SIC
close

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ ТЕКУИГИГ Naprayeseee Naprayжeniee - yзolyahip Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1)
MPSA12 Fairchild Semiconductor MPSA12 0,0500
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 5000 20 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1- @ 10 мк, 10 мая 20000 @ 10ma, 5 В -
FFPF15U120STU Fairchild Semiconductor FFPF15U120STU -
RFQ
 ECAD 7989 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо Чereз dыru 220-2 Станода TO-220F-2L СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 3,5 - @ 15 A 100 млн 15 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 15A -
BZX79C24 Fairchild Semiconductor BZX79C24 0,0200
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,5 Е @ 100 мая 50 NA @ 16,8 24 70 ОМ
FQH140N10 Fairchild Semiconductor FQH140N10 -
RFQ
 ECAD 7619 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 450 N-канал 100 140a (TC) 10 В 10mohm @ 70a, 10 В 4 В @ 250 мк 285 NC @ 10 V ± 25 В 7900 pf @ 25 v - 375W (TC)
KSC5042MSTU Fairchild Semiconductor KSC5042MSTU 1.0000
RFQ
 ECAD 4655 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо - Чereз dыru 225AA, 126-3 6 Вт 126-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1 900 100 май 10 мк (ICBO) Npn 5 w @ 4ma, 20 мая 30 @ 10ma, 5 В -
FDD6680A Fairchild Semiconductor FDD6680A 1.5300
RFQ
 ECAD 204 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 14a (ta), 56a (TC) 4,5 В, 10. 9,5mohm @ 14a, 10 В 3 В @ 250 мк 20 NC @ 5 V ± 20 В. 1425 PF @ 15 V - 2,8 yt (ta), 60 yt (tc)
FDLL400 Fairchild Semiconductor FDLL400 0,0400
RFQ
 ECAD 71 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Станода SOD-80 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 7,493 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 150 1,1 @ 300 мая 50 млн 100 Na @ 150 175 ° C (MMAKS) 200 май 2pf @ 0v, 1 мгест
BSR13 Fairchild Semiconductor BSR13 1.0000
RFQ
 ECAD 5723 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 м SOT-23-3 - Rohs3 Ear99 8541.21.0075 3000 30 500 май 30NA (ICBO) Npn 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 250 мг
FLZ27VA Fairchild Semiconductor Flz27va 0,0200
RFQ
 ECAD 4541 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 2 050 1,2 - @ 200 Ма 133 Na @ 21 V 24,9 В. 38 ОМ
BC857S Fairchild Semiconductor BC857S -
RFQ
 ECAD 2842 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BC857 300 м SC-88 (SC-70-6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 3000 45 200 май 15NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 200 мг
ISL9R18120G2 Fairchild Semiconductor ISL9R18120G2 1.0000
RFQ
 ECAD 2861 0,00000000 Fairchild Semiconductor Stealth ™ МАССА Актифен Чereз dыru ДО-247-2 Станода ДО-247-2 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 3.3 V @ 18 a 70 млн 100 мк @ 1200 -55 ° C ~ 150 ° С. 18:00 -
FJN3310RBU Fairchild Semiconductor FJN3310RBU 1.0000
RFQ
 ECAD 2532 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN331 300 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 1000 40 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 10 Kohms
FDB7045L Fairchild Semiconductor FDB7045L 4.0500
RFQ
 ECAD 120 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-263AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 30 100a (TJ) 4,5 В, 10. 4,5mohm @ 50a, 10 В 3 В @ 250 мк 58 NC @ 5 V ± 20 В. 4357 PF @ 15 V - 107W (TA)
FFP06U20DNTU Fairchild Semiconductor FFP06U20DNTU 0,2000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо Чereз dыru 220-3 Станода 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 6A 1,2 - @ 6 a 35 м 6 мка pri 200 -65 ° С ~ 150 ° С.
BZX55C6V2 Fairchild Semiconductor BZX55C6V2 0,0400
RFQ
 ECAD 86 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 1000 1,3 Е @ 100 Ма 100 na @ 2 v 6,2 В. 10 ОМ
FDZ2553NZ Fairchild Semiconductor FDZ2553NZ 0,6000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 18-WFBGA FDZ25 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2,1 18-BGA (2,5x4) СКАХАТА Rohs Ear99 8541.29.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 20 9.6A 14mohm @ 9,6a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 18NC @ 5V 1240pf @ 10V Logiчeskichй yrowenhe
FSB50550T Fairchild Semiconductor FSB50550T 10.5600
RFQ
 ECAD 410 0,00000000 Fairchild Semiconductor Дюйни Spm® 5 МАССА Актифен Чereз dыru Модул 23-PowerDip (0,748 ", 19,00 мм) МОСС FSB505 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 29 3 февраля 1,8 а 500 1500vrms
FLZ20VA Fairchild Semiconductor FLZ20VA 1.0000
RFQ
 ECAD 8727 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 2500 1,2 - @ 200 Ма 133 Na @ 15 V 18,5. 23,5 ОМ
BC307CBU Fairchild Semiconductor BC307CBU 0,0200
RFQ
 ECAD 1289 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 629 45 100 май 15NA Pnp 500 мВ @ 5ma, 100 мая 380 @ 2ma, 5V 130 мг
MBR1645 Fairchild Semiconductor MBR1645 1.0000
RFQ
 ECAD 1491 0,00000000 Fairchild Semiconductor SwitchMode ™ МАССА Актифен Чereз dыru ДО-220-2 MBR1645 ШOTKIй ДО-220-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 630 мВ @ 16 a 1 май @ 45 -65 ° C ~ 175 ° C. 16A 1400pf @ 5V, 1 мгновение
FDB070AN06A0 Fairchild Semiconductor FDB070AN06A0 1.0000
RFQ
 ECAD 9459 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 60 15a (ta), 80a (TC) 10 В 7mohm @ 80a, 10v 4 В @ 250 мк 66 NC @ 10 V ± 20 В. 3000 pf @ 25 v - 175W (TC)
KSB772OS Fairchild Semiconductor KSB772OS 0,1000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 1 Вт 126-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0075 250 30 3 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ 200 май, 2а 100 @ 1a, 2v 80 мг
KSD986YSTSSTU Fairchild Semiconductor KSD986YSTSSTU 1.0000
RFQ
 ECAD 3733 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 1 Вт 126-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2880 80 1,5 а 10 мк (ICBO) Npn - дарлино 1,5 - @ 1ma, 1a 8000 @ 1a, 2v -
BC548ATA Fairchild Semiconductor BC548ATA 0,0200
RFQ
 ECAD 4991 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2432 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 300 мг
2N5210TF Fairchild Semiconductor 2n5210tf 0,0200
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 2000 50 100 май 50na (ICBO) Npn 700 мВ @ 1MA, 10MA 200 @ 100 мк, 5 30 мг
IRF9540 Fairchild Semiconductor IRF9540 1.2500
RFQ
 ECAD 750 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-IRF9540-600039 1 П-канал 100 19a (TC) 10 В 200 месяцев @ 11A, 10V 4 В @ 250 мк 61 NC @ 10 V ± 20 В. 1400 pf @ 25 v - 150 Вт (TC)
BC848A Fairchild Semiconductor BC848A 0,0800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor SOT-23 МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 100 мг
FDP14AN06LA0 Fairchild Semiconductor FDP14AN06LA0 3.0100
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 400 N-канал 60 10a (ta), 67a (TC) 5 В, 10 В. 11,6mohm @ 67a, 10v 3 В @ 250 мк 31 NC @ 5 V ± 20 В. 2900 pf @ 25 v - 125W (TC)
FQPF8P10 Fairchild Semiconductor FQPF8P10 0,3700
RFQ
 ECAD 860 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 860 П-канал 100 5.3a (TC) 10 В 530MOM @ 2,65A, 10 В 4 В @ 250 мк 15 NC @ 10 V ± 30 v 470 pf @ 25 v - 28W (TC)
BC639 Fairchild Semiconductor BC639 -
RFQ
 ECAD 3093 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2000 80 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В 200 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть