RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Терпимость	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	ТИП	Baзowый nomer prodikta	ТИПВ	Тела	Синла - МАКС	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодар	Коунфигура	Скороп	ТИП ФЕТ	ИСЛОВЕЕ ИСПАН	ТЕКУИГИГ	Naprayeseee	Naprayжeniee - yзolyahip	Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	Vgs (mmaks)	Взёр.	FET FUONKSHINA	R.	На	На	ВОЗНАЯ ВОЗНА	Ток - Обратна тебе	Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee	Ток - Среднигиисправейни (io)	Emcostath @ vr, f	ТИП ИГБТ	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Ток - Коллексионер ипюльх (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Переклхейн	ЗArAd -vvoROT	TD (ON/OFF) @ 25 ° C	Дип	Napraheneee - пик в	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	На	Иппедс (mmaks) (zzt)	Это	Vce saturation (max) @ ib, ic	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD	Rerзystor - baзa (r1)	Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
FFPF20UP20STU	0,4600	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо			Чereз dыru	220-2				Станода		TO-220F-2L	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0080	50		БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)																200	1,15 - @ 20 a	45 м	100 мк.	-65 ° С ~ 150 ° С.	20 часов	-
HUF76139P3	0,9500	RFQ	12	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА	Rohs	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	1			N-канал					30	75A (TC)	4,5 В, 10.	7,5mohm @ 75a, 10	3 В @ 250 мк	78 NC @ 10 V	± 20 В.	2700 pf @ 25 v	-	165W (TC)
FJY3015R	0,0200	RFQ	19	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо			Пефер	SC-89, SOT-490		FJY301				SOT-523F	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	3000																										50	100 май								100NA (ICBO)			Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen	300 мВ 500 мк, 10	33 @ 10ma, 5V	250 мг	2.2 Ком	10 Kohms
FDD4243	-	RFQ	4995	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			П-канал					40	6.7a (ta), 14a (TC)	4,5 В, 10.	44mohm @ 6,7a, 10v	3 В @ 250 мк	29 NC @ 10 V	± 20 В.	1550 pf @ 20 v	-	42W (TC)
1n4734a	0,0300	RFQ	15	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Чereз dыru	DO-204AL, DO-41, OSEVOй					1 Вт	DO-204AL (DO-41)	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0050	9 779																					10 мк @ 2															5,6 В.	5 ОМ
Kbu8d	-	RFQ	4108	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	4-sip, KBU				Станода		Кбю	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0080	200																			1 V @ 8 A		10 мк.		8 а										ОДИНАНАНА	200
FSB50450T	4.3800	RFQ	29	Fairchild Semiconductor	SPM®	Трубка	Управо			Чereз dыru	Модул 23-PowerDip (0,748 ", 19,00 мм)	МОСС						СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8542.39.0001	15	3 февраля				1,5 а	500	1500vrms
KSP2907ATA	0,0400	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА					625 м	ДО 92-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	7,925																										60	600 май								10NA (ICBO)			Pnp	1,6 В @ 50 май, 500 маточков	100 @ 150 май, 10 В	200 мг
FDB039N06	-	RFQ	4318	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		D2Pak (263)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	800			N-канал					60	120A (TC)	10 В	3,9MOM @ 75A, 10 В	4,5 -50 мк	133 NC @ 10 V	± 20 В.	8235 PF @ 25 V	-	231W (TC)
BCX70K	-	RFQ	9201	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3					225 м	SOT-23-3	-	Rohs		Продан	2156-BCX70K-600039			1																										45	200 май								20NA			Npn	550 мв 1,25 май, 50 маточков	380 @ 2ma, 5V	125 мг
FDC642P	0,2000	RFQ	6	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		Supersot ™ -6	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1516			П-канал					20	4a (TA)	2,5 В, 4,5 В.	65mohm @ 4a, 4,5	1,5 В @ 250 мк	16 NC @ 4,5	± 8 v	925 PF @ 10 V	-	1,6 yt (tat)
FDS4080N3	1.6600	RFQ	39	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8 ТАКОГО	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	2500			N-канал					40	13a (TA)	10 В	10,5mohm @ 13a, 10 В	5 w @ 250 мк	40 NC @ 10 V	± 20 В.	1750 PF @ 20 V	-	3W (TA)
HRF3205	1.5800	RFQ	82	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА	Rohs				Ear99	8541.29.0095	400			N-канал					55	100a (TC)		8mohm @ 59a, 10 В	4 В @ 250 мк	170 NC @ 10 V	± 20 В.	4000 pf @ 25 v	-	175W (TC)
RF1K49156	0,7800	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8 лейт	СКАХАТА	Rohs	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8541.29.0095	1			N-канал					30	6.3a (TA)	5в	30mohm @ 6,3a, 5в	2 В @ 250 мк	65 NC @ 10 V	± 10 В.	2030 PF @ 25 V	-	2W (TA)
FDS6294	0,4500	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)		FDS62		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8 лейт	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			N-канал					30	13a (TA)	4,5 В, 10.	11.3mohm @ 13a, 10v	3 В @ 250 мк	14 NC @ 5 V	± 20 В.	1205 PF @ 15 V	-	3W (TA)
Flz5v1a	0,0200	RFQ	15	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Пефер	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80					500 м	SOD-80	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0050	15 000																			1,2 - @ 200 Ма		190 NA @ 1,5															4,9 В.	17 О
FJE3303H2TU	0,2500	RFQ	31	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	225AA, 126-3					20 Вт	126-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1212																										400	1,5 а								10 мк (ICBO)			Npn	3 В @ 500 май, 1,5а	14 @ 500 май, 2 В	4 мг
FDMS015N04B	1.0000	RFQ	8411	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8-Powertdfn				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8-PQFN (5x6)	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			N-канал					40	31.3a (TA), 100a (TC)	10 В	1,5 мома @ 50a, 10	4 В @ 250 мк	118 NC @ 10 V	± 20 В.	8725 PF @ 20 V	-	2,5 yt (ta), 104w (tc)
Fqi7n80tu	-	RFQ	1520	Fairchild Semiconductor	QFET®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		I2pak (262)	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			N-канал					800 В	6.6a (TC)	10 В	1,5 ОМа @ 3,3а, 10 В	5 w @ 250 мк	52 NC @ 10 V	± 30 v	1850 PF @ 25 V	-	3,13 yt (ta), 167w (TC)
FDFMA2P859T	0,2700	RFQ	14	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	6-udfn otkrыtaiNeploщaudka				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		Микроф 2x2 Тонки	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0095	3000			П-канал					20	3a (TA)	1,8 В, 4,5 В.	120mohm @ 3a, 4,5	1,3 Е @ 250 мк	6 NC @ 4,5	± 8 v	435 PF @ 10 V	Диджотки (Иолировананн)	1,4 yt (tat)
FDP8880	0,5200	RFQ	62	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	573			N-канал					30	11A (TA), 54A (TC)	4,5 В, 10.	11,6mohm @ 40a, 10 В	2,5 -50 мк	29 NC @ 10 V	± 20 В.	1240 PF @ 15 V	-	55W (TC)
Fdu8896_nl	1.0000	RFQ	1286	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		I-pak	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	1			N-канал					30	17A (TA), 94A (TC)	4,5 В, 10.	5,7 мома @ 35a, 10	2,5 -50 мк	60 NC @ 10 V	± 20 В.	2525 PF @ 15 V	-	80 Вт (TC)
BC33716TA	0,0400	RFQ	532	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА					625 м	ДО 92-3	СКАХАТА					Ear99	8541.21.0075	8,103																										45	800 млн								100NA			Npn	700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA	100 @ 100ma, 1в	100 мг
FSAM10SM60A	17.5200	RFQ	141	Fairchild Semiconductor	SPM®	МАССА	Актифен			Чereз dыru	Модуль 32-PowerDip (1370 ", 34,80 мм)	Igbt						СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	8	3 февраля				10 а	600	2500vrms
FSBF10CH60BTSL	14.9000	RFQ	130	Fairchild Semiconductor	*	МАССА	Актифен											-						0000.00.0000	1
DF10S1	0,3400	RFQ	82	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	4-SMD, крхло				Станода		4-Sdip	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0080	882																			1.1 V @ 1 a		3 мка @ 1 В		1 а										ОДИНАНАНА	1 к
SGH40N60UFTU	3.7900	RFQ	900	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-3P-3, SC-65-3		SGH40N60	Станода		160 Вт	12 с	СКАХАТА					Ear99	8541.29.0095	1				300 В, 20.																					-	600	40 А.	160 а	2,6 В @ 15 В, 20А	160 мкд (на), 200 мкд (выключен)	97 NC	15NS/65NS
FDP39N20	1.5900	RFQ	500	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			N-канал					200	39a (TC)	10 В	66mohm @ 19.5a, 10v	5 w @ 250 мк	49 NC @ 10 V	± 30 v	2130 pf @ 25 v	-	251 Вт (TC)
MPSH24	-	RFQ	3934	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					625 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	3322																										30	50 май								50na (ICBO)			Npn	-	30 @ 8ma, 10 В	400 мг
FDN357N	0,1500	RFQ	3	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		SOT-23-3	СКАХАТА					Ear99	8541.21.0095	1976			N-канал					30	1.9A (TA)	4,5 В, 10.	60mohm @ 2,2a, 10 В	2 В @ 250 мк	5,9 NC @ 5 V	± 20 В.	235 pf @ 10 v	-	500 мг (таблица)