SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Тип Базовый номер продукта Тип входа Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Условия испытаний Текущий Напряжение Напряжение – изоляция Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип БТИЗ Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-коллекторный импульсный (Icm) Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic Переключение энергии Заряд от ворот Td (вкл/выкл) при 25°C Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
FDW2501NZ Fairchild Semiconductor FDW2501NZ -
запросить цену
ECAD 8759 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник PowerTrench® Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) FDW25 МОП-транзистор (оксид металла) 600мВт 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.21.0095 3 2 N-канала (двойной) 20 В 5,5 А 18 мОм при 5,5 А, 4,5 В 1,5 В @ 250 мкА 17 НК при 4,5 В 1286пФ при 10 В Ворота логического уровня
MJD32CTM Fairchild Semiconductor MJD32CTM -
запросить цену
ECAD 4788 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 1,56 Вт ТО-252-3 (ДПАК) скачать Непригодный EAR99 8541.29.0095 2500 100 В 3 А 50 мкА ПНП 1,2 В при 375 мА, 3 А 10 @ 3А, 4В 3 МГц
IRFW620BTM Fairchild Semiconductor IRFW620BTM 0,4000
запросить цену
ECAD 933 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК (ТО-263) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 800 N-канал 200 В 5А (Тс) 10 В 800 мОм при 2,5 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 16 НК @ 10 В ±30 В 390 пФ при 25 В - 3,13 Вт (Та), 47 Вт (Тс)
BZX79C18-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C18-T50A 0,0300
запросить цену
ECAD 45 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 (ДО-204АХ) скачать EAR99 8541.10.0050 11 539 1,5 В @ 100 мА 50 нА при 12,6 В 18 В 45 Ом
MPS6521 Fairchild Semiconductor MPS6521 0,0400
запросить цену
ECAD 116 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения 625 мВт ТО-92 (ТО-226) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.21.0095 5000 25 В 100 мА 50нА (ИКБО) НПН 500 мВ при 5 мА, 50 мА 300 при 2 мА, 10 В -
SB29003TF Fairchild Semiconductor SB29003TF 0,1500
запросить цену
ECAD 124 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-261-4, ТО-261АА 2 Вт СОТ-223-4 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-СБ29003ТФ EAR99 8541.21.0095 1 400 В 300 мА 500нА НПН 750 мВ при 5 мА, 50 мА 50 при 10 мА, 10 В -
RFP14N05L Fairchild Semiconductor RFP14N05L 0,4000
запросить цену
ECAD 19 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Трубка Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220-3 скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 400 N-канал 50 В 14А (Тс) 100 мОм при 14 А, 5 В 2 В @ 250 мкА 40 НК при 10 В ±10 В 670 пФ при 25 В - 48 Вт (Тс)
HUF75345P3 Fairchild Semiconductor HUF75345P3 -
запросить цену
ECAD 6800 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220-3 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-HUF75345P3-600039 1 N-канал 55 В 75А (Тс) 10 В 7 МОм при 75 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 275 НК при 20 В ±20 В 4000 пФ при 25 В - 325 Вт (Тс)
ISL9K1560G3 Fairchild Semiconductor ИСЛ9К1560Г3 1,3300
запросить цену
ECAD 1008 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-ИСЛ9К1560Г3-600039 1
FDPF16N50UT Fairchild Semiconductor ФДПФ16Н50УТ 1.2300
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220Ф-3 скачать EAR99 8542.39.0001 1 N-канал 500 В 15А (Тс) 10 В 480 мОм при 7,5 А, 10 В 5 В @ 250 мкА 45 НК при 10 В ±30 В 1945 пФ при 25 В - 38,5 Вт (Тс)
NDH8521C Fairchild Semiconductor NDH8521C 0,7700
запросить цену
ECAD 39 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-ТСОП (ширина 0,130 дюймов, 3,30 мм) NDH8521 МОП-транзистор (оксид металла) 800 мВт (Та) СуперСОТ™-8 скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8541.21.0095 3000 N и P-канал 30В 3,8 А (Та), 2,7 А (Та) 33 мОм при 3,8 А, 10 В, 70 мОм при 2,7 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 25 нк при 10 В, 27 нк при 10 В 500пФ при 15В, 560пФ при 15В -
KSC838YTA Fairchild Semiconductor KSC838YTA 0,0200
запросить цену
ECAD 1999 год 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения 250 мВт ТО-92-3 скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.21.0075 1751 г. 30 В 30 мА 100нА (ИКБО) НПН 400 мВ при 1 мА, 10 мА 120 при 2 мА, 12 В 250 МГц
IRFP460C Fairchild Semiconductor IRFP460C -
запросить цену
ECAD 8134 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-3П-3, СК-65-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-3П скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 30 N-канал 500 В 20А (Тс) 10 В 240 мОм при 10 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 170 НК при 10 В ±30 В 6000 пФ при 25 В - 235 Вт (Тс)
FDP7042L Fairchild Semiconductor FDP7042L 0,6600
запросить цену
ECAD 33 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник PowerTrench® Масса Активный -65°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 30 В 50А (Та) 4,5 В, 10 В 7,5 мОм при 25 А, 10 В 2 В при 250 мА 51 НК при 4,5 В ±12 В 2418 пФ при 15 В - 83 Вт (Та)
TIP121 Fairchild Semiconductor СОВЕТ121 -
запросить цену
ECAD 1846 г. 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 СОВЕТ121 2 Вт ТО-220АБ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1 80 В 5 А 500 мкА NPN – Дарлингтон 4 В при 20 мА, 5 А 1000 @ 3А, 3В -
FDS9933BZ Fairchild Semiconductor FDS9933BZ 0,5100
запросить цену
ECAD 11 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник PowerTrench® Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ФДС99 МОП-транзистор (оксид металла) 900мВт 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.21.0095 2500 2 P-канала (двойной) 20 В 4,9А 46 мОм при 4,9 А, 4,5 В 1,5 В @ 250 мкА 15 НК при 4,5 В 985пФ при 10 В Ворота логического уровня
FJN3309RTA Fairchild Semiconductor FJN3309RTA 0,0200
запросить цену
ECAD 156 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Устаревший Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения ФДЖН330 300 мВт ТО-92-3 скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.21.0075 2000 г. 40 В 100 мА 100нА (ИКБО) NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 1 мА, 10 мА 100 при 1 мА, 5 В 250 МГц 4,7 кОм
FJN4302RTA Fairchild Semiconductor FJN4302RTA 0,0300
запросить цену
ECAD 7488 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения ФДЖН430 300 мВт ТО-92-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 0000.00.0000 472 50 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП — предварительный смещенный 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА 30 при 5 мА, 5 В 200 МГц 10 кОм 10 кОм
SB3100 Fairchild Semiconductor СБ3100 0,2600
запросить цену
ECAD 26 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный Сквозное отверстие ДО-201АА, ДО-27, Осевой СБ31 Шоттки ДО-201 скачать EAR99 8541.10.0080 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 100 В 780 мВ при 3 А 600 мкА при 100 В -50°С ~ 150°С -
FSBF10CH60BTSL Fairchild Semiconductor ФСБФ10Ч60БЦЛ 14.9000
запросить цену
ECAD 130 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник * Масса Активный - 0000.00.0000 1
BZX84C3V3 Fairchild Semiconductor BZX84C3V3 0,0200
запросить цену
ECAD 9022 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный ±5% -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 BZX84C3 250 мВт СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 9,160 900 мВ при 10 мА 5 мкА при 1 В 3,3 В 95 Ом
BC638TA Fairchild Semiconductor BC638TA 0,0500
запросить цену
ECAD 12 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения 1 Вт ТО-92-3 скачать EAR99 8541.29.0075 5,912 60 В 1 А 100нА (ИКБО) ПНП 500 мВ при 50 мА, 500 мА 40 при 150 мА, 2 В 100 МГц
SGW23N60UFDTM Fairchild Semiconductor SGW23N60UFDTM 0,8300
запросить цену
ECAD 48 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ SGW23 Стандартный 100 Вт Д2ПАК (ТО-263) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 800 300 В, 12 А, 23 Ом, 15 В 60 нс - 600 В 23 А 92 А 2,6 В при 15 В, 12 А 115 мкДж (вкл.), 135 мкДж (выкл.) 49 НК 17 нс/60 нс
TIP115 Fairchild Semiconductor СОВЕТ115 1,0000
запросить цену
ECAD 4881 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 СОВЕТ115 2 Вт ТО-220АБ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1 60 В 2 А 2мА PNP - Дарлингтон 2,5 В при 8 мА, 2 А 1000 @ 1А, 4В -
FSB50325T Fairchild Semiconductor ФСБ50325Т 7.2900
запросить цену
ECAD 189 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник Движение СПМ® 5 Масса Активный Сквозное отверстие Модуль 23-PowerSMD, крыло чайки МОП-транзистор скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) Затронуто REACH EAR99 8542.39.0001 1 3-фазный инвертор 1,5 А 250 В 1500 В (среднеквадратичное значение)
FDD050N03B Fairchild Semiconductor ФДД050Н03Б 1,0000
запросить цену
ECAD 7543 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник PowerTrench® Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252, (Д-Пак) скачать EAR99 8542.39.0001 1 N-канал 30 В 50А (Тс) 4,5 В, 10 В 5 мОм при 25 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 43 НК при 10 В ±16 В 2875 пФ при 15 В - 65 Вт (Тс)
MPSA56 Fairchild Semiconductor MPSA56 -
запросить цену
ECAD 3175 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 625 мВт ТО-92-3 скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.21.0095 5,115 80 В 500 мА 100нА ПНП 200 мВ при 10 мА, 100 мА 100 на 100 мА, 1 В 50 МГц
NDH832P Fairchild Semiconductor NDH832P 0,3700
запросить цену
ECAD 73 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-ТСОП (ширина 0,130 дюймов, 3,30 мм) МОП-транзистор (оксид металла) СуперСОТ™-8 скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.21.0095 3000 P-канал 20 В 4,2А (Та) 2,7 В, 4,5 В 60 мОм при 4,2 А, 4,5 В 1 В @ 250 мкА 30 НК при 4,5 В -8В 1000 пФ при 10 В - 1,8 Вт (Та)
ISL9N303AS3ST Fairchild Semiconductor ИСЛ9Н303АС3СТ 1,7000
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник УльтраФЕТ™ Масса Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК (ТО-263) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 800 N-канал 30 В 75А (Тс) 4,5 В, 10 В 3,2 мОм при 75 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 172 НК при 10 В ±20 В 7000 пФ при 15 В - 215 Вт (Тс)
FQB16N15TM Fairchild Semiconductor FQB16N15TM 0,7200
запросить цену
ECAD 959 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник QFET® Масса Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК (ТО-263) скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.29.0095 800 N-канал 150 В 16,4 А (Тс) 10 В 160 мОм при 8,2 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 30 НК при 10 В ±25 В 910 пФ при 25 В - 3,75 (Та), 108 Вт (Тс) Вт
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе