RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Терпимость	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	ТИП	Baзowый nomer prodikta	ТИПВ	Тела	Синла - МАКС	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Eccn	Htsus	Станодар	Коунфигура	Скороп	ТИП ФЕТ	ИСЛОВЕЕ ИСПАН	ТЕКУИГИГ	Naprayeseee	Naprayжeniee - yзolyahip	Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	Vgs (mmaks)	Взёр.	Феф Фуанкхия	Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	Коунфигурахия	На	Ток - Средниги ипра.	На	ВОЗНАЯ ВОЗНА	Ток - Обратна тебе	Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee	ТИП ИГБТ	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Ток - Коллексионер ипюльх (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Переклхейн	ЗArAd -vvoROT	TD (ON/OFF) @ 25 ° C	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	На	Иппедс (mmaks) (zzt)	Это	Vce saturation (max) @ ib, ic	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD	Rerзystor - baзa (r1)	Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
FDW9926A	1.0000	RFQ	5232	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм)		FDW99		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	600 м	8-tssop	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.21.0095	2500	2 n-канал (Дзонано)							20	4.5a		32mohm @ 4,5a, 4,5	1,5 В @ 250 мк	9NC @ 4,5		630pf @ 10v	Logiчeskichй yrowenhe
SFP9634	0,4100	RFQ	11	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		220-3	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	1000			П-канал					250	5А (TC)	10 В	1,3om @ 2,5A, 10 В	4 В @ 250 мк	37 NC @ 10 V	± 30 v	975 PF @ 25 V	-	70 Вт (TC)
BZX79C27	0,0200	RFQ	84	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй					500 м	DO-35 (DO-204AH)	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.10.0050	1000																					1,5 Е @ 100 мая		50 NA @ 18,9											27	80 ОМ
FDMA1023PZ	-	RFQ	3139	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	6-vdfn otkrыtaiNAN		FDMA1023		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	700 м	6-микрофон (2x2)	СКАХАТА				Ear99	8542.39.0001	1	2 P-KANOL (DVOйNOй)							20	3.7a		72mohm @ 3,7a, 4,5	1,5 В @ 250 мк	12NC @ 4,5		655pf @ 10v	Logiчeskichй yrowenhe
FCH041N65F-F085	9.5400	RFQ	163	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, Superfet® II	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	247-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		247	СКАХАТА				Ear99	8541.29.0095	35			N-канал					650	76A (TC)	10 В	41MOM @ 38A, 10 В	5 w @ 250 мк	304 NC @ 10 V	± 20 В.	13566 PF @ 25 V	-	595 yt (tc)
FSB50550US	5.0500	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Дюйни Spm® 5	МАССА	Актифен			Пефер	Модуль 23-powersmd, krыlogly	МОСС	FSB50550					СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH	Ear99	8542.39.0001	65	3 февраля				2 а	500	1500vrms
FJV4103RMTF	-	RFQ	9217	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо			Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3		FJV410			200 м	SOT-23-3	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.21.0075	4244																										50	100 май						100NA (ICBO)			Pnp - prervariotelno-cmepts	300 мВ 500 мк, 10	56 @ 5ma, 5V	200 мг	22 Kohms	22 Kohms
KSP06BU	1.0000	RFQ	5024	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		KSP06			625 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH	Ear99	0000.00.0000	1																										80	500 май						100NA			Npn	250 мВ @ 10ma, 100 мая	50 @ 100ma, 1в	100 мг
1n5235b	0,0200	RFQ	561	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй					500 м	DO-35 (DO-204AH)	СКАХАТА				Ear99	8541.10.0050	15 000																					1,2 - @ 200 Ма		3 мка @ 5											6,8 В.	5 ОМ
2N5550BU	0,0200	RFQ	7394	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					625 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.21.0075	13 374																										140	600 май						100NA (ICBO)			Npn	250 мВ @ 5ma, 50 ма	60 @ 10ma, 5 В	300 мг
FDD6N20TF	0,4800	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		252, (D-PAK)	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	2000			N-канал					200	4.5a (TC)	10 В	800mohm @ 2,3a, 10 В	5 w @ 250 мк	6.1 NC @ 10 V	± 30 v	230 pf @ 25 v	-	40 yt (tc)
FFB2907A	1.0000	RFQ	4248	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363		FFB2907			300 м	SC-88 (SC-70-6)	СКАХАТА				Ear99	8541.21.0095	1																										60	600 май						20NA (ICBO)			2 PNP (DVOйNOй)	1,6 В @ 50 май, 500 маточков	100 @ 150 май, 10 В	250 мг
FFPF15U20DNTU	0,5600	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо			Чereз dыru	220-3-				Станода		TO-220F-3	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.10.0080	50		БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)																1 пар	200	15A	1,2 - @ 15 A	40 млн	15 мк.	-65 ° С ~ 150 ° С.
FDS4895C	1.0000	RFQ	5000	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)		FDS48		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	900 м	8 лейт	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.21.0095	2500	N и п-канал							40	5,5a, 4.4a		39mohm @ 5,5a, 10 В	5 w @ 250 мк	10NC @ 10V		410pf @ 20 a.	-
FDFC2P100	0,1700	RFQ	115	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		Supersot ™ -6	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	3000			П-канал					20	3a (TA)	2,5 В, 4,5 В.	150mohm @ 3a, 4,5	1,5 В @ 250 мк	4,7 NC @ 10 V	± 12 В.	445 PF @ 10 V	Диджотки (Иолировананн)	1,5 yt (tat)
BZX84C13	0,0200	RFQ	178	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	-	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3		BZX84C13			300 м	SOT-23	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH	Ear99	8541.10.0050	3000																					900 мВ @ 10 мая		100 na @ 8 v											13	30 ОМ
SS9014BTA	1.0000	RFQ	5715	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА					450 м	ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.21.0075	2000																										45	100 май						50na (ICBO)			Npn	300 мВ @ 5ma, 100 мая	100 @ 1MA, 5 В	270 мг
NDM3000	1,6000	RFQ	16	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)		NDM300		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	1,4 м	16 лейт	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	2500	3 n и 3 p-каанал (3-фехан-мост)							30	3A		90mohm @ 3a, 10 В	3 В @ 250 мк	25NC @ 10V		360pf @ 10v	Logiчeskichй yrowenhe
FGP90N30TU	1.0000	RFQ	1406	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3			Станода		192 Вт	220-3	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH	Ear99	8541.29.0095	1				-																					-	300	90 а	130 а	1,4 В @ 15 В, 20А	-	130 NC	-
KSB1097YTU	0,3700	RFQ	940	Fairchild Semiconductor	-	Трубка	Управо		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-					2 Вт	TO-220F-3	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	50																										60	7 а						10 мк (ICBO)			Pnp	500 мВ @ 500 мА, 5а	100 @ 3A, 1V	-
NDS9953A	0,5700	RFQ	282	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)		NDS995		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	900 м	8 лейт	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.21.0095	2500	2 P-KANOL (DVOйNOй)							30	2.9а		130mohm @ 1a, 10v	2,8 В @ 250 мк	25NC @ 10V		350pf @ 10 a.	Logiчeskichй yrowenhe
FQI13N06LTU	0,7200	RFQ	2	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		I2pak (262)	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	50			N-канал					60	13.6a (TC)	5 В, 10 В.	110mohm @ 6,8a, 10	2,5 -50 мк	6,4 NC @ 5 V	± 20 В.	350 pf @ 25 v	-	3,75 yt (ta), 45 yt (tc)
IRFS150A	0,5200	RFQ	5761	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-3P-3 Full Pack				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		To-3pf	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	Продан	Ear99	8541.29.0095	14			N-канал					100	31a (TC)	10 В	40mohm @ 15.5a, 10 ЕС	4 В @ 250 мк	97 NC @ 10 V	± 20 В.	2270 PF @ 25 V	-	100 yt (tc)
FDS6912	0,9000	RFQ	79	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)		FDS69		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	2W (TA)	8 лейт	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH	Ear99	0000.00.0000	2500	2 n-канал (Дзонано)							30	6a (TA)		28mohm @ 6a, 10v	3 В @ 250 мк	10NC @ 5V		740pf @ 15v	Logiчeskichй yrowenhe
FQA10N80C	-	RFQ	6988	Fairchild Semiconductor	QFET®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-3P-3, SC-65-3				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		12 с	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	1			N-канал					800 В	10a (TC)	10 В	1,1 ом @ 5a, 10 В	5 w @ 250 мк	58 NC @ 10 V	± 30 v	2800 pf @ 25 v	-	240 Вт (TC)
HUF76633S3S	0,5900	RFQ	5665	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		D2Pak (263)	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	358			N-канал					100	39a (TC)	4,5 В, 10.	35mohm @ 39a, 10v	3 В @ 250 мк	67 NC @ 10 V	± 16 В.	1820 PF @ 25 V	-	145W (TC)
NDB6060L	1.0000	RFQ	1081	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		D²PAK (DO 263)	СКАХАТА				Ear99	8542.39.0001	1			N-канал					60	48a (TC)	5 В, 10 В.	20mohm @ 24a, 10 В	2 В @ 250 мк	60 NC @ 5 V	± 16 В.	2000 PF @ 25 V	-	100 yt (tc)
FDS6680S	0,5200	RFQ	42	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)				МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)		8 лейт	СКАХАТА	Rohs3			Ear99	8541.29.0095	2500			N-канал					30	11.5a (TA)	4,5 В, 10.	11mohm @ 11.5a, 10v	3 В @ 250 мк	24 NC @ 5 V	± 20 В.	2010 PF @ 15 V	-	2,5 yt (tat)
MM3Z8V2C	0,0300	RFQ	27	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° С ~ 150 ° С.	Пефер	SC-90, SOD-323F					200 м	SOD-323F	СКАХАТА				Ear99	8541.10.0050	8586																					1 V @ 10 мая		630 NA @ 5 V											8,2 В.	14 ОМ
MBR4035PT	1.4100	RFQ	1	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен			Чereз dыru	TO-3P-3, SC-65-3				ШOTKIй		12 с	СКАХАТА				Ear99	8541.10.0080	1		БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO)																1 пар	35	40a	700 м. @ 20 a		1 май @ 35	-65 ° С ~ 150 ° С.