RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Терпимость	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	Baзowый nomer prodikta	Тела	Синла - МАКС	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодар	Коунфигура	Скороп	ТИП ФЕТ	Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	Vgs (mmaks)	Взёр.	FET FUONKSHINA	Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	На	На	ВОЗНАЯ ВОЗНА	Ток - Обратна тебе	Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee	Ток - Среднигиисправейни (io)	Emcostath @ vr, f	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	На	Иппедс (mmaks) (zzt)	Это	Vce saturation (max) @ ib, ic	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD
ISL9N308AD3	0,3300	RFQ	69	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		I-pak	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	1			N-канал	30	50a (TC)	4,5 В, 10.	8mohm @ 50a, 10 В	3 В @ 250 мк	68 NC @ 10 V	± 20 В.	2600 pf @ 15 v	-	100 yt (tc)
1n5262b-t50a	0,0200	RFQ	55	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м	DO-35 (DO-204AH)	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0050	1															1,2 - @ 200 Ма		100 na @ 39 v							51	125 ОМ
Flz10va	1.0000	RFQ	1777	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Пефер	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500 м	SOD-80	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0050	2500															1,2 - @ 200 Ма		110 Na @ 7 V							9,4 В.	6,6 ОМ
SFS9Z14	0,2700	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		DO-220F	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	1			П-канал	60	5.3a (TC)	10 В	500mohm @ 2,7a, 10 В	4 В @ 250 мк	11 NC @ 10 V	± 30 v	350 pf @ 25 v	-	24 wt (tc)
Fdy3000nz	-	RFQ	7920	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	SOT-563, SOT-666	FDY3000	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	446 м	SOT-563F	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1	2 n-канал (Дзонано)			20	600 май		700mohm @ 600ma, 4,5	1,3 Е @ 250 мк	1.1NC @ 4,5		60pf @ 10 a.	Logiчeskichй yrowenhe
PN3644	0,0900	RFQ	46	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0095	2000																					45	800 млн	35NA			Pnp	400 мВ @ 15 май, 150 мат	100 @ 150 май, 10 В	-
FQPF3P20	0,2900	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		TO-220F-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	1000			П-канал	200	2.2a (TC)	10 В	2,7 ОМА @ 1.1A, 10 В	5 w @ 250 мк	8 NC @ 10 V	± 30 v	250 pf @ 25 v	-	32W (TC)
FDS7764S	1.8100	RFQ	118	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8 лейт	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	2500			N-канал	30	13.5a (TA)	4,5 В, 10.	7,5mohm @ 13,5a, 10 В	2V @ 1MA	35 NC @ 5 V	± 16 В.	2800 pf @ 15 v	-	2,5 yt (tat)
MMBT2907-D87Z	0,0300	RFQ	494	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3			350 м	SOT-23-3	СКАХАТА	Neprigodnnый				Ear99	8541.21.0095	10000																					40	800 млн	20NA (ICBO)			Pnp	1,6 В @ 50 май, 500 маточков	100 @ 150 май, 10 В	-
IRFS614B	0,1800	RFQ	80	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		DO-220F	СКАХАТА	Rohs	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	1664			N-канал	250	2.8a (TJ)	10 В	2OM @ 1,4a, 10 В	4 В @ 250 мк	10,5 NC @ 10 V	± 30 v	275 PF @ 25 V	-	22W (TC)
TIP31B	0,1500	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3	TIP31		2 Вт	220-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	50																					80	3 а	300 мк			Npn	1,2 - @ 375MA, 3A	10 @ 3A, 4V	3 мг
FMKA130	0,1000	RFQ	12	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо			Пефер	DO-214AC, SMA		ШOTKIй		DO-214AC (SMA)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0080	5000		БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)												30	550 мВ @ 1 a		1 мая @ 30	-65 ° C ~ 125 ° C.	1A	-
FDH300ATR	0,0200	RFQ	5187	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен			Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй		Станода		DO-35 (DO-204AH)	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1		Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning												125	1 V @ 200 MMA		1 na @ 125	175 ° C (MMAKS)	200 май	6pf @ 0v, 1 мгест
LL4148	1.0000	RFQ	7199	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен			Пефер	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	LL414	Станода		SOD-80C	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1		Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning												75	1 V @ 10 мая	4 млн	5 мка прри 75	-50 ° C ~ 175 ° C.	150 май	4pf @ 0V, 1 мгест
