SIC
close

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Власта - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ ИСЛОВЕЕ ИСПАН ТЕКУИГИГ Naprayeseee Naprayжeniee - yзolyahip Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Ток - Колемкшионер (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Дип Napraheneee - пик в На TOOK - dreneж (idss) @ vds (vgs = 0) На Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) СОПРОТИВЛЕВЕР - RDS (ON) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
FQA27N25 Fairchild Semiconductor FQA27N25 1.5900
RFQ
 ECAD 712 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 вечера СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 189 N-канал 250 27a (TC) 10 В 110mohm @ 13.5a, 10v 5 w @ 250 мк 65 NC @ 10 V ± 30 v 2450 pf @ 25 v - 210 Вт (TC)
FGY75N60SMD Fairchild Semiconductor Fgy75n60smd -
RFQ
 ECAD 5735 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ Станода 750 Вт Powerto-247-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 400 В, 75а, 3 ОМ, 15 В 55 м Поле 600 150 А. 225 а 2,5 -прри 15 -в, 75а 2,3MJ (ON), 770 мкд (OFF) 248 NC 24ns/136ns
SFW2955TM Fairchild Semiconductor SFW2955TM 0,4000
RFQ
 ECAD 5792 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252-3 (DPAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 540 П-канал 60 9.4a (TC) 10 В 300mohm @ 4.7a, 10 4 В @ 250 мк 19 NC @ 10 V ± 20 В. 600 pf @ 25 v - 3,8 Вт (ТА), 49 Вт (TC)
FLZ15VB Fairchild Semiconductor Flz15vb 0,0200
RFQ
 ECAD 113 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 2500 1,2 - @ 200 Ма 133 Na @ 11 V 14,3 В. 13,3 О
HUF76013D3ST Fairchild Semiconductor HUF76013D3ST 0,2800
RFQ
 ECAD 150 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 20 20А (TC) 5 В, 10 В. 22mohm @ 20a, 10 В 3 В @ 250 мк 17 NC @ 10 V ± 20 В. 624 pf @ 20 v - 50 yt (tc)
FDS9945 Fairchild Semiconductor FDS9945 -
RFQ
 ECAD 2555 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) FDS99 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1 yt (tta) 8 лейт СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 2 n-канал (Дзонано) 60 3.5a (TA) 100mohm @ 3,5a, 10 В 3 В @ 250 мк 13NC @ 5V 420pf @ 30v Logiчeskichй yrowenhe
FQB27N25TM Fairchild Semiconductor FQB27N25TM 1,3000
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB FQB27 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 250 25.5a (TC) 10 В 131mohm @ 25.5a, 10v 5 w @ 250 мк 49 NC @ 10 V ± 30 v 1800 pf @ 25 v - 417W (TJ)
FDN336P Fairchild Semiconductor FDN336P 0,1400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 2156 П-канал 20 1.3a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 200 месяцев @ 1,3а, 4,5 1,5 В @ 250 мк 5 NC @ 4,5 ± 8 v 330 pf @ 10 v - 500 мг (таблица)
FDY4001CZCT Fairchild Semiconductor FDY4001CZCT -
RFQ
 ECAD 6907 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен FDY40 - - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 2101 -
FDD850N10LD Fairchild Semiconductor FDD850N10LD -
RFQ
 ECAD 7269 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 252-5, DPAK (4 HEDS + TAB), до 252AD МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 2500 N-канал 100 15.3a (TC) 75mohm @ 12a, 10v 2,5 -50 мк 28,9 NC @ 10 V ± 20 В. 1465 PF @ 25 V - 42W (TC)
HUF76423D3 Fairchild Semiconductor HUF76423D3 0,4100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1800 N-канал 60 20А (TC) 4,5 В, 10. 32mohm @ 20a, 10 В 3 В @ 250 мк 34 NC @ 10 V ± 16 В. 1060 pf @ 25 v - 85W (TC)
FSBB15CH60F Fairchild Semiconductor FSBB15CH60F 15.2500
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Fairchild Semiconductor Дюйни Spm® 3 МАССА Актифен Чereз dыru 27-powerdip momodooly (1,205 ", 30,60 мм) Igbt FSBB15 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 3 февраля 15 а 600 2500vrms
FDG314P Fairchild Semiconductor FDG314P 0,1000
RFQ
 ECAD 335 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SC-88 (SC-70-6) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 25 В 650 май (таблица) 2,7 В, 4,5 В. 1,1 в 500 май, 4,5 1,5 В @ 250 мк 1,5 NC @ 4,5 ± 8 v 63 pf @ 10 v - 750 мг (таблица)
