,5 yt (ta), 44W (TC)
HGT1S12N60C3DS Fairchild Semiconductor HGT1S12N60C3DS 2.1000
RFQ
 ECAD 565 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода 104 Вт DO-263AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 - 32 м - 600 24 а 96 а 2,2 -прри 15 В, 15А - 71 NC -
FMC7G15US60 Fairchild Semiconductor FMC7G15US60 -
RFQ
 ECAD 4427 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 45 Вт Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta - СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 4 Treхpaзnый -nertor -stormohom - 600 15 а 2,8 В @ 15 В, 15a 250 мк Не 948 PF @ 30 V
FMG1G300US60HE Fairchild Semiconductor FMG1G300US60HE 73 7500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 892 Вт Станода - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 Одинокий - 600 300 а 2.7V @ 15V, 300A 250 мк Не
FMC7G30US60 Fairchild Semiconductor FMC7G30US60 -
RFQ
 ECAD 5546 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул 125 Вт Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta - СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 Треоф - 600 30 а 2,8 В @ 15 В, 30А 250 мк Не 1,97 NF при 30 В
FMG2G75US120 Fairchild Semiconductor FMG2G75US120 55 8100
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 7 FMG2 445 Вт Станода 7 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 15 Поломвинамос - 1200 75 а 3V @ 15V, 75A 3 мая Не
RURP860_NL Fairchild Semiconductor Rurp860_nl -
RFQ
 ECAD 2564 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220-2 - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,5 @ 8 a 70 млн 100 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 8. -
HUF76132S3ST Fairchild Semiconductor HUF76132S3ST 0,9800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-263AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 30 75A (TC) 4,5 В, 10. 11mohm @ 75a, 10v 3 В @ 250 мк 52 NC @ 10 V ± 20 В. 1650 PF @ 25 V - 120 Вт (TC)
SFP9520 Fairchild Semiconductor SFP9520 0,1900
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 П-канал 100 6А (TC) 10 В 600mom @ 3a, 10 В 4 В @ 250 мк 20 NC @ 10 V ± 30 v 550 pf @ 25 v - 49 Вт (TC)
SI3455DV Fairchild Semiconductor SI3455DV -
RFQ
 ECAD 5620 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Supersot ™ -6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 30 3.6a (TA) 4,5 В, 10. 75mohm @ 3,6a, 10 В 3 В @ 250 мк 5 NC @ 5 V ± 20 В. 298 pf @ 15 v - 800 мт (таблица)
IRFS530A Fairchild Semiconductor IRFS530A 0,4500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 100 10.7a (TC) 10 В 110mohm @ 5.35a, 10 4 В @ 250 мк 36 NC @ 10 V ± 20 В. 790 PF @ 25 V - 32W (TC)
IRFS520A Fairchild Semiconductor IRFS520A 0,3400
RFQ
 ECAD 2724 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 640 N-канал 100 7.2a (TC) 10 В 200 месяцев @ 3,6A, 10 4 В @ 250 мк 22 NC @ 10 V ± 20 В. 480 pf @ 25 v - 28W (TC)
FFA30U20DNTU Fairchild Semiconductor FFA30U20DNTU 1.0000
RFQ
 ECAD 6455 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 Станода 12 с СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 30A 1,2 - @ 30 a 40 млн 30 мк. -65 ° С ~ 150 ° С.
IRFP350A Fairchild Semiconductor IRFP350A -
RFQ
 ECAD 9980 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 с СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 36 N-канал 400 17a (TC) 10 В 300mohm @ 8.5a, 10 В 4 В @ 250 мк 131 NC @ 10 V ± 30 v 2780 pf @ 25 v - 202W (TC)
RFP50N06_NL Fairchild Semiconductor RFP50N06_NL -
RFQ
 ECAD 3974 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 60 50a (TC) 10 В 22mohm @ 50a, 10 В 4 В @ 250 мк 150 NC @ 20 V ± 20 В. 2020 PF @ 25 V - 131W (TC)
SI9426DY Fairchild Semiconductor SI9426DY -
RFQ
 ECAD 5109 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 20 10.5a (TA) 2,7 В, 4,5 В. 13,5mohm @ 10,5a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 60 NC @ 4,5 ± 8 v 2150 pf @ 10 v - 1 yt (tta)
PN2907ARA Fairchild Semiconductor PN2907Ara 0,0200
RFQ
 ECAD 1868 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PN2907 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 4000 60 800 млн 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
PN2222ARP Fairchild Semiconductor PN2222ARP -
RFQ
 ECAD 7038 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен - Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN2222 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 1 40 1 а 10NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
SI6426DQ Fairchild Semiconductor SI6426DQ 0,1900
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 20 5.4a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 35mohm @ 5,4a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 10 NC @ 4,5 ± 8 v 710 PF @ 10 V - 1,1 yt (tat)
SI3454DV Fairchild Semiconductor SI3454DV -
RFQ
 ECAD 9310 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Supersot ™ -6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 671 N-канал 30 4.2a (TA) 4,5 В, 10. 65mohm @ 4,2a, 10 2 В @ 250 мк 15 NC @ 10 V ± 20 В. 460 pf @ 15 v - 800 мт (таблица)
SI3447DV Fairchild Semiconductor SI3447DV -
RFQ
 ECAD 8313 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Supersot ™ -6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 20 5.5a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 33mohm @ 5,5a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 30 NC @ 4,5 ± 8 v 1926 PF @ 10 V - 800 мт (таблица)
SI9926DY Fairchild Semiconductor SI9926DY 0,2200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI9926 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 900 м 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 2 n-канал (Дзонано) 20 6.5a (TA) 30mohm @ 6,5a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 10NC @ 4,5 700pf @ 10 a. -
FDD5N53TM Fairchild Semiconductor FDD5N53TM 0,4000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 530 4a (TC) 10 В 1,5OM @ 2A, 10 В 5 w @ 250 мк 15 NC @ 10 V ± 30 v 640 PF @ 25 V - 40 yt (tc)
IRF630A Fairchild Semiconductor IRF630A -
RFQ
 ECAD 4655 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 200 9А (TC) 10 В 400mohm @ 4,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 29 NC @ 10 V ± 30 v 650 pf @ 25 v - 72W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть