RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Терпимость	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	Baзowый nomer prodikta	ТИПВ	Тела	Синла - МАКС	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодар	Коунфигура	Скороп	ТИП ФЕТ	ИСЛОВЕЕ ИСПАН	Прирост	Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	Vgs (mmaks)	Взёр.	FET FUONKSHINA	Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	Коунфигурахия	На	Ток - Средниги ипра.	На	ВОЗНАЯ ВОЗНА	Ток - Обратна тебе	Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee	Ток - Среднигиисправейни (io)	ТИП ИГБТ	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Ток - Коллексионер ипюльх (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Переклхейн	ЗArAd -vvoROT	TD (ON/OFF) @ 25 ° C	Дип	Napraheneee - пик в	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	На	Иппедс (mmaks) (zzt)	Это	Vce saturation (max) @ ib, ic	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD	ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
FDMS8670	0,8700	RFQ	74	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8-Powertdfn			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8-PQFN (5x6)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	3000			N-канал			30	24a (ta), 42a (TC)	4,5 В, 10.	2,6mohm @ 24a, 10 В	3 В @ 250 мк	63 NC @ 10 V	± 20 В.	3940 PF @ 15 V	-	2,5 yt (ta), 78 yt (tc)
FDN5632N	-	RFQ	6899	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен					FDN5632		-			-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8542.39.0001	3000														-
MPSA06	0,0800	RFQ	26	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	MPSA06			625 м	Создание 92	СКАХАТА					Ear99	8541.21.0075	3842																									80	500 май								100NA (ICBO)			Npn	250 мВ @ 10ma, 100 мая	100 @ 100ma, 1в	100 мг
FQD4P40TM	1.0000	RFQ	8830	Fairchild Semiconductor	QFET®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	СКАХАТА						0000.00.0000	1			П-канал			400	2.7a (TC)	10 В	3,1 в 1,35а, 10 В	5 w @ 250 мк	23 NC @ 10 V	± 30 v	680 PF @ 25 V	-	2,5 yt (ta), 50 st (tc)
FGH40N60UFTU	-	RFQ	1849	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	247-3		Станода		290 Вт	247	СКАХАТА					Ear99	8541.29.0095	1				400 В, 40:00, 10OM, 15																				Поле	600	80 а	120 А.	2.4V @ 15V, 40a	1,19mj (ON), 460 мкд (OFF)	120 NC	24NS/112NS
1MD2_FDH3369C	0,0200	RFQ	4131	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен										-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан			0000.00.0000	9,992
KSC1008RBU	0,0300	RFQ	6328	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				800 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0095	9000																									60	700 млн								100NA (ICBO)			Npn	400 мВ @ 50 май, 500 матов	40 @ 50ma, 2V	50 мг
FDB8444	1.1400	RFQ	167	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		D2Pak (263)	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	264			N-канал			40	70A (TC)	10 В	5,5mohm @ 70a, 10v	4 В @ 250 мк	128 NC @ 10 V	± 20 В.	8035 PF @ 25 V	-	167W (TC)
FQPF3N40	0,4400	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		TO-220F-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	1000			N-канал			400	1.6A (TC)	10 В	3,4OM @ 800 мА, 10 В	5 w @ 250 мк	7,5 NC @ 10 V	± 30 v	230 pf @ 25 v	-	20 yt (tc)
FDZ1905PZ	0,3400	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	6-UFBGA, WLCSP	FDZ1905		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	900 м	6-WLCSP (1x1,5)	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1	2 P-KANOL (DVOйNOй)					-	-		126mohm @ 1a, 4,5	1В @ 250 мк	-		-	Logiчeskichй yrowenhe
NDP7061	2.3200	RFQ	5	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	50			N-канал			60	64a (TC)	10 В	16mohm @ 35a, 10v	4 В @ 250 мк	100 NC @ 10 V	± 20 В.	1930 PF @ 25 V	-	130 Вт (TC)
FDP8030L	4.7200	RFQ	7	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			N-канал			30	80A (TA)	4,5 В, 10.	3,5mohm @ 80a, 10 В	2 В @ 250 мк	170 NC @ 5 V	± 20 В.	10500 pf @ 15 v	-	187W (TC)
FDMS8350LT40	1.0000	RFQ	8612	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	8-Powertdfn			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8-PQFN (5x6)	-	Rohs		Продан	2156-FDMS8350LT40	Ear99	8541.29.0095	1			N-канал			40	49A (TA), 300A (TC)	4,5 В, 10.	0,85MOHM @ 47A, 10 В	3 В @ 250 мк	219 NC @ 10 V	± 20 В.	16590 pf @ 20 v	-	3,33 Вт (ТА), 125W (TC)
FCD620N60ZF	-	RFQ	4587	Fairchild Semiconductor	Hiperfet ™, Polar ™	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	СКАХАТА						0000.00.0000	1			N-канал			600	7.3a (TC)	10 В	620mom @ 3,6a, 10 В	5 w @ 250 мк	36 NC @ 10 V	± 20 В.	1135 PF @ 25 V	-	89 Вт (ТС)
