RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Терпимость	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	ТИП	Nabahuvый nomer prodikta	ТИПВ	Тела	Синла - МАКС	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодадж	Коунфигура	Скороп	ТИП ФЕТ	ИСЛОВЕЕ ИСПАН	ТЕКУИГИГ	Naprayeseee	Naprayжeniee - yзolyahip	Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	Vgs (mmaks)	Взёр.	FET FUONKSHINA	Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	Коунфигурахия	На	Ток - Средниги ипра.	На	ВОЗНАЯ ВОЗНА	Ток - Обратна тебе	Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee	Ток - Среднигиисправейни (io)	ТИП ИГБТ	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Переклхейн	ЗArAd -vvoROT	TD (ON/OFF) @ 25 ° C	Дип	Napraheneee - пик в	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	На	Иппедс (mmaks) (zzt)	Это	Vce saturation (max) @ ib, ic	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD
MM3Z22VC	0,0200	RFQ	30	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° С ~ 150 ° С.	Пефер	SC-90, SOD-323F					200 м	SOD-323F	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0050	1																					1 V @ 10 мая		45 NA @ 15,4													22	51 om
FSBB20CH60F	-	RFQ	9616	Fairchild Semiconductor	Дюйни Spm® 3	Трубка	Актифен			Чereз dыru	27-powerdip momodooly (1,205 ", 30,60 мм)	Igbt	FSBB20					СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8542.39.0001	60	3 февраля				20 а	600	2500vrms
TIP116	0,2000	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3					50 st	220-3	СКАХАТА	Rohs				Ear99	8541.29.0095	1200																											80	2 а							2MA			PNP - ДАРЛИНГТОН	2,5 - @ 8ma, 2a	1000 @ 1a, 4v	25 мг
FDAF62N28	2.5700	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-3P-3 Full Pack				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		To-3pf	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	360			N-канал					280	36a (TC)	10 В	51mohm @ 18a, 10v	5 w @ 250 мк	100 NC @ 10 V	± 30 v	4630 pf @ 25 v	-	165W (TC)
FFD08S60S	0,3600	RFQ	222	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен											-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8542.39.0001	2500
FDB6035AL	1.4600	RFQ	172	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		DO-263AB	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	1			N-канал					30	48a (TA)	4,5 В, 10.	12 мом @ 24а, 10 В	3 В @ 250 мк	18 NC @ 5 V	± 20 В.	1250 pf @ 15 v	-	52W (TC)
FSAM15SM60A	22.6400	RFQ	150	Fairchild Semiconductor	Дюйни Spm® 2	Трубка	Управо			Чereз dыru	Модуль 32-PowerDip (1370 ", 34,80 мм)	Igbt						СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8542.39.0001	8	3 февраля				15 а	600	2500vrms
MMBT2369	-	RFQ	7778	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3					350 м	SOT-23-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	0000.00.0000	3000																											15	200 май							400NA (ICBO)			Npn	250 мВ @ 1MA, 10MA	40 @ 10ma, 1v	-
FDD4N60NZ	1.0000	RFQ	3598	Fairchild Semiconductor	Unifet-II ™	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	-						0000.00.0000	1			N-канал					600	3.4a (TC)	10 В	2,5 ОМ @ 1,7A, 10 В	5 w @ 250 мк	10,8 NC @ 10 V	± 25 В	510 PF @ 25 V	-	114W (TC)
FGP3040G2-F085	-	RFQ	9455	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, EcoSpark®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3			Лейка		150 Вт	220-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1				-																						-	400	41 а	1,25 h @ 4v, 6a	-	21 NC	900NS/4,8 мкс
FGI3040G2	1.2400	RFQ	92	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен											-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8542.39.0001	1
BZX55C2V7	0,0200	RFQ	17	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 7%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй					500 м	DO-35 (DO-204AH)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0050	17 780																					1,3 Е @ 100 Ма		10 мка @ 1 В													2,7 В.	85 ОМ
FNB40560B2	-	RFQ	7267	Fairchild Semiconductor	Дюйни Spm® 45	МАССА	Актифен			Чereз dыru	Модул 26-PowerDip (1024 ", 26,00 мм)	Igbt	FNB40					СКАХАТА	Neprigodnnый	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8542.39.0001	1	3 февраля				5 а	600	2000vrms
RURD620CCS9A	-	RFQ	9473	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен			Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63				Станода		252, (D-PAK)	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0080	1		БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)																1 пар	200	6A	1 V @ 6 A	30 млн	100 мк.	-65 ° C ~ 175 ° C.
NJVMJD45H11RLG-VF01	1.0000	RFQ	1181	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63					1,75 Вт	Dpak	СКАХАТА		Продан	DOSTISH	2156-NJVMJD45H11RLG-VF01-600039			1																											80	8 а							1 мка			Pnp	1v @ 400 май, 8a	40 @ 4a, 1v	90 мг
FCPF290N80	3.0800	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-		FCPF290		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		DO-220F	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	98			N-канал					800 В	17a (TC)	10 В	290mohm @ 8.5a, 10 В	4,5- прри 1,7 мая	75 NC @ 10 V	± 20 В.	3205 pf @ 100 v	-	40 yt (tc)
BC559	0,0400	RFQ	37	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					500 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	2000																											30	100 май							15NA (ICBO)			Pnp	650 мВ @ 5ma, 100 мая	110 @ 2ma, 5 В	150 мг
ISL9V5036S3ST	-	RFQ	2085	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, EcoSpark®	МАССА	Актифен		-40 ° C ~ 175 ° C.	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB			Лейка		250 Вт	D2Pak (263)	-				2156-ISL9V5036S3ST			1				300 В, 1 кум, 5																		2,1 мкс				-	390	46 а	1,6 - @ 4V, 10a	2,59mj (ON), 9MJ (OFF)	32 NC	-/10,8 мкс
FDP75N08	1.0400	RFQ	365	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	50			N-канал					75	75A (TC)	10 В	11mohm @ 37.5a, 10v	4 В @ 250 мк	104 NC @ 10 V	± 20 В.	4468 PF @ 25 V	-	131W (TC)
FQI3P20TU	0,7500	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		I2pak (262)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	1000			П-канал					200	2.8a (TC)	10 В	2,7 О МОМ @ 1,4a, 10 В	5 w @ 250 мк	8 NC @ 10 V	± 30 v	250 pf @ 25 v	-	3.13W (TA), 52W (TC)
GBPC1202	3.1600	RFQ	248	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC TERMINAL	4 Квадрата, GBPC				Станода		GBPC	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0080	95																					1.1 V @ 6 a		5 мка При 200		12 а								ОДИНАНАНА	200
KS3302BU	0,0200	RFQ	2277	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)						ДО 92-3	-					Ear99	8542.39.0001	10000																											40	200 май							-			Npn	150 мВ @ 10ma, 100 мая	-	-
FQPF4N90	0,3700	RFQ	1049	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		TO-220F-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	744			N-канал					900	2.5a (TC)	10 В	3,3 ОМ @ 1,25а, 10 В	5 w @ 250 мк	30 NC @ 10 V	± 30 v	1100 pf @ 25 v	-	47W (TC)
MM3Z47VC	0,0200	RFQ	9857	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° С ~ 150 ° С.	Пефер	SC-90, SOD-323F		MM3Z47			200 м	SOD-323F	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0050	2913																					1 V @ 10 мая		45 Na @ 33 V													47 В	160 ОМ
KSH50TF	-	RFQ	3176	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63					15 Вт	252-3 (DPAK)	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	0000.00.0000	2000																											400	1 а							200 мк			Npn	1V @ 200 мам, 1a	30 @ 300 май, 10 В	10 мг
BZX84C5V6	-	RFQ	6163	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3					250 м	SOT-23-3	-	Rohs		Продан	2156-BZX84C5V6-600039			1																					900 мВ @ 10 мая		1 мка @ 2													5,6 В.	10 ОМ
SS9014CBU	0,0300	RFQ	108	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					450 м	ДО 92-3	СКАХАТА		Продан	DOSTISH	2156-SS9014CBU-600039			1																											45	100 май							500NA (ICBO)			Npn	300 мВ @ 5ma, 100 мая	200 @ 1MA, 5V	270 мг
FDS6690S	0,9600	RFQ	427	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8 лейт	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8541.29.0095	1			N-канал					30	10А (таблица)	4,5 В, 10.	16mohm @ 10a, 10 В	3V @ 1MA	16 NC @ 5 V	± 20 В.	1233 PF @ 15 V	-	1 yt (tta)
HUFA76633P3	1.0700	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	400			N-канал					100	39a (TC)	4,5 В, 10.	35mohm @ 39a, 10v	3 В @ 250 мк	67 NC @ 10 V	± 16 В.	1820 PF @ 25 V	-	145W (TC)
FDM3622	1.0000	RFQ	5205	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8-powerwdfn				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8-mlp (3,3x3,3)	СКАХАТА						0000.00.0000	1			N-канал					100	4.4a (TA)	6 В, 10 В.	60mohm @ 4.4a, 10 В	4 В @ 250 мк	17 NC @ 10 V	± 20 В.	1090 PF @ 25 V	-	2,1 yt (tat)