RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Терпимость	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	ТИП	Baзowый nomer prodikta	Тела	Синла - МАКС	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодадж	Коунфигура	Скороп	ТИП ФЕТ	ТЕКУИГИГ	Naprayeseee	Naprayжeniee - yзolyahip	Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	Vgs (mmaks)	Взёр.	FET FUONKSHINA	Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	Коунфигурахия	На	Ток - Средниги ипра.	На	ВОЗНАЯ ВОЗНА	Ток - Обратна тебе	Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee	Ток - Среднигиисправейни (io)	Emcostath @ vr, f	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	На	Иппедс (mmaks) (zzt)	Это	Vce saturation (max) @ ib, ic	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD
BZX79C9V1-T50A	0,0200	RFQ	2197	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй				500 м	DO-35 (DO-204AH)	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0050	1																				1,5 Е @ 100 мая		500 NA @ 6 V							9.1.	15 О
FQD630TF	0,3100	RFQ	207	Fairchild Semiconductor	QFET®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	2000			N-канал				200	7A (TC)	10 В	400mohm @ 3,5a, 10 В	4 В @ 250 мк	25 NC @ 10 V	± 25 В	550 pf @ 25 v	-	2,5 yt (ta), 46 yt (tc)
MM3Z16VB	0,0200	RFQ	2220	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 2%	-65 ° С ~ 150 ° С.	Пефер	SC-90, SOD-323F				200 м	SOD-323F	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0050	1																				1 V @ 10 мая		45 NA @ 11,2							16	37 ОМ
FQP9N25C	1.0000	RFQ	4425	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	1000			N-канал				250	8.8a (TC)	10 В	430MOM @ 4,4a, 10 В	4 В @ 250 мк	35 NC @ 10 V	± 30 v	710 pf @ 25 v	-	74W (TC)
FQA16N50-F109	-	RFQ	9640	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-3P-3, SC-65-3			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		12 вечера	-				2156-FQA16N50-F109			1			N-канал				500	16a (TC)	10 В	320MOHM @ 8A, 10 В	5 w @ 250 мк	75 NC @ 10 V	± 30 v	3000 pf @ 25 v	-	200 yt (tc)
Flz13vb	0,0200	RFQ	66	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Пефер	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80				500 м	SOD-80	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0050	2500																				1,2 - @ 200 Ма		133 Na @ 10 V							12,9 В.	11,4 ОМ
MPSA05RA	0,0700	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА				625 м	ДО 92-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	5829																										60	500 май	100 мк (ICBO)			Npn	250 мВ @ 10ma, 100 мая	100 @ 100ma, 1в	100 мг
FQPF14N15	0,5500	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		TO-220F-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	1000			N-канал				150	9.8a (TC)	10 В	210mohm @ 4,9a, 10	4 В @ 250 мк	23 NC @ 10 V	± 25 В	715 PF @ 25 V	-	48 Вт (TC)
SB520	-	RFQ	1587	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен			Чereз dыru	Do-201aa, Do-27, Osevoй			ШOTKIй		ДО-2011	СКАХАТА						0000.00.0000	1		БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)																20		550 м. @ 5 a		500 мк.	-50 ° C ~ 150 ° C.	5A	-
BZX85C5V6-T50R	0,0400	RFQ	48	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 7%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Чereз dыru	DO-204AL, DO-41, OSEVOй				1 Вт	DO-41	-		Продан	DOSTISH	2156-BZX85C5V6-T50R-600039			1																				1,2 - @ 200 Ма		1 мка @ 2							5,6 В.	7 О
1n973b	1.8400	RFQ	49	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй				500 м	DO-35 (DO-204AH)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0050	163																						5 мк.							33 В	58 ОМ
FDPF7N50	0,7100	RFQ	265	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		TO-220F-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	50			N-канал				500	7A (TC)	10 В	900mohm @ 3,5a, 10 В	5 w @ 250 мк	16,6 NC @ 10 V	± 30 v	940 pf @ 25 v	-	39 Вт (ТС)
1n4740a	0,0300	RFQ	30	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AL, DO-41, OSEVOй				1 Вт	DO-41	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0050	9 779																				1,2 - @ 200 Ма		10 мк.							10	7 О
1n4938tr	0,0200	RFQ	29	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо			Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			Станода		DO-35 (DO-204AH)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0070	15 000		БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)																200		1 V @ 100 май	50 млн	100 Na @ 75	175 ° C (MMAKS)	500 май	5pf @ 0v, 1 мгц
FDG410NZ	-	RFQ	3863	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		SC-88 (SC-70-6)	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1787			N-канал				20	2.2a (TA)	1,5 В, 4,5 В.	70mohm @ 2,2a, 4,5	1В @ 250 мк	7,2 NC @ 4,5	± 8 v	535 PF @ 10 V	-	420 март (таблица)
FQB3N60CTM	0,6100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		D2Pak (263)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	800			N-канал				600	3a (TC)	10 В	3,4OM @ 1,5A, 10 В	4 В @ 250 мк	14 NC @ 10 V	± 30 v	565 PF @ 25 V	-	75W (TC)
1n5234b	0,0300	RFQ	542	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен			Чereз dыru					500 м	-	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0050	11 539																						5 мка @ 4 В							6,2 В.	7 О
FDD6N50TM	-	RFQ	3527	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			N-канал				500	6А (TC)	10 В	900mohm @ 3a, 10v	5 w @ 250 мк	16,6 NC @ 10 V	± 30 v	9400 pf @ 25 v	-	89 Вт (ТС)
FQPF17P06	0,5500	RFQ	64	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		TO-220F-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	50			П-канал				60	12a (TC)	10 В	120mohm @ 6a, 10v	4 В @ 250 мк	27 NC @ 10 V	± 25 В	900 pf @ 25 v	-	39 Вт (ТС)
FDMS7672	0,5200	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8-Powertdfn			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		Power56	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	623			N-канал				30	19A (TA), 28A (TC)	4,5 В, 10.	5mohm @ 19a, 10v	3 В @ 250 мк	44 NC @ 10 V	± 20 В.	2960 pf @ 15 v	-	2,5 yt (ta), 48 yt (tc)
FEP16CT	0,4700	RFQ	90	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо			Чereз dыru	220-3			Станода		220-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0080	50		БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)															1 пар	150	16A	950 мВ @ 8 a	35 м	10 мк.	-55 ° C ~ 150 ° С.
BC547ATA	0,0300	RFQ	15	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА				500 м	ДО 92-3	СКАХАТА					Ear99	8541.21.0075	8 959																										45	100 май	15NA (ICBO)			Npn	600 мВ @ 5ma, 100 мая	110 @ 2ma, 5 В	300 мг
FDP7N50	-	RFQ	9668	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			N-канал				500	7A (TC)	10 В	900mohm @ 3,5a, 10 В	5 w @ 250 мк	16,6 NC @ 10 V	± 30 v	940 pf @ 25 v	-	89 Вт (ТС)
FPDB20PH60	12.7800	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо			Чereз dыru	27-powerdip momodooly (1,205 ", 30,60 мм)	Igbt					СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8542.39.0001	10	2 феврал			12 а	600	2500vrms
FSBB15CH60	15.4800	RFQ	351	Fairchild Semiconductor	Дюйни Spm® 3	МАССА	Актифен			Чereз dыru	27-powerdip momodooly (1,205 ", 30,60 мм)	Igbt	FSBB15				СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8542.39.0001	1	3 февраля			15 а	600	2500vrms
FSB50660ST	5,6000	RFQ	180	Fairchild Semiconductor	D	МАССА	Актифен			Чereз dыru	Модул 23-PowerDip (0,748 ", 19,00 мм)	МОСС					СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1	3 февраля			3.1 а	600	1500vrms
FDS6576	1.0000	RFQ	1383	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8 лейт	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			П-канал				20	11a (TA)	2,5 В, 4,5 В.	14mohm @ 11a, 4,5	1,5 В @ 250 мк	60 NC @ 4,5	± 12 В.	4044 PF @ 10 V	-	2,5 yt (tat)
FQPF7N65C	-	RFQ	4619	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-		FQPF7	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		DO-220F	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			N-канал				650	7A (TC)	10 В	1,4OM @ 3,5A, 10 В	4 В @ 250 мк	36 NC @ 10 V	± 30 v	1245 PF @ 25 V	-	52W (TC)
FQPF18N20V2YDTU	1.0800	RFQ	101	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-220-3 Full Pac			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		TO-220F-3 (y-obraзeц)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	800			N-канал				200	18а (TC)	10 В	140mohm @ 9a, 10 В	5 w @ 250 мк	26 NC @ 10 V	± 30 v	1080 pf @ 25 v	-	40 yt (tc)
Ffa10u40dntu	0,8800	RFQ	515	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо			Чereз dыru	TO-3P-3, SC-65-3			Станода		12 с	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0080	450		БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)															1 пар	400	10 часов	1,4 w @ 10 a	50 млн	30 мка 400	-65 ° С ~ 150 ° С.