FCPF380N60E-F152	-	RFQ	5776	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		TO-220F-3	-				2156-FCPF380N60E-F152			1			N-канал			600	10.2a (TC)	10 В	380mom @ 5a, 10 В	3,5 В @ 250 мк	45 NC @ 10 V	± 20 В.	1770 PF @ 25 V	-	31W (TC)
DFB20100	14000	RFQ	296	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	4-sip, ts-6p			Станода		TS-6p	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0080	296																			1.1 V @ 20 a		10 мк -прри 50		20 а									ОДИНАНАНА	1 к
FCH190N65F-F155	3.3400	RFQ	4300	Fairchild Semiconductor	FRFET®, Superfet® II	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	247-3			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		247-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	66			N-канал			650	20.6a (TC)	10 В	190mohm @ 10a, 10v	5 w @ 2ma	78 NC @ 10 V	± 20 В.	3225 PF @ 100 V	-	208W (TC)
GBPC2510	1.0000	RFQ	9120	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	QC TERMINAL	4 Квадрата, GBPC			Станода		GBPC	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0080	1																			1,1 В @ 12,5 А		5 мка @ 1 В		25 а									ОДИНАНАНА	1 к
HUFA76407D3ST	0,4600	RFQ	41	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	2500			N-канал			60	12a (TC)	4,5 В, 10.	92mohm @ 13a, 10 В	3 В @ 250 мк	11,3 NC @ 10 V	± 16 В.	350 pf @ 25 v	-	38W (TC)
FQP10N20L	1.0000	RFQ	9277	Fairchild Semiconductor	QFET ™	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА	Rohs	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8541.29.0095	1			N-канал			200	10a (TC)	5 В, 10 В.	360mohm @ 5a, 10 В	2 В @ 250 мк	17 NC @ 5 V	± 20 В.	830 pf @ 25 v	-	87W (TC)
DFB2580	1.8400	RFQ	180	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	4-sip, ts-6p			Станода		TS-6p	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0080	180																			1.1 V @ 25 A		10 мк.		25 а									ОДИНАНАНА	800 В
FGA6065ADF	-	RFQ	6417	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-3P-3, SC-65-3		Станода		306 Вт	12 вечера	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1				400 В, 60., 6om, 15																110 млн				По -прежнему	650	120 А.	180 А.	2,3 В @ 15 В, 60a	2.46MJ (ON), 520 мкд (OFF)	84 NC	25.6ns/71ns
FFPF04U40DPTU	0,2400	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо			Чereз dыru	220-3-			Станода		TO-220F-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0080	1000		БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)														1 пар	400	4 а	1,4 - @ 4 a	45 м	10 мка 400	-65 ° С ~ 150 ° С.
FDD6782A	0,3900	RFQ	82	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	2500			N-канал			25 В	20А (тат)	4,5 В, 10.	10,5mohm @ 14,9a, 10v	3 В @ 250 мк	27 NC @ 10 V	± 20 В.	1065 pf @ 13 v	-	3,7 yt (ta), 31w (TC)
BZX85C7V5	0,0300	RFQ	35	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	-	Чereз dыru	DO-204AL, DO-41, OSEVOй	BZX85C7			1,3	DO-41G	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	1																			1,2 - @ 200 Ма		1 мка 4,5														7,5 В.	3 О
KSC3123Omtf	0,0200	RFQ	8269	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3				150 м	SOT-23-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	2409					20 дБ ~ 23 дБ																				20	50 май											Npn		90 @ 5ma, 10 В	1,4 -е	3,8 деб ~ 5,5 дбри При.
BZX79C36	0,0200	RFQ	8801	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй				500 м	DO-35 (DO-204AH)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0050	3575																			1,5 Е @ 100 мая		50 NA @ 25,2														36	90 ОМ
FLZ39VC	1.0000	RFQ	3777	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Пефер	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80				500 м	SOD-80	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0050	2500																			1,2 - @ 200 Ма		133 Na @ 30 V														36,9 В.	72 О
FDD8444L	1.1200	RFQ	337	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	2500			N-канал			40	16a (ta), 50a (TC)	4,5 В, 10.	5,2 мома @ 50a, 10	3 В @ 250 мк	60 NC @ 5 V	± 20 В.	5530 PF @ 25 V	-	153W (TC)
FDMC0310AS	1.0000	RFQ	5497	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®, Syncfet ™	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8-powerwdfn			МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8-mlp (3,3x3,3)	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			N-канал			30	19A (TA), 21a (TC)	4,5 В, 10.	4.4mohm @ 19a, 10v	3V @ 1MA	52 NC @ 10 V	± 20 В.	3165 PF @ 15 V	-	2.4W (TA), 36W (TC)