SIC
close

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) На TOOK - dreneж (idss) @ vds (vgs = 0) На Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) СОПРОТИВЛЕВЕР - RDS (ON) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
MMBF4092 Fairchild Semiconductor MMBF4092 -
RFQ
 ECAD 5834 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBF40 350 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 3000 N-канал 16pf @ 20v 40 15 май @ 20 2 v @ 1 na 50 ОМ
FDMA1025P Fairchild Semiconductor FDMA1025P 0,2900
RFQ
 ECAD 92 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-vdfn otkrыtaiNAN FDMA1025 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 700 м 6-микрофон (2x2) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 2 P-KANOL (DVOйNOй) 20 3.1a 155mohm @ 3,1a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 4,8NC @ 4,5 450pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
ISL9N312AD3STNL Fairchild Semiconductor ISL9N312AD3STNL -
RFQ
 ECAD 6060 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 150 N-канал 30 50a (TC) 12mohm @ 50a, 10 В 3 В @ 250 мк 38 NC @ 10 V ± 20 В. 1450 PF @ 15 V - 75W (TA)
FDMA3028N Fairchild Semiconductor FDMA3028N 1.0000
RFQ
 ECAD 1705 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-vdfn otkrыtaiNAN FDMA3028 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 700 м 6-микрофон (2x2) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 2 n-канал (Дзонано) 30 3.8a 68mohm @ 3,8a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 5.2NC @ 5V 375pf @ 15v Logiчeskichй yrowenhe
FDI8441 Fairchild Semiconductor FDI8441 1.5600
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 400 N-канал 40 26a (ta), 80a (TC) 10 В 2,7mohm @ 80a, 10 В 4 В @ 250 мк 280 NC @ 10 V ± 20 В. 15 PF @ 25 V - 300 м (TC)
EGP20A Fairchild Semiconductor EGP20A 0,2200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода ДО-15 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-EGP20A-600039 1348 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 2 a 50 млн 5 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 2A 70pf @ 4V, 1 мгха
FCP600N60Z Fairchild Semiconductor FCP600N60Z 1.1600
RFQ
 ECAD 781 0,00000000 Fairchild Semiconductor Superfet® II МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 258 N-канал 600 7.4a (TC) 10 В 600mhom @ 3,7a, 10 3,5 В @ 250 мк 26 NC @ 10 V ± 20 В. 1120 PF @ 25 V - 89 Вт (ТС)
FQA19N60 Fairchild Semiconductor FQA19N60 -
RFQ
 ECAD 1324 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 вечера СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 600 18.5a (TC) 10 В 380mom @ 9.3a, 10v 5 w @ 250 мк 90 NC @ 10 V ± 30 v 3600 pf @ 25 v - 300 м (TC)
FDS6676S Fairchild Semiconductor FDS6676S 0,6400
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 14.5a (TA) 4,5 В, 10. 7,5mohm @ 14,5a, 10 3V @ 1MA 60 NC @ 5 V ± 16 В. 4665 PF @ 15 V - 1 yt (tta)
FDD3672-F085 Fairchild Semiconductor FDD3672-F085 -
RFQ
 ECAD 7875 0,00000000 Fairchild Semiconductor Automotive, AEC-Q101, Ultrafet ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-FDD3672-F085-600039 1 N-канал 100 44a (TC) 6 В, 10 В. 47mohm @ 21a, 6v 4 В @ 250 мк 36 NC @ 10 V ± 20 В. 1635 PF @ 25 V - 144W (TC)
2N4403BU Fairchild Semiconductor 2N4403BU 0,0400
RFQ
 ECAD 309 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 8 242 40 600 май - Pnp 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 150 май, 2 В 200 мг
SI4410DY Fairchild Semiconductor SI4410DY 1.0000
RFQ
 ECAD 9341 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 30 10А (таблица) 4,5 В, 10. 13,5mohm @ 10a, 10v 1В @ 250 мк 60 NC @ 10 V ± 20 В. 1350 pf @ 15 v - 2,5 yt (tat)
FQAF16N25C Fairchild Semiconductor FQAF16N25C 0,9200
RFQ
 ECAD 360 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) To-3pf СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 360 N-канал 250 11.4a (TC) 10 В 270mohm @ 5,7a, 10 4 В @ 250 мк 53,5 NC @ 10 V ± 30 v 1080 pf @ 25 v - 73W (TC)