Es1daf	0,2600	RFQ	30	Fairchild Semiconductor	Автомобиль, AEC-Q101	МАССА	Актифен			Пефер	DO-214AD, SMAF	Es1d	Станода		DO-214AD (SMAF)	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0080	1152		БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)												200	950 мВ @ 1 a	34 м	1 мка, 200	-55 ° C ~ 150 ° С.	1A	15pf @ 4V, 1 мг
KSC945GBU	0,0600	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			250 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	1000																					50	150 май	100NA (ICBO)			Npn	300 мВ @ 10ma, 100 мА	200 @ 1MA, 6V	300 мг
BCW60C	1.0000	RFQ	9358	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3			350 м	SOT-23-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	3000																					32	100 май	20NA			Npn	550 мв 1,25 май, 50 маточков	250 @ 2ma, 5	125 мг
BZX85C27	0,0500	RFQ	82	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 7%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Чereз dыru	DO-204AL, DO-41, OSEVOй			1 Вт	DO-204AL (DO-41)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0050	3000															1,2 - @ 200 Ма		500 NA @ 19 V							27	30 ОМ
MMSZ5247B	1.0000	RFQ	8792	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	150 ° C (TJ)	Пефер	SOD-123			500 м	SOD-123	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	3000															900 мВ @ 10 мая		100 na @ 13 v							17	19 om
FQI4N90TU	1.1800	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA	FQI4N90	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		I2pak (262)	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			N-канал	900	4.2a (TC)	10 В	3,3OM @ 2,1a, 10 В	5 w @ 250 мк	30 NC @ 10 V	± 30 v	1100 pf @ 25 v	-	3,13 yt (ta), 140 yt (tc)
NSR2030DMXTAG	0,3300	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен									СКАХАТА		Продан	DOSTISH	2156-NSR20303030DMXTAG-600039			1
RURD660S-SB82214	1.0000	RFQ	2358	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен			Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63		Лавина			СКАХАТА		Продан	DOSTISH	2156-RURD660S-SB82214-600039			1		БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)												600	1,5 - @ 6 a	60 млн	100 мк.	-65 ° C ~ 175 ° C.	6A	25pf @ 10 v, 1 мг
KSB1116AGTA	-	RFQ	1565	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА			750 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	2141																					60	1 а	100NA (ICBO)			Pnp	300 мВ @ 50ma, 1a	200 @ 100ma, 2v	120 мг
SS9012GTA	1.0000	RFQ	2362	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА	SS9012		625 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.21.0095	1																					20	500 май	100NA (ICBO)			Pnp	600 мВ @ 50 MMA, 500 MMA	112 @ 50ma, 1в	-
RB520S30	0,0300	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен			Пефер	SC-79, SOD-523	RB520	ШOTKIй		SOD-523	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.10.0070	8000		Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning												30	600 мВ @ 200		1 мка рри 10в	-55 ° C ~ 125 ° C.	200 май	-
Fdll4448_d87z	0,0200	RFQ	20	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен			Пефер	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80		Станода		SOD-80	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	15 000		Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning												100	1 V @ 10 мая	4 млн	5 мка прри 75	-65 ° C ~ 175 ° C.	200 май	4pf @ 0V, 1 мгест
FQD4N50TF	0,4100	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	QFET®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	2000			N-канал	500	2.6a (TC)	10 В	2,7 О МОМ @ 1,3А, 10 В	5 w @ 250 мк	13 NC @ 10 V	± 30 v	460 pf @ 25 v	-	2,5 yt (ta), 45 yt (tc)
MMBF4091	-	RFQ	3799	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен									СКАХАТА		Продан	DOSTISH	2156-MMBF4091-600039	Ear99	8541.21.0095	1
FDMS2510SDC	1.0100	RFQ	15	Fairchild Semiconductor	Dual Cool ™, PowerTrench®, Syncfet ™	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8-Powertdfn		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8-PQFN (5x6)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	3000			N-канал	25 В	28a (ta), 49a (TC)	4,5 В, 10.	2,9mohm @ 23a, 10 В	3V @ 1MA	45 NC @ 10 V	± 20 В.	2780 pf @ 13 v	-	3,3 Вт (ТА), 60 Вт (ТС)
SI4467DY	0,8800	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8 лейт	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8541.29.0095	1			П-канал	20	13.5a (TA)	1,8 В, 4,5 В.	8,5mohm @ 13,5a, 4,5	1,5 В @ 250 мк	120 NC @ 4,5	± 8 v	8237 PF @ 10 V	-	1,2 yt (tat)