FDS5692Z Fairchild Semiconductor FDS5692Z 1.0700
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 50 5.8a (TA) 4,5 В, 10. 24mohm @ 5.8a, 10 В 3 В @ 250 мк 25 NC @ 10 V ± 20 В. 1025 PF @ 25 V - 2,5 yt (tat)
PN2907ATFR Fairchild Semiconductor PN2907atfr -
RFQ
 ECAD 1876 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 1 60 800 млн 20NA (ICBO) Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
FJX4006RTF Fairchild Semiconductor FJX4006RTF 0,0300
RFQ
 ECAD 93 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер SC-70, SOT-323 FJX400 200 м SC-70 (SOT323) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 200 мг 10 Kohms 47 Kohms
MJE2955TTU Fairchild Semiconductor MJE2955TTU -
RFQ
 ECAD 3619 0,00000000 Fairchild Semiconductor MJE2955T МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 600 м 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 60 10 а 700 мк Pnp 8 В @ 3,3а, 10А 20 @ 4a, 4v 2 мг
KSA1625KBU Fairchild Semiconductor KSA1625KBU 0,0200
RFQ
 ECAD 1647 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 750 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 10 050 400 500 май 1 мка (ICBO) Pnp 1- @ 10 май, 100 мая 100 @ 50ma, 5 В 10 мг
1N4728ATR Fairchild Semiconductor 1n4728atr 0,0300
RFQ
 ECAD 135 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 11 053 100 мка @ 1 В 3.3в 10 ОМ
FFB10UP20STM Fairchild Semiconductor FFB10UP20STM 0,8600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода D2Pak (263) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,15 Е @ 10 a 45 м 100 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 10 часов -
RHRG1560CC-F085 Fairchild Semiconductor RHRG1560CC-F085 -
RFQ
 ECAD 2886 0,00000000 Fairchild Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru 247-3 Станода 247-3 СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 15A 2,3 В @ 15 A 55 м 100 мк. -55 ° C ~ 175 ° C.
FDS3670 Fairchild Semiconductor FDS3670 1.6700
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 100 6.3a (TA) 6 В, 10 В. 32mohm @ 6,3a, 10 4 В @ 250 мк 80 NC @ 10 V ± 20 В. 2490 pf @ 50 v - 2,5 yt (tat)
KSB564AOBU Fairchild Semiconductor KSB564AOBU -
RFQ
 ECAD 6910 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 8000 25 В 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 100ma, 1a 70 @ 100ma, 1v 110 мг
MMSD4148-D87Z Fairchild Semiconductor MMSD4148-D87Z -
RFQ
 ECAD 7730 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Пефер SOD-123 Станода SOD-123 - Rohs Продан 2156-MMSD4148-D87Z-600039 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 10 мая 4 млн 5 мка прри 75 150 ° С 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
J176 Fairchild Semiconductor J176 0,1000
RFQ
 ECAD 8001 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 2000 П-канал - 30 2 мая @ 15 1 V @ 10 NA 250 ОМ
1N5246BTR Fairchild Semiconductor 1n5246btr 0,0300
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 11 539 1,2 - @ 200 Ма 100 na @ 12 v 16 17 О
J175 Fairchild Semiconductor J175 0,1200
RFQ
 ECAD 2089 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 2156-J175-FS Ear99 8541.21.0095 2000 П-канал 5,5pf @ 10V (VGS) 30 7 май @ 15 3 V @ 10 NA 125 ОМ
1N4747A_NL Fairchild Semiconductor 1n4747a_nl 0,0400
RFQ
 ECAD 5486 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1940 5 мка прри 15,2 20 22 ОМ
HUFA76429D3ST_QF085 Fairchild Semiconductor HUFA76429D3ST_QF085 -
RFQ
 ECAD 5621 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен HUFA76429 - - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8542.39.0001 300 -
GBPC3508 Fairchild Semiconductor GBPC3508 3.0800
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC TERMINAL 4 Квадрата, GBPC Станода GBPC СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 100 1,1 В @ 17,5 а 5 мк -400 35 а ОДИНАНАНА 800 В
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть