RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Терпимость	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	ТИП	Nabahuvый nomer prodikta	ТИПВ	Тела	Синла - МАКС	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодадж	Коунфигура	Скороп	ТИП ФЕТ	ИСЛОВЕЕ ИСПАН	ТЕКУИГИГ	Naprayeseee	Naprayжeniee - yзolyahip	Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	Vgs (mmaks)	Взёр.	FET FUONKSHINA	Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	Коунфигурахия	На	Ток - Средниги ипра.	На	ВОЗНАЯ ВОЗНА	Ток - Обратна тебе	Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee	Ток - Среднигиисправейни (io)	Emcostath @ vr, f	ТИП ИГБТ	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Ток - Коллексионер ипюльх (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Переклхейн	ЗArAd -vvoROT	TD (ON/OFF) @ 25 ° C	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	На	Иппедс (mmaks) (zzt)	Это	Vce saturation (max) @ ib, ic	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD
2SA2205-E	-	RFQ	4800	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА					800 м	Т.	СКАХАТА		Продан	DOSTISH	2156-2SA2205-E-600039			1																												100	2 а						1 мка (ICBO)			Pnp	240 мВ @ 100ma, 1a	200 @ 100ma, 5 В	300 мг
SB550	-	RFQ	9934	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен			Чereз dыru	Do-201aa, Do-27, Osevoй				ШOTKIй		ДО-2011	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0080	1		БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)																	50		670 мВ @ 5 a		500 мк.	-50 ° C ~ 150 ° C.	5A	-
HUFA76419D3S	1.0000	RFQ	6133	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	75			N-канал					60	20А (TC)	4,5 В, 10.	37mohm @ 20a, 10 В	3 В @ 250 мк	27,5 NC @ 10 V	± 16 В.	900 pf @ 25 v	-	75W (TC)
FDZ7296	0,7200	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	18-WFBGA				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		18-BGA (2,5x4)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	3000			N-канал					30	11a (TA)	4,5 В, 10.	8,5mohm @ 11a, 10v	3 В @ 250 мк	31 NC @ 10 V	± 20 В.	1520 PF @ 15 V	-	2,1 yt (tat)
MM5Z18V-FS	1.0000	RFQ	2653	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 6,39%	-55 ° C ~ 150 ° С.	Пефер	SC-79, SOD-523					200 м	SOD-523F	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	8000																							50 NA @ 12,6													18	45 ОМ
FDMS3600S	-	RFQ	6104	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8-Powertdfn		FDMS3600		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	2,2 yt (ta), 2,5 yt (ta)	8-PQFN (5x6)	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1	2 n-kanalnый (dvoйnoй)							25 В	15A (TA), 30A (TC), 30A (TA), 40A (TC)		5,6MOM @ 15A, 10V, 1,6MOM @ 30A, 10V	2,7 - @ 250 мка, 3 w @ 1ma	27NC @ 10V, 82NC @ 10V		1680pf @ 13V, 5375pf @ 13V	-
2n3904rm	0,0200	RFQ	5286	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА		2N3904			625 м	Создание 92	СКАХАТА	Rohs	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8541.21.0075	11 000																												40	200 май						50NA			Npn	300 мВ @ 5ma, 50 мая	100 @ 10ma, 1в	300 мг
FDU6670AS	0,7200	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен						FDU6670		-			-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8542.39.0001	1																-
KSA1201YTF	-	RFQ	8558	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Пефер	243а					1 Вт	SOT-89-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	4000																												120	800 млн						100NA (ICBO)			Pnp	1- @ 50 май, 500 маточков	120 @ 100ma, 5 В	120 мг
MM5Z33V	-	RFQ	6709	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 6,06%	-55 ° C ~ 150 ° С.	Пефер	SC-79, SOD-523					200 м	SOD-523F	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	8000																							50 NA @ 23,2													33 В	80 ОМ
FQPF6N50C	0,6600	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен						FQPF6N		-			-	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан				1																-
1n4745atr	0,0300	RFQ	16	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Чereз dыru	DO-204AL, DO-41, OSEVOй		1n4745			1 Вт	DO-41	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0050	10,193																							5 мк.													16	16 ОМ
FCH130N60	2.3700	RFQ	144	Fairchild Semiconductor	Superfet® II	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	247-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		247	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			N-канал					600	28a (TC)	10 В	130mohm @ 14a, 10v	3,5 В @ 250 мк	70 NC @ 10 V	± 20 В.	3590 PF @ 380	-	278W (TC)
FNB51060T1	7.5500	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	Дюйни SPM® 55	Трубка	Актифен			Чereз dыru	Модул, 20-powerdip (1220 ", 31,00 мм)	Igbt	FNB51					СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8542.39.0001	13	3 феврал				10 а	600	1500vrms
FGH30T65UPDT_F155	-	RFQ	1617	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	247-3			Станода		250 Вт	247-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1				400 В, 30., 8om, 15																		33 м					По -прежнему	650	60 а	90 а	2,3 В @ 15 В, 30А	760 мкд (включен), 400 мкд (выключен)	155 NC	22ns/139ns
FQPF32N12V2	1.4400	RFQ	83	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		TO-220F-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	1000			N-канал					120	32A (TC)	10 В	50mohm @ 16a, 10 В	4 В @ 250 мк	53 NC @ 10 V	± 30 v	1860 PF @ 25 V	-	50 yt (tc)
FDB7030BLS	1.8700	RFQ	34	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		D2Pak (263)	СКАХАТА	Rohs	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	800			N-канал					30	60a (TA)	4,5 В, 10.	9mohm @ 30a, 10v	3 В @ 250 мк	24 NC @ 5 V	± 20 В.	1760 pf @ 15 v	-	60 yt (tc)
FDD6685	-	RFQ	2428	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			П-канал					30	11A (TA), 40a (TC)	4,5 В, 10.	20mohm @ 11a, 10 В	3 В @ 250 мк	24 NC @ 5 V	± 25 В	1715 PF @ 15 V	-	1,6 yt (tat)
FQP12N60C	1.8100	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	QFET®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	166			N-канал					600	12a (TC)	10 В	650MOHM @ 6A, 10V	4 В @ 250 мк	63 NC @ 10 V	± 30 v	2290 PF @ 25 V	-	225W (TC)
Hgtg7n60a4d	-	RFQ	3040	Fairchild Semiconductor	Smps	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	247-3			Станода		125 Вт	247-3	-	Rohs		Продан	2156-HGTG7N60A4D-600039			1				390V, 7A, 25OM, 15 В																		34 м					-	600	34 а	56 а	2.7V @ 15V, 7a	55 мкж (wklючen), 60 мкд (В.	37 NC	11ns/100ns
ISL9R860S3ST_NL	0,7000	RFQ	583	Fairchild Semiconductor	Stealth ™	МАССА	Актифен			Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB				Станода		TO-263AB (D²PAK)	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.10.0080	1		БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)																	600		2,4 - @ 8 a	30 млн	100 мк.	-55 ° C ~ 175 ° C.	8.	-
KSH44H11TF	-	RFQ	3611	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63					1,75 Вт	252-3 (DPAK)	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	1																												80	8 а						10 мк			Npn	1v @ 400 май, 8a	40 @ 4a, 1v	50 мг
MMSZ5244B	-	RFQ	9892	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° С.	Пефер	SOD-123		MMSZ52			500 м	SOD-123	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	622																					900 мВ @ 10 мая		100 Na @ 10 V													14	15 О
FYV0203DNMTF	0,0200	RFQ	4382	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо			Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3				ШOTKIй		SOT-23-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0070	1935		Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning																1 пар	30	200 май	1 V @ 200 MMA		2 мка При 30в	150 ° C (MMAKS)
NDS8936	0,7800	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)		NDS893		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	900 м	8 лейт	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0095	2500	2 n-канал (Дзонано)							30	5.3a		35mohm @ 5.3a, 10	2,8 В @ 250 мк	30NC @ 10V		720pf @ 15v	Logiчeskichй yrowenhe
FDT86106LZ	-	RFQ	2362	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	261-4, 261AA				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		SOT-223-4	-	Rohs		Продан	2156-FDT86106LZ	Ear99	8541.29.0095	1			N-канал					100	3.2a (TA)	4,5 В, 10.	108mohm @ 3,2a, 10 В	2,2 pri 250 мк	7 NC @ 10 V	± 20 В.	315 PF @ 50 V	-	1 yt (tta)
HUF75842S3ST	1.1300	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		D2Pak (263)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	800			N-канал					150	43a (TC)	10 В	42mohm @ 43a, 10v	4 В @ 250 мк	175 NC @ 20 V	± 20 В.	2730 pf @ 25 v	-	230W (TC)
S1Jfl	-	RFQ	3179	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен			Пефер	SOD-123F				Станода		SOD-123F	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0080	1		Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io)																	600		1.1 V @ 1 a	2 мкс	1 мка При 600	-50 ° C ~ 150 ° C.	1A	4pf @ 4V, 1 мгест
SFR9034TF	1.0000	RFQ	5332	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	2000			П-канал					60	14a (TC)	10 В	140mohm @ 7a, 10v	4 В @ 250 мк	38 NC @ 10 V	± 25 В	1155 PF @ 25 V	-	2,5 yt (ta), 49 yt (tc)
FDZ493P	0,2900	RFQ	47	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	9-WFBGA				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		9-BGA (155x1,55)	СКАХАТА	Neprigodnnый				Ear99	8541.29.0095	3000			П-канал					20	4.6a (TA)	2,5 В, 4,5 В.	46mohm @ 4,6a, 4,5	1,5 В @ 250 мк	11 NC @ 4,5	± 12 В.	754 PF @ 10 V	-	1,7 yt (tat)