2N5551 Fairchild Semiconductor 2N5551 -
RFQ
 ECAD 4074 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 5000 160 600 май 50na (ICBO) Npn 200 мВ @ 5ma, 50 мая 80 @ 10ma, 5в 300 мг
KSD261CGTA Fairchild Semiconductor KSD261CGTA 0,0300
RFQ
 ECAD 163 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 20 500 май 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 200 @ 100ma, 1v -
KA33VTA Fairchild Semiconductor KA33VTA 0,0500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 6% -20 ° C ~ 75 ° C. Чereз dыru TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) KA33 200 м Создание 92-2 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 33 В 25 ОМ
1N5395 Fairchild Semiconductor 1n5395 -
RFQ
 ECAD 4623 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 8000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,4 Е @ 1,5 А 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 25pf @ 4V, 1 мгха
KSC2328AOTA Fairchild Semiconductor KSC2328AOTA 0,0800
RFQ
 ECAD 2998 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА В аспекте 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 574 30 2 а 100NA (ICBO) Npn 2 w @ 30 май, 1,5а 100 @ 500 май, 2 В 120 мг
BC81716MTF Fairchild Semiconductor BC81716MTF 0,0300
RFQ
 ECAD 63 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 230 45 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 110 @ 100ma, 1v 100 мг
UF4006 Fairchild Semiconductor UF4006 0,0800
RFQ
 ECAD 78 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF400 Станода DO-41 СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 3643 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -400 -50 ° C ~ 175 ° C. 1A -
FJY3014R Fairchild Semiconductor FJY3014R -
RFQ
 ECAD 5220 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Пефер SC-89, SOT-490 FJY301 200 м SOT-523F СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 4.7 Kohms 47 Kohms
FP210-TL-E Fairchild Semiconductor FP210-TL-E 0,2400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-FP210-TL-E-600039 1
FJY3011R Fairchild Semiconductor Fjy3011r 0,0200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Пефер SC-89, SOT-490 FJY301 200 м SOT-523F СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 3000 40 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 22 Kohms
BC32825 Fairchild Semiconductor BC32825 0,0500
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 6662 25 В 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
FQI5N80TU Fairchild Semiconductor Fqi5n80tu 0,8000
RFQ
 ECAD 993 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 800 В 4.8a (TC) 10 В 2,6 ОМ @ 2,4a, 10 В 5 w @ 250 мк 33 NC @ 10 V ± 30 v 1250 pf @ 25 v - 3,13 yt (ta), 140 yt (tc)
FDP3652 Fairchild Semiconductor FDP3652 1.0000
RFQ
 ECAD 6194 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 100 9a (ta), 61a (TC) 6 В, 10 В. 16mohm @ 61a, 10v 4 В @ 250 мк 53 NC @ 10 V ± 20 В. 2880 PF @ 25 V - 150 Вт (TC)
BZX79C12 Fairchild Semiconductor BZX79C12 0,0300
RFQ
 ECAD 87 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 11 539 1,5 Е @ 100 мая 100 na @ 8 v 12 25 ОМ
FDU8876 Fairchild Semiconductor FDU8876 0,5500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 30 15a (ta), 73a (TC) 4,5 В, 10. 8,2mohm @ 35a, 10 В 2,5 -50 мк 47 NC @ 10 V ± 20 В. 1700 pf @ 15 v - 70 Вт (TC)
MMPQ2907 Fairchild Semiconductor MMPQ2907 1.0000
RFQ
 ECAD 2228 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо - Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) MMPQ29 1 Вт 16 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2500 40 600 май 50na (ICBO) 4 PNP (квадрат) 1,6 В @ 30 май, 300 мая 100 @ 150 май, 10 В -
FFPF06U20STU Fairchild Semiconductor FFPF06U20STU 0,2200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru 220-2 Станода TO-220F-2L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,2 - @ 6 a 35 м 6 мка pri 200 -65 ° С ~ 150 ° С. 6